「insulation evaluation method」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SEMICONDUCTOR DEVICE FOR EVALUATING TUNNEL INSULATION FILM AND METHOD FOR EVALUATION例文帳に追加

トンネル絶縁膜評価用の半導体装置及び評価方法 - 特許庁

To provide an inspection diagnosis method by establishing an insulation evaluation method for an inverter driving motor.例文帳に追加

インバータ駆動モータの絶縁評価方法を確立して検査診断方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique using a truly-excellent insulation reliability evaluation method.例文帳に追加

真に優れた絶縁信頼度評価法を利用した技術を提供することを目的とする。 - 特許庁

TFT SUBSTRATE, ITS MANUFACTURING METHOD, DISPLAY DEVICE USING IT AND EVALUATION METHOD OF INTERLAYER INSULATION FILM例文帳に追加

ＴＦＴ基板及びその製造方法、これを用いた表示装置、並びに層間絶縁膜の評価方法 - 特許庁

INSULATION EVALUATION METHOD FOR INVERTER-DRIVEN MOTOR, DESIGN METHOD USING THE METHOD, INSPECTION METHOD, DIAGNOSTIC METHOD, AND APPARATUS FOR THESE METHODS例文帳に追加

インバータ駆動モータの絶縁評価方法及びその方法を利用した設計方法、検査方法、診断方法並びにそれらの装置 - 特許庁

SWITCHGEAR, PERFORMANCE EVALUATION METHOD OF INSULATOR IN SWITCHGEAR, AND TEST PIECE FOR MEASURING INSULATION RESISTANCE例文帳に追加

スイッチギヤ、スイッチギヤの絶縁物の性能評価方法、及び絶縁抵抗測定用の試験片 - 特許庁

METHOD FOR EVALUATING INSULATION-GATE TYPE TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING THE INSULATION-GATE-TYPE TRANSISTOR, DEVICE FOR EVALUATING CHARACTERISTIC OF INSULATION-GATE TYPE TRANSISTOR, AND COMPUTER READER WITH CHARACTERISTIC EVALUATION PROGRAM RECORDED THEREIN例文帳に追加

絶縁ゲート型トランジスタの特性評価方法、絶縁ゲート型トランジスタの製造方法、絶縁ゲート型トランジスタの特性評価装置、および特性評価プログラムを記録してあるコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - 特許庁

To provide a circuit and a method for evaluating an insulation film which enable to make a very precise evaluation at a low cost.例文帳に追加

精度の高い評価を低いコストで行うことができる絶縁膜の評価回路及び評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide an evaluation method which enables the simple and rapid evaluation of the insulation reliability of a two-layered flexible substrate easy to produce a microquantity of ion migration in place of a conventional HHBT test method.例文帳に追加

微量のイオンマイグレーションが発生しやすい２層フレキシブル基板の絶縁信頼性について、従来のＨＨＢＴ試験方法に代えて、簡単且つ迅速に実施できる評価方法を提供する。 - 特許庁

METHOD, DEVICE AND PROGRAM FOR CALCULATING SOLAR RADIATION REFLECTANCE OF COATED FILM STRUCTURE, METHOD, DEVICE AND PROGRAM FOR PREDICTING AND CALCULATING CALORIC VALUE, AND QUANTITATIVE EVALUATION METHOD AND COLOR DESIGN METHOD OF THERMAL INSULATION EFFECT例文帳に追加

塗膜構造体の日射反射率計算方法、装置、プログラム、及び、熱量予測計算方法、装置、プログラム、並びに、遮熱効果の定量評価方法、カラーデザイン方法 - 特許庁

To provide a method of carrying out evaluation separately on insulation between a bottom layer coil-a lower yoke and between a top layer coil-an upper yoke of a magnetic head.例文帳に追加

磁気ヘッドの最下層コイル−下部ヨーク間、最上層コイル−上部ヨーク間の絶縁性を各別に評価できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method, device and program for calculating solar radiation reflectance of a coated film structure, a method, device and program for predicting and calculating a caloric value, and a quantitative evaluation method and color design method of the thermal insulation effect.例文帳に追加

