「h ions」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The ion-generating parts 130 generate H^+(H_2O)_m (m is any integer) as positive ions and O_2^-(H_2O)_n (n is any integer) as negative ions.例文帳に追加

イオン発生部１３０は、正イオンとしてＨ^＋（Ｈ_２Ｏ）_ｍ（ｍは任意の整数）と負イオンとしてＯ_２^−（Ｈ_２Ｏ）_ｎ（ｎは任意の整数）とを発生させる。 - 特許庁

Reducing gas deviates, can discharge H^* radicals and H^+ ions, and is selected from tertiary butyl hydrazine, NH_3 and H_2, for example.例文帳に追加

還元性ガスは、乖離してＨ^＊ラジカルや、Ｈ^＋イオンを放出することができるガスであり、例えばターシャリーブチルヒドラジン、ＮＨ_３、Ｈ_２などから選ばれたガスである。 - 特許庁

Since an outlined pair can be estimated as protonated ions (M+H)^+ and deprotonated ions (M-H)^- of the same compound, they are extracted as molecular-related ions and labelled to the peaks of the mass spectra, and the molecular weight of the target compound is estimated to identify the compound.例文帳に追加

概要するペアは同一化合物のプロトン付加イオン（Ｍ＋Ｈ）^+とプロトン脱離イオン（Ｍ−Ｈ）^-であると推定できるから、これらを分子量関連イオンとして抽出し、マススペクトルの該当ピークにラベル表示するとともに、目的化合物の分子量を推定して該化合物の同定を実行する。 - 特許庁

Etching durability of a resist mask 6 patterned by lithography is increased by injecting H^+ ions into the resist mask 6.例文帳に追加

リソグラフィによりパターン形成されたレジストマスク６に、Ｈ^＋ イオンを注入してレジストマスク６の耐エッチング性を高める。 - 特許庁

The frequency of the pulse is the one equal to or below the oscillation frequency of the ions in the plasma P, the pulse cycle T, pulse width (t) and pulse height (h) are controlled at a control part 62 in such a manner that the incidence of the ions is made optimum.例文帳に追加

パルスの周波数はプラズマＰ中のイオンの振動周波数以下であり、パルス周期Ｔ、パルス幅ｔ、パルス高さｈはイオン入射が最適化されるよう制御部６２で制御される。 - 特許庁

Therefore, the H^+ ions can be added in high concentration in a shallow region of the semiconductor wafer as compared with a conventional ion implantation method.例文帳に追加

従って、従来のイオン注入法よりも半導体ウェーハの浅い領域にＨ^＋イオンを高濃度に添加することができる。 - 特許庁

After various ions formed from an analysis target compound A are captured in an ion trap, CID to [M+H]^+ (while the ions dissociated from sialic acid are captured) is executed without performing mass sorting.例文帳に追加

分析対象の化合物Ａから生成された各種イオンをイオントラップ内に捕捉した後に、質量選別を行うことなく（シアル酸が脱離したイオンを捕捉したまま）［Ｍ＋Ｈ］^＋に対するＣＩＤを実行する。 - 特許庁

Surface creeping discharge is generated by applying an AC voltage to the discharge electrode 11 and the opposed electrode 12, then, plus ions H^+(H_2O)n and minus ions O_2^-(H_2O)n can be generated in a large quantity.例文帳に追加

放電電極１１と対向電極１２に交流電圧を印加することにより，沿面放電を生じさせ，プラスイオンＨ^＋（Ｈ_２Ｏ）ｎとマイナスイオンＯ_２^−（Ｈ_２Ｏ）ｎを大量に発生させることができる。 - 特許庁

The air purifier 100 comprises an ion generator that generates positive ions H^+(H_2O)n (wherein n represents any integer including 0) and negative ions O_2^-(H_2O)m (wherein m represents any integer including 0), and has a function of inactivating or destroying viruses in the air by the ions.例文帳に追加

空気清浄機１００は、プラスイオンＨ^＋（Ｈ_２Ｏ）ｎ（ｎは０を含む任意の整数)およびマイナスイオンＯ_２^−（Ｈ_２Ｏ）ｍ（ｍは０を含む任意の整数）を発生するイオン発生装置を備え、イオンにより空気中のウイルスを不活性化もしくは死滅させる機能を有する。 - 特許庁

