「gradient diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The spatial gradient of the detected temporary optical flow is calculated and a diffusion coefficient α is decided so as to have a negative correlation with the spatial gradient.例文帳に追加

検出された仮のオプティカルフローの空間勾配を算出し、この空間勾配に対し負の相関を有するように拡散係数αを決定する。 - 特許庁

To obtain a diffusion weighted image using a b-value which is larger than what corresponds to the maximum gradient magnetic field intensity and time for applying MPG (Motion Probing Gradient) pulse.例文帳に追加

最大傾斜磁場強度およびＭＰＧパルスの印加時間に見合うよりも大きなｂ値を用いた拡散強調画像を得ることを可能とする。 - 特許庁

The diffusion-emphasized imaging processing apparatus has a correcting means relatively correcting distortion generated by the gradient magnetic field pulse of each of the diffusion-emphasized image or the distortion in the gradient magnetic field pulse direction when the diffusion-emphasized image is captured by mutually making reference to a plurality of diffusion-emphasized images having different gradient magnetic field pulse directions respectively when being captured.例文帳に追加

撮像された際の勾配磁場パルス方向がそれぞれ異なる複数の拡散強調画像を互いに参照して、各前記拡散強調画像の前記勾配磁場パルスによって発生する歪みであって、前記各拡散強調画像が撮像された際の前記勾配磁場パルス方向の歪みを相対的に補正する補正手段を有することを特徴とする。 - 特許庁

By using the diffusion coefficient α which varies with the spatial gradient, an optical flow component by the gradient method is extracted by adding the condition which minimizes the spatial change of the optical flow.例文帳に追加

空間勾配に応じて可変となる拡散係数αを用い、オプティカルフローの空間的変化が最小となる条件を付加してグラディエント法によるオプティカルフロー成分を抽出する。 - 特許庁

The gas diffusion mechanism 16 is constituted so that the concentration gradient of oxygen in the internal space 15 satisfies the condition of a predetermined formula.例文帳に追加

ガス拡散機構１６は、内部空間１５における酸素濃度勾配が所定の式の条件を満たすように構成されている。 - 特許庁

In other words, when Sn of the surface is oxidized and removed, the concentration gradient of Sn occurs in the CuSn alloy that causes diffusion of Sn from inside the wire rod.例文帳に追加

即ち、表面のＳｎが酸化除去されると、ＣｕＳｎ合金の中で、Ｓｎの濃度勾配が生じ、線材内部からＳｎの拡散が起る。 - 特許庁

At this time, the distance between the fluorescent lamps and a diffusion plate (i.e. a liquid crystal panel) is varied so as to compensate the luminance of the fluorescent lamps according to their luminance gradient.例文帳に追加

このときに、蛍光ランプの輝度勾配に応じて輝度を補償するように、蛍光ランプと拡散板（すなわち液晶パネル）との距離を変化させる。 - 特許庁

An n-type impurity is diffused into the n-type diffusion layer 17 with a concentration gradient provided in the direction connecting a source electrode 21 and a drain electrode 22.例文帳に追加

Ｎ型拡散層１７は、ソース電極２１とドレイン電極２２とを、結ぶ方向に濃度勾配を設けてＮ型不純物が拡散されている。 - 特許庁

To improve a roll-off characteristic of threshold voltage and BVD_ss by relaxing gradient of LDD junction using phosphor (P) dopant diffusion in a source/drain region.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域のリン（Ｐ）ドーパント拡散を使用してＬＤＤ接合の勾配を緩和して、しきい値電圧のロールオフ特性並びにＢＶＤssを改善する。 - 特許庁

DDIF (Decay from diffusion in the internal field) and/or pulsed field gradient (PFG) are used for measuring the effects of molecular diffusion.例文帳に追加

分子拡散の効果を測定にはＤＤＩＦ（Ｄｅｃａｙ ｆｒｏｍ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｉｎｔｈｅ ｉｎｔｅｒｎａｌ ｆｉｅｌｄ（内部磁場中での拡散による減衰））および/またはパルス磁場勾配（ＰＦＧ)法を利用する。 - 特許庁

The imaging unit performs the diffusion-weighted imaging with application of MPG (motion probing gradient) pulses corresponding to different b-values while having the same application axis, so as to collect a plurality of diffusion-weighted image data corresponding to the different b-values.例文帳に追加

イメージング手段は、印加軸が同一で異なるｂ値に対応するMPGパルスの印加を伴って拡散強調イメージングを実行することによって前記異なるｂ値に対応する複数の拡散強調画像データを収集する。 - 特許庁

To make thickness and concentration of a film formed on a wafer surface uniform by eliminating pressure gradient of the gas ejected from each ejecting hole of a gas feed pipe in a diffusion furnace.例文帳に追加

