「gate orientation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a gate system which improves the uniformity of mixing and temperature of rubber and the degree of orientation of fibers contained in the rubber discharged from the gate system.例文帳に追加

ゴムの射出成形工程において、ゴムの混合と温度の均等性と、ゲートシステムから出たゴムに含まれる繊維の配向度を向上するゲートシステムを提供する。 - 特許庁

The trench g2 comprises: a first inclined plane whose plane orientation is (100); and a second inclined plane whose plane orientation crossing with the first inclined plane is (100), at a sidewall part positioned on the gate electrode GE2 side.例文帳に追加

上記溝ｇ２は、ゲート電極側に位置する側壁部において、面方位が（１００）の第１の斜面と、第１の斜面と交差する面方位が（１００）の第２の斜面と、を有する。 - 特許庁

A polycrystal silicon film 17 in which a lower layer region consists of a crystalline particle 17a having a random orientation and an upper layer region consists of a crystalline particle 17b having a pillar orientation is used for a gate electrode 13a.例文帳に追加

下層領域がランダムな配向性をもつ結晶粒１７ａであり、かつ、上層領域が柱状の配向性をもつ結晶粒１７ｂである多結晶シリコン膜１７をゲート電極１３ａに用いる。 - 特許庁

On a TFT substrate 110, gate bus lines, data bus lines, and pixel electrodes are formed together with an orientation film 118 made of polyimide, etc.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１１０には、ゲートバスライン、データバスライン及び画素電極等を形成し、更にポリイミド等により配向膜１１８を形成する。 - 特許庁

A semiconductor layer 1 and a gate insulation film 2 for covering the layer 1 are formed on a substrate 60, a titanium film 34 with crystal structure where the ratio of a crystal orientation (100) plane to a crystal orientation (002) plane is equal to or less than 0.03 is formed on the gate insulation film 2, and further an aluminum film 35 is formed on the titanium film 34.例文帳に追加

基板上６０に、半導体層１、これを覆うゲート絶縁膜２を形成し、ゲート絶縁膜２上に、結晶方位（００２）面に対する結晶方位（１００）面の割合が０．０３以下である結晶構造を有するチタン膜３４を成膜し、更にこのチタン膜３４上にアルミニウム膜３５を成膜する。 - 特許庁

Therefore, the orientation of the patch antenna 10 at the installation position can be adapted to the desired orientation so that data communication can be performed satisfactorily with a communication terminal such as an ETC (electronic toll collection) provided at a gate of a highway.例文帳に追加

このため、パッチアンテナ１０の取付位置での指向方向を、上記所望の指向方向に適合させることができ、高速道路のゲートに設けられたＥＴＣ等の通信端末との間でデータ通信を良好に行うことができる。 - 特許庁

A diode 40 is provided on the semiconductor substrate, and electrically connects a gate terminal 31 and the first main electrode 21 to each other in an orientation so that transmission of a gate signal to the first main electrode 21 is reverse current.例文帳に追加

ダイオード４０は、半導体基板上に設けられており、ゲート信号の第１の主電極２１への伝搬が逆方向電流となるような向きでゲート端子３１および第１の主電極２１の間を互いに電気的に接続している。 - 特許庁

The first and second gate each have a non-uniform shape, and the second gate is oriented with respect to an orientation of the first gate in such a way that an effect of an overlay error on a device parameter of the second transistor has an opposite sign in comparison to an effect of the overlay error on a corresponding device parameter of the first transistor.例文帳に追加

第１および第２のゲートはそれぞれ不同形状を有し、そして、第２のゲートは、第２のトランジスタのデバイスパラメータに対するオーバーレイエラーの影響が、第１のトランジスタのデバイスパラメータに対するオーバーレイエラーの影響に比較して逆の符号を有する形で第１のゲートの向きに対して配向されている。 - 特許庁

To provide a polyester resin composition which can control the whitening of a gate when molded and the orientation crystallization of the molded composition when drawn, and has excellent color tone, transparency, heat stability and heat resistance, and to provide a molded article.例文帳に追加

成形時のゲート白化及び延伸時の配向結晶化を抑制し、色相、透明性、熱安定性、耐熱性に優れるポリエステル樹脂組成物および成形体を提供する。 - 特許庁

To produce a mouth sealing element of high quality solving a problem such as a weldline, the adhesion inferiority of a thin-walled part, the crack or twist of a gate cut surface, resin orientation or the like.例文帳に追加

ウエルドライン、肉薄部の密着不良、ゲート切断面のクラック、ヨリ、樹脂の配向などの問題を解決した高品質の封口体を作り出せる製造方法を提供する。 - 特許庁

A diode 4 is a reverse blocking rectifier diode and is connected in series to an insulated gate bipolar transistor IGBT3 in an orientation such that a forward current flows to the diode 4 when the IGBT3 is turned on.例文帳に追加