After H ions and He ions are implanted into a silicon substrate with acceleration energy of 5-40 keV, temperature of the silicon substrate is raised to about 500°C and then O ions are implanted with acceleration energy of 30-180 keV thus forming an ion implantation layer 2.例文帳に追加

シリコン基板にＨイオン又はＨｅイオンを、加速エネルギが５ｋｅＶ以上４０ｋｅＶ未満で注入した後、該シリコン基板を略５００℃に昇温し、それにＯイオンを、加速エネルギが３０ｋｅＶ以上１８０ｋｅＶ以下で注入し、イオン注入層２を形成する。 - 特許庁

In the formula, R_1 to R_3 express H or substituted groups, R_4 expresses an alkyl group or the like, Z_1 expresses a nonmetal atom group needed to form a 5- or 6-membered heterocyclic ring, and M expresses H or salt forming positive ions.例文帳に追加

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_３はＨ又は置換基を表し、Ｒ_４はアルキル基等を、Ｚ_１は５又は６員の複素環を形成するために必要な非金原子団を、ＭはＨ又は塩形成性陽イオンを表す。） - 特許庁

Thus, the respective H^+ ions cannot penetrate deeply.例文帳に追加

高い電圧によって加速されたＨ_３^＋イオンは、半導体ウェーハ表面で分離されて３つのＨ^＋イオンとなり、それぞれのＨ^＋イオンは深く侵入することはできない。 - 特許庁

The two-photon dye for real-time monitoring of intracellular free zinc ions has a structure of formula (1): wherein R is H or OCH_3.例文帳に追加

細胞質内遊離亜鉛イオンのリアルタイムモニタリング用の二光子染料は、式１の構造を有し、・・・（１）前記式で、Ｒは、ＨまたはＯＣＨ_３である。 - 特許庁

Hydrogen ions (H+) are implanted into an Si(111) substrate (ground substrate) 10 in a dose amount of 1×1016/cm2 at nearly ordinary temperature with an energy of 10 keV acceleration voltage.例文帳に追加

Ｓi(111)基板（下地基板）１０に、略常温で水素イオン（Ｈ^+ ）を１×１０^16／cm^2 のドーズ量で、加速電圧１０ｋｅＶのエネルギーで注入する。 - 特許庁

The catalyst for electroless plating comprises an aqueous solution containing at least palladium salt and chloride ions, and the product of the hydrogen ion concentration [H+] and the chloride ion concentration [Cl-] in the aqueous solution is in a range of 10^-13<[H^+]^2-[Cl^-]^4<10^-8.例文帳に追加

少なくともパラジウム塩、塩化物イオンを含む水溶液からなり、且つ、この水溶液中の水素イオンの濃度［Ｈ^＋］と塩化物イオンの濃度［Ｃｌ^−］との積が、１０^−１３＜［Ｈ^＋］^２・［Ｃｌ^−］^４＜１０^−８の範囲にある。 - 特許庁

As H^+ ions can be injected in a large amount into the resist without damaging the resist pattern, the resist mask 6 is modified to have sufficient etching durability.例文帳に追加

Ｈ^＋ イオンは、レジストパターンを損傷することなく多量にレジスト内部に注入できるので、レジストマスク６が十分な耐エッチング性を有するものに改質される。 - 特許庁

The H_3^+ ion accelerated by a high voltage is separated on the semiconductor wafer surface and becomes three H^+ ions.例文帳に追加

第１の半導体ウェーハの表面上に接合層を形成し、イオンドーピング装置によりＨ_３^＋イオンを第１の半導体ウェーハに照射して接合層の下方に分離層を形成する。 - 特許庁

To provide a structural analysis method of PA sugar chain capable of effectively using, for analysis, ions such as [M+H+2]^+ and [M+Na+2]^+ that are not conventionally analyzed.例文帳に追加

従来解析対象とならなかった［Ｍ＋Ｈ＋２］^＋や［Ｍ＋Ｎａ＋２］^＋などのイオンを有効に解析に役立てることができる、ＰＡ化糖鎖の構造解析方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the amount and the energy of unrequired ions made incident from plasma to a substrate surface without reducing the supply amount of H radicals to the substrate surface at the time of manufacturing a silicon film.例文帳に追加