拡散炉において、ガス導入管の各噴出孔からの噴出ガスの圧力勾配を解消し、ウエハ表面に形成される膜厚及び濃度の均一化を図る。 - 特許庁

The third activation treatment is carried out under the condition that the impurity concentration distribution gradient of the P-N junction be steeper than that of the first impurity diffusion region.例文帳に追加

そのｐｎ接合部における不純物濃度分布勾配が、第１の不純物拡散領域よりも急峻になる条件で第３の活性化処理を行う。 - 特許庁

An ECU7 calculates an ignition timing by which the heat generation rate exceeds an ignition determination value when combustion has a sharp gradient in initial rise of the heat generation rate such as in diffusion combustion.例文帳に追加

ＥＣＵ７は、拡散燃焼のような熱発生率の初期立上がり傾斜の強い燃焼の場合に熱発生率が着火判定値を超える着火時期を求める。 - 特許庁

A separator for a high-temperature preservation characteristics storage device has a diffusion coefficient D(Z) in a film thickness direction determined by a magnetic gradient NMR method where the coefficient satisfies the relation: D(Z)≥αT+β, where α=-2.5×10^-12,例文帳に追加

磁場勾配ＮＭＲ法によって測定された膜厚み方向の拡散係数Ｄ（Ｚ）が、Ｄ（Ｚ）≧αＴ＋βを満たす高温保存特性蓄電デバイス用セパレータ。 - 特許庁

A gradient voltage is applied to the gate 7 in its lengthwise direction and varied in state, so that diffusion resistors 4 and 5 are changed in resistance.例文帳に追加

そして、ゲート７の長さ方向に傾斜電圧を印加させるようにし、この傾斜電圧の状態を変化させることにより、拡散抵抗４、５の抵抗値を変化させるようにした。 - 特許庁

A bonding wire for semiconductor comprises an outer peripheral part 2 formed of a conductive metal, a core 1 made of an alloy formed mainly of the metal, and a diffusion layer 3 disposed between the core and the outer peripheral part, the diffusion layer having a concentration gradient.例文帳に追加

導電性の金属からなる外周部２と、前記金属を主成分とする合金からなる芯線１と、さらにその芯線と外周部の間に拡散層３を有し、前記拡散層が濃度勾配を有することを特徴とする半導体用ボンディングワイヤである。 - 特許庁

The polyolefin microporous film has the product of diffusion coefficients in respective directions measured by a gradient magnetic field NMR method of 4.5×10^-31≤D(Z)×D(MD)×D(TD)≤1×10^-29.例文帳に追加

磁場勾配ＮＭＲ法によって測定された各方向の拡散係数の積が４．５×１０^−３１≦Ｄ（Ｚ）×Ｄ（ＭＤ）×Ｄ（ＴＤ）≦１×１０^−２９であるポリオレフィン微多孔膜。 - 特許庁

According to the present invention, the concentration distribution of particles can be calculated in the concentration polarized layer from experimental data of filtration flux and a concentration gradient diffusion coefficient calculated by applying numerical analysis method thereto.例文帳に追加

本発明によると、濾過フラックスの実験データと、ここに数値解法を適用して計算した濃度勾配拡散係数から濃度分極層において、粒子の濃度分布を算出することが出来る。 - 特許庁

A micro amount of a reagent containing an equivalent substance to a secreted substance is introduced into a cell received in the reaction chamber 22 with the micro injector to form the concentration gradient of the equivalent substance to the secreted substance by diffusion.例文帳に追加

反応室２２内に収容された細胞に対してマイクロインジェクタを用いて分泌物質相当物を含む試薬の微小量を導入して拡散により分泌物質相当物の濃度勾配を形成する。 - 特許庁

The in-film water diffusion count Di,j, and electroosmosis coefficient ndi,j are calculated from the film water content λi,j according to predefined functions, and a film water content gradient gradλi,j used for diffusion water movement operation is found from a difference in film water content λi,j between small areas 46 adjoining each other in the film thickness direction.例文帳に追加

ここで、膜中水拡散係数Ｄi,jおよび電気浸透係数ｎｄi,jは予め規定された関数にしたがって膜含水率λi,jから算出され、拡散水移動演算に用いられる膜含水率勾配gradλi,jは膜厚方向に隣接する小領域４６間における膜含水率λi,jの差分で求められる。 - 特許庁

Caused by the diffusion phenomenon resulting from the gradient in concentration of the water-soluble gas, the water-soluble gas is adsorbed on the water films formed on the surfaces of cooling fins 31a to 31e within a gas adsorption section 19.例文帳に追加