ダイオード４は逆阻止用の整流ダイオードであり、ＩＧＢＴ３がオン状態になるとダイオード４に順方向電流が流れる向きで、ＩＧＢＴ３に直列接続されている。 - 特許庁

In this manner, by limiting the film quality of the gate insulation film, the crystal orientation state of the titanium film is controlled, the flat aluminum film 35 with improved crystallizability being preferentially orientated on a crystal orientation (111) face can be formed, and wiring were the generation of hillock has been suppressed can be obtained.例文帳に追加

このようにゲート絶縁膜の膜質を限定することによりチタン膜の結晶配向状態を制御し、結晶方位（１１１）面に優先配向した結晶性の良い平坦なアルミニウム膜３５を成膜できヒロック発生が抑制された配線を得ることができる。 - 特許庁

When using the time division drive method, a data signal side drive circuit 102 and a gate signal side drive circuit 103 are respectively configured by TFTs each having an extremely rapid operation speed and using a semiconductor film having an active layer showing an electron beam diffraction image corresponding to [110] orientation.例文帳に追加

また、時分割駆動方式を用いる際、データ信号側駆動回路１０２及びゲート信号側駆動回路１０３を、特異な結晶構造を有するシリコン膜を用いた極めて動作速度の速いＴＦＴで形成する。 - 特許庁

A gate section is provided at a position that exists on a straight line, that passes through a center point on the end face of the cylindrical bonded magnet and in a direction being perpendicular to the orientation direction of the anisotropic rare-earth-based magnetic powder.例文帳に追加

異方性希土類系磁性粉体と、熱可塑性樹脂とを含む混合物を円筒状のキャビティ内に射出成形して成る筒状射出成形体の断面直径方向に前記異方性希土類系磁性粉体が配向した筒状ボンド磁石である。 - 特許庁

The nitride semiconductor field-effect transistor has at its gate a channel comprising a double heterostructure which has an Al_xGa_1-xN layer, a GaN layer, and an Al_yGa_1-yN layer laminated in order in a +c direction of crystal orientation and is depleted by setting (x) and (y) in a relation of x≥y.例文帳に追加

結晶方位の＋ｃ方向にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層、ＧａＮ層、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層の順に積層されており、ｘ≧ｙにすることにより空乏化しているダブルヘテロ構造からなるチャンネルをゲート部に有することを特徴とする窒化物半導体電界効果トランジスタによって解決される。 - 特許庁

When the source-drain diffusion layer of an MOSFET is formed, a gate electrode 13 having a sidewall is formed at first and In or As ions are implanted from a direction aligned with the orientation face of a substrate 1 using the gate electrode 13 as a mask thus forming a deep SD region 24 having a channeling tail of small concentration gradient in the depth direction of the substrate.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン拡散層を形成するにあたって、まず側壁を有するゲート電極１３を形成し、これをマスクとし且つ基板１１の配向面と整合した方向からＩｎ又はＡｓイオン注入を行って、基板深さ方向に濃度勾配が小さなチャネリングテールを有するディープＳＤ領域２４を形成し、次いで、Ｂ又はＡｓの通常のイオン注入によってソース・ドレイン領域２５を形成する。 - 特許庁

In a trench insulated gate type semiconductor device, a trench surface pattern is provided in which both of the parallel trench parts 9a that are different in the surface spacing of a trench 9 are coupled without crossing with skewed trench parts 9b; and the orientations of the sidewall surfaces of the parallel trench parts 9a are equivalent orientations {100} that are orthogonal to the orientation (100) of a principal surface.例文帳に追加

トレンチ９の表面間隔の異なる平行トレンチ部分９ａ同士は斜行トレンチ部分９ｂによって交差すること無く連結されるトレンチ表面パターンを備え、前記平行トレンチ部分９ａの側壁面の面方位が、前記主面の面方位（１００）と直交する等価な面方位｛１００｝であるトレンチ絶縁ゲート型半導体装置。 - 特許庁

The organic semiconductor thin-film transistor of a bottom gate/bottom contact type comprises a flattening layer 7 formed continuously between a source electrode 5 and a drain electrode 6 for moderating a height-level difference between both electrode ends, wherein the flattening layer 7 has control over crystal orientation, thereby forming an organic semiconductor layer over a predetermined portion of the top of the flattened source electrode, the flattening layer, and the drain electrode.例文帳に追加

ボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機半導体薄膜トランジスタであって、ソース電極５とドレーン電極６との間に、両電極端の段差を平坦化するように連続的に設けられた平坦化層７をさらに備え、平坦化層７は、結晶配向規制力を有し、平坦化されたソース電極、平坦化層、およびドレーン電極の上部の所定部分に渡って有機半導体層が形成される。 - 特許庁