シリコン膜の製膜時において、基板表面へのＨラジカルの供給量を減らさずに、プラズマから基板表面へ入射する不要なイオンの量及びエネルギーを低減する。 - 特許庁

H-MAP particles, which are obtained by heating particles of MAP (magnesium ammonium phosphate hexahydrate) to discharge ammonia and water of crystallization in MPA particles, are brought into contact with waste water containing at least either one of ammonia and ammonium ions to make ammonia and ammonium ions absorbed to the particles to remove and recover them.例文帳に追加

リン酸マグネシウムアンモニウム６水塩：ＭＡＰ粒子を加熱することによってＭＡＰ粒子内のアンモニア及び結晶水を放出させた粒子：Ｈ−ＭＡＰをアンモニア及びアンモニウムイオンの少くともいずれかを含む廃水と接触させ、これを粒子に吸収して除去、回収する。 - 特許庁

A semiconductor film is separated from the semiconductor substrate with use of the embrittlement layer formed in the semiconductor substrate by implanting H^+ ions generated from a hydrogen gas using an ion implanting apparatus into the substrate.例文帳に追加

なお、イオン注入装置により水素ガスから生成される、Ｈ^＋イオンを注入することにより半導体基板に形成する脆化層を用いて、半導体基板から半導体膜を分離する。 - 特許庁

Subsequently, H^+ ions are implanted down to a depth below the interface of the strained SiGe layer 16 and the silicon substrate 10 and a trench 26 reaching the inside of the silicon substrate 10 is made by STI.例文帳に追加

その後、歪ＳｉＧｅ層１６とシリコン基板１０との界面よりも下の深さにまでＨ^＋イオンを注入して、ＳＴＩによって、シリコン基板１０内に達するトレンチ２６を形成する。 - 特許庁

The washing waste liquid is brought into contact with an H-type cation exchange resin 5 not only to remove metal ions eluted by the organic acid but also to convert a metal salt of the organic acid to the organic acid to regenerate the discharged washing liquid.例文帳に追加

洗浄排液をＨ形カチオン交換樹脂５と接触させて、有機酸により溶出した金属イオンを除去して有機酸金属塩を有機酸に変換して排出洗浄液を再生する。 - 特許庁

The steel sheet is subjected to a pickling treatment by using an aqueous mixed acid solution containing chlorine ions of a range of a region enclosed by points A, B, C, D, E, F, G and H shown in Figure of the attached figures in nitric acid as the mixed acids of hydrofluoric acid and nitric acid.例文帳に追加

弗酸及び硝酸の混酸に、硝酸に対して添付図面の図１に示す点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈで囲まれた領域の範囲の塩素イオンを含有する混酸水溶液を用いて酸洗処理を行う。 - 特許庁

A door handle ion discharging part 25 provided with the ionization needle sets 1d, 1d is set such that a discharging direction of ions I may be directed toward a part of a hand H where a skin S of the occupant P is exposed when getting out.例文帳に追加

前記イオン化針セット１ｄ，１ｄが設けられたドアハンドルイオン放出部２５は、イオンＩの放出方向が、前記乗員Ｐの降車時に、乗員Ｐの皮膚Ｓが露出している手Ｈの部分に向かうように、設置されている。 - 特許庁

The impregnated paper has ≤0.02 ppm contents of respective ions of all kinds extracted when carrying out an extraction treatment of 1 g of the impregnated paper with 70 mL of deionized water at 100°C for 1 h based on 1 cm2 of the impregnated paper.例文帳に追加

この含浸紙１ｇから、７０ｍｌの脱イオン水を用い、１００℃で１時間抽出処理したときに抽出される全ての種類の各イオンについて、その含有量は、含浸紙１ｃｍ^２当り、０．０２ｐｐｍ以下である。 - 特許庁

In this cold cathode, because adsorption ability of oxygen and hydrogen generated during light emission is improved and formation of oxide and generation of H ions are suppressed, work function is not elevated and a sputtering phenomenon is suppressed.例文帳に追加

この冷陰極では発光中に発生する酸素及び水素の吸着能が向上し、酸化物の生成及びＨイオンの発生が抑制されため、仕事関数も上昇することなく、スパッタリング現象も抑制される。 - 特許庁

The sterilization for the underwater is performed by generating a cation consisting of H^+(H_2O)m (m is an optional natural number) and an anion consisting of O_2^-(H_2O)n (n is an optional natural number) in the atmosphere, by an ion generating part 31 and introducing both ions into the underwater.例文帳に追加