上記水溶性のガスの濃度勾配に起因する拡散現象を利用して、ガス吸着部１９内の冷却フィン３１ａ〜３１ｅの表面に形成された水膜に、上記水溶性のガスを吸着させるようにする。 - 特許庁

Since the electron injecting material constituting this diffusion layer 70 diffuses to the positive electrode 20 side in the organic layers 30-60 with the passage of light-emitting time, the concentration gradient of the electron injecting material in the organic layers becomes small, and thereby, diffusion of the electron injecting material of the electron injection layer 80 to the positive electrode 20 side can be greatly suppressed.例文帳に追加

この拡散層７０を構成する電子注入性材料が、発光時間とともに有機層３０〜６０内を陽極２０側へ拡散するため、該有機層内における電子注入材料の濃度勾配が小さくなり、電子注入層８０の電子注入性材料の陽極２０側への拡散を大幅に抑制することができる。 - 特許庁

Infrared ray emitted from an external infrared light source is transmitted by the Pyrex cap, absorbed by a boron diffusion layer 3 formed on a surface of the capillary group 2, and converted to heat to form the temperature gradient between the irradiated surface and the reverse side of the capillary group 2.例文帳に追加

外部の赤外光源から照射された赤外光７は、パイレックスガラス製キャップを透過し、キャピラリ群２の表面に形成されたボロン拡散層３に吸収され、熱に変換され、キャピラリ群２の光照射面と裏側の間に温度勾配が形成される。 - 特許庁

The semiconductor element 10 comprises an n-type diffusion layer 16 formed in the n^--type semiconductor region 13 at the interface between the insulation layer 12 and the semiconductor region 13 with an n-type impurity concentration gradient increasing from the anode electrode 17 toward the cathode electrode 18.例文帳に追加

半導体素子１０は、絶縁膜１２とＮ^−型半導体領域１３との界面のＮ^−型半導体領域１３内に、アノード電極１７側からカソード電極１８側にかけてＮ型不純物濃度が高くなるように濃度勾配を設けたＮ型拡散層１６を更に備える。 - 特許庁

To enlarge backward water diffusion effect from cathode side to anode side by positively forming water content gradient in an electrolyte membrane in a fuel cell 1 that has a membrane electrode assembly 2 equipped with a reinforced electrolyte membrane 10A, in order to suppress drying of the anode side.例文帳に追加

補強膜型電解質膜１０Ａを備えた膜電極接合体２を持つ燃料電池１において、電解質膜内の含水率勾配を積極的に形成することで、カソード側からアノード側への逆拡散水効果を大きくして、アノード側の乾燥を抑制する。 - 特許庁

In a semiconductor device having a PN junction part, a low concentration substrate junction of a p^+ layer and an n^- layer steep in impurity concentration gradient is formed, and a diffusion layer of a p^- layer in a low concentration is formed by making a surface concentration low and diffusing deeply so that it does not make a junction with the n^- layer of the substrate.例文帳に追加

PN接合部を有する半導体装置において、不純物濃度勾配の急峻なｐ^+層とｎ^-層の低濃度基板接合を形成し、低濃度のｐ^-層の拡散層を基板のn-層と接合ができないように表面濃度を薄く、深く拡散させて形成した。 - 特許庁

A part from an intermediate part 13 to a base part 12 of the pointer 3 includes an inclined part 35 with a rising gradient whose interval (in the extension direction of a pointer shaft 11) towards the light diffusion part 21 (a transparent plate 31) decreases towards the tip end 14 of the pointer 3.例文帳に追加

また、指針３の中間部１３から基部１２までの部分に、指針３の先端部１４へ向かうに従い、光拡散部２１（透明板３１）との間の（指針軸１１の延長方向の）間隔が小さくなる上がり勾配の傾斜部３５を設けるようにする。 - 特許庁

Further, a bonding wire for semiconductor comprises a core formed of a first metal having a conductivity or an alloy formed mainly of the first metal, an outer peripheral part formed of a second metal having a conductivity different from that of the first metal of the core or an alloy formed mainly of the second metal, and a diffusion layer disposed between the core and the outer peripheral part, the diffusion layer having a concentration gradient.例文帳に追加

また、導電性を有する第１の金属または該第１の金属を主成分とする合金からなる芯線と、前記芯線の第１の金属とは異なる導電性を有する第２の金属または該第２の金属を主成分とする合金からなる外周部、さらにその芯線と外周部の間に、拡散層を有し、前記拡散層が濃度勾配を有することを特徴とする半導体用ボンディングワイヤである。 - 特許庁