塗膜構造体の日射反射率計算方法、装置、プログラム、及び、熱量予測計算方法、装置、プログラム、並びに、遮熱効果の定量評価方法、カラーデザイン方法を提供する。 - 特許庁

The estimation means 4 estimates an insulation resistance value of an insulating material by a T method of multivariate analysis on the basis of a coefficient 12 of an evaluation item precedently set for the insulating material and a measured value 14 of the evaluation item.例文帳に追加

推定手段４は、絶縁材料に対して予め設定されている評価項目の係数１２と、評価項目の実測値１４とに基づいて、多変量解析のＴ法により絶縁材料の絶縁抵抗値を推定する。 - 特許庁

In the evaluation method for the SOI wafer where the semiconductor layer, an insulation layer, and a supporting substrate are formed in sequence, a defect in the semiconductor layer is actualized and evaluated with the laser microscope of a confocal optical system.例文帳に追加

半導体層、絶縁層、支持基板が順次形成されたＳＯＩウエーハの評価方法であって、半導体層に存在する欠陥を顕在化させ、コンフォーカル光学系のレーザ顕微鏡で評価する。 - 特許庁

The plot 1 is obtained as a presumed insulation breakdown voltage value by pulling the estimating data into a formula of the presumed insulation breakdown voltage value which has previously been obtained by a multiple regression analysis method by use of the same evaluation items acquired with respect to used stator winding coils and actually measured data of an insulation breakdown voltage.例文帳に追加

そうしてプロット１は、使用済みの固定子巻線用コイルに対して求められた同一の評価項目および絶縁破壊電圧の実測データを用いて多重回帰分析法によって予め得られている推定絶縁破壊電圧値の算式に、前記予測用データを代入することで、推定絶縁破壊電圧値として得られている。 - 特許庁

To provide an insulation deterioration diagnosis method of an insulating oil in an electric apparatus for achieving a rapid and simple evaluation of the risk of electric characteristic deterioration due to aging of the insulating oil in an oil immersed transformer.例文帳に追加

油入変圧器中の絶縁油の経年劣化による電気的特性低下の危険度を、迅速かつ簡便に評価することを可能にする、電気機器中絶縁油の絶縁劣化診断方法を提供する。 - 特許庁

To provide an evaluation method of a contact load of an insulation displacement terminal capable of finding a contact load capable of ensuring reliability of electrical connection to a core wire even when it comes into contact with the core wire on a surface with a base material exposed.例文帳に追加

母材が露出した面で芯線と接触しても、芯線との電気的な接続の信頼性を確保できる接触荷重を求めることができる圧接端子の接触荷重の評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide an evaluating method for the laser workability of a printed wiring board wherein a time necessary for the evaluation can be shortened, and the distribution of the thicknesses of its insulation film can be so determined in the many portions of the printed wiring board as to make their evaluations possible.例文帳に追加

評価にかかる時間を短くすることができると共に、プリント配線板の多くの部位において絶縁層の厚み等の分布を求めることができて、これらを評価することが可能となるプリント配線板のレーザ加工性評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film evaluation method whereby a film characteristic and a structure of an Si substrate / insulation film interface can be measured by having only to form an insulating thin film such as a gate insulating film so as to feed back the measured result to a film forming condition of the insulating thin film in a short period of time.例文帳に追加

ゲート絶縁膜など絶縁薄膜を形成するのみで、その膜特性やＳｉ基板／絶縁膜界面の構造を測定できるようにし、短期間で絶縁薄膜の成膜条件に対するフィードバックをかけることができるようにする。 - 特許庁

The present invention relates to a film thickness evaluation method for measuring the distribution of film thickness of an insulation thin film by using an atomic force microscope which applies a variable DC voltage between a sample and a probe held by a cantilever.例文帳に追加

試料と、カンチレバーに保持された探針との間に可変直流電圧を印加する原子間力顕微鏡を用いて、絶縁性薄膜の膜厚分布を測定する膜厚評価方法で、試料の測定領域に電圧を変化させて印加するとともに、発生電流および絶縁破壊電圧を測定し、前記測定領域のうち任意の１点の膜厚を基準値として、各測定点の絶縁破壊電圧および（１）式の関係に基づいて、前記測定領域内の相対膜厚の分布を求めることとする。 - 特許庁