イオン発生部３１によりＨ^+（Ｈ_2Ｏ）ｍ（ｍは任意の自然数）から成る正イオンとＯ_2^-（Ｈ_2Ｏ）ｎ（ｎは任意の自然数）から成る負イオンとを大気中で発生して両イオンを水中に導くことにより水中の殺菌を行う。 - 特許庁

Next, all ions (arrow Ion-2) generated from a doping gas comprising pure hydrogen are implanted into a low-concentration region (604a) by an energy of about 20 keV to a level within a range of 1×10^14/cm^2 to 1×10^15/cm^2 as a dose level of H^+ ion.例文帳に追加

次に、純水素からなるドーピングガスから発生するすべてのイオン（矢印Ｉｏｎ−２）を低濃度領域（６０４ａ）に対して約２０ｋｅＶのエネルギーでＨ^+イオンのドーズ量として１×１０^14／ｃｍ^2 から１×１０^15／ｃｍ^2までの範囲になるように打ち込む。 - 特許庁

A water absorption wick 20 is provided which comprises a water-absorbing fabric including a fabric containing ≥50 wt.% thermoplastic fiber having an average single yarn fineness of ≤2.0 dtex and a total amount of remaining ions extracted after 24 h soaking in pure water at 85°C of ≤200 μg/g.例文帳に追加

平均単糸繊度２．０ｄｔｅｘ以下の熱可塑性繊維を５０重量％以上含有する布帛からなり、８５℃の純水に２４時間浸漬して抽出される残留イオンの総和量が２００μｇ／ｇ以下に設定されている吸水性布帛を用いた吸水ウイック２０である。 - 特許庁

Deflection electrodes 315 are periodically arranged, an electron beam trajectory 921 is deflected by arranging an electron emission area of the electron emission elements 55 so as not to include a center line G-H between adjacent deflection electrodes, and the positive ions generated are prevented from irradiating on the electron emission area.例文帳に追加

偏向電極３１５を周期的に配置し、隣接する偏向電極間の中心線Ｇ−Ｈを含まないように電子放出素子５５の電子放出領域を配置することで電子ビーム軌道９２１を偏向させ、発生した正イオンの電子放出領域への照射を阻止する。 - 特許庁

The propane adsorbent used for the pretreatment refining apparatus of an air liquefying separation apparatus is provided, the absorbent being zeolite having MFI structure having at least one straight channel, with an Si/Al ratio of 100 or less, and containing at least one kind of ions selected among H, Na, Ca, Zn, Cu.例文帳に追加

空気液化分離装置の前処理精製装置に使用するためのプロパン吸着剤であって、少なくとも１つのストレートチャンネルを持つＭＦＩ構造を有し、Ｓｉ／Ａｌ比が１００以下のゼオライトであり、Ｈ、Ｎａ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｃｕからなる群から選択される少なくとも１つのイオンを含むプロパン吸着剤を選択する。 - 特許庁

In the fuel cell with a system of causing current by ionizing water into electrons and atomic nuclei through a porous ion exchange membrane and effectively collecting the electrons, a larger potential than electromagnetic interaction of an element itself is artificially given by bringing water directly in contact with a cation membrane, and then a, phenomenon attracting hydrogen ions (H+) by the membrane is utilized.例文帳に追加

多孔質のイオン交換膜を介して水を電子と原子核とに電離させ、該電子を効率的に集めて電流を導く方式の燃料電池であり、水を直接カチオン膜に触れさせることで、元素のもつ電磁相互作用より大きな電位を人為的にあたえ、水素イオン（Ｈ＋）を膜が吸引する現象を利用した。 - 特許庁

The nickel powder is obtained by preparing a nickel salt solution containing copper ions, preparing a hydrazine compound solution, adding an organic compound which is composed of N, C, O and H and has an OH group in the moleculen into a nickel salt solution and/or the hydrazine compound solution, then mixing the nickel salt solution and the hydrazine compound solution and subjecting the mixture to oxidation reduction reaction.例文帳に追加

銅イオンを含有するニッケル塩溶液を準備し、ヒドラジン化合物溶液を準備し、ニッケル塩溶液および／またはヒドラジン化合物溶液中に、Ｎ、Ｃ、ＯおよびＨから構成されかつ分子内にＯＨ基を有する有機化合物を添加し、次いで、ニッケル塩溶液とヒドラジン化合物溶液とを混合して、酸化還元反応により、ニッケル粉末を得る。 - 特許庁