In the semiconductor device having an MOS type transistor structure and using the capacity between a gate electrode 13 and source-drain (diffusion layer 14) as a varicap, an impurity layer is formed in a channel region 15 beneath the gate electrode 13 to have a concentration gradient.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ＭＯＳ型トランジスタ構造で、ゲート電極１３とソース・ドレイン（拡散層１４）間の容量をバリキャップとして用いるものにおいて、前記ゲート電極１３下のチャネル領域１５に形成された不純物層が濃度勾配を有するように形成されていることを特徴とするものである。 - 特許庁

In this method of simulating a semiconductor device in which the semiconductor device having a two-or three-dimensional structure is divided into meshes and a physical equation, such as potential equation, carrier transportation equation, etc., is solved in each mesh, a drift current caused by an electric field and a diffusion current caused by a carrier density gradient are handled separately from each other.例文帳に追加

２次元構造または３次元構造の半導体デバイスをメッシュに分割し、各メッシュで電位方程式やキャリア輸送方程式等の物理方程式を解く、半導体デバイスシミュレーション方法において、電界に起因するドリフト電流と、キャリア密度勾配に起因する拡散電流とを、それぞれ別個に取り扱うことを特徴とする。 - 特許庁

This method of estimating permeability of a geological layer by using the nuclear magnetic resonance method is characterized in that the permeability of a geological layer is estimated by measuring the self-diffusion coefficient of pore fluid molecules in the layer with a sensor unit held against the layer, the sensor unit comprising a static magnetic field coil, a gradient magnetic field coil, and a radiofrequency wave coil.例文帳に追加

本発明による核磁気共鳴法を用いた地層の浸透率の推定方法は、静磁場磁石、傾斜磁場コイルおよびラジオ波コイルから構成されるセンサーユニットを地層に押し当てて地層中の間隙流体分子の自己拡散係数を計測することにより、地層の浸透率を推定することを特徴とする。 - 特許庁

In a discharge plasma sintering system, an Fe base material and an Fe-20%Si powder material having sulfuric acid corrosion resistance are held at high temperature under high pressure and are subjected to diffusion joining, thereby producing the structural material in which a gradient composite structure is formed on the joined boundary between the Fe base material and the Fe-Si corrosion resistant material.例文帳に追加

Ｆｅ基材と耐硫酸腐食性を有するＦｅ−２０％Ｓｉ粉末材料を放電プラズマ焼結装置において、高温、高圧下に保持して拡散接合を行うことを特徴とする、Ｆｅ基材とＦｅ−Ｓｉ耐食材との接合界面において傾斜複合組織が形成された構造材料を作製する方法。 - 特許庁

Transparent plastic constituting members (4) are preheated for reducing the temperature gradient between the plastic constituting members during the bonding, which helps to melt the transparent plastic constituting member (4) faster caused by the thermal transfer in bonding to restrict the heat diffusion in the direction to the quality surface in an absorbing plastic constituting members (1).例文帳に追加

接合時のプラスチック構成部材間の温度勾配を減少するために透明プラスチック構成部材（４）が予め加熱され、それにより、接合中の熱伝導によって引き起こされる透明プラスチック構成部材（４）のより迅速な溶解が行われ、吸収プラスチック構成部材（１）内における品質表面の方向への熱拡散が制限されること。 - 特許庁

By restraining rise of positive electrode potential through a fair treatment of relation between the proton diffusion coefficient and the particle diameter of the nickel hydroxide and diminishing of gradient of proton concentration in the particles at charging, oxygen generated by electrolysis of water that is a solvent of electrolyte solution can be restrained, and as a result, charging efficiency is to be kept high even at large current charging under high temperature environment.例文帳に追加

水酸化ニッケルのプロトン拡散係数とその粒子径との関係を適正化し、充電時における粒子内のプロトン濃度の勾配を小さくして正極電位の上昇を抑制することで、電解液の溶媒である水の電気分解によって生じる酸素の発生を抑制でき、その結果、高温環境下の大電流充電においても充電効率が良好なものとなる。 - 特許庁

When the source-drain diffusion layer of an MOSFET is formed, a gate electrode 13 having a sidewall is formed at first and In or As ions are implanted from a direction aligned with the orientation face of a substrate 1 using the gate electrode 13 as a mask thus forming a deep SD region 24 having a channeling tail of small concentration gradient in the depth direction of the substrate.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン拡散層を形成するにあたって、まず側壁を有するゲート電極１３を形成し、これをマスクとし且つ基板１１の配向面と整合した方向からＩｎ又はＡｓイオン注入を行って、基板深さ方向に濃度勾配が小さなチャネリングテールを有するディープＳＤ領域２４を形成し、次いで、Ｂ又はＡｓの通常のイオン注入によってソース・ドレイン領域２５を形成する。 - 特許庁