「inversion current」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A clock information track 13 for generating a clock signal is disposed on the patterned medium 34 and the signal formed by reproducing the clock information track 13 by using a clock reproduction head is used as a standard of a recording current inversion timing.例文帳に追加

パターン媒体３４上にクロック信号を発生するためのクロック情報トラック１３を配置し、これをクロック再生ヘッドで再生した信号を記録電流反転タイミングの基準として用いる。 - 特許庁

The present invention provides the high-speed nonvolatile optical memory element utilizing inversion in magnetization by a current injected in the free layer through irradiation with optical pulses of circular or elliptic polarized light.例文帳に追加

又本発明は、円偏光または楕円偏光の光パルスを照射することにより、自由層に注入された電流が磁化を反転させることを利用した高速メモリ素子を提供する。 - 特許庁

A control section 25 controls the reset transistor 5 and a switching portion 12, to control the input-side potential of an inversion amplifier, constituted of the amplifying transistor 3 and a constant-current load transistor 4.例文帳に追加

制御部２５により、リセットトランジスタ５と切り替え部１２を制御することによって、増幅トランジスタ３と定電流負荷トランジスタ４で構成された反転増幅器の入力側電位を制御する。 - 特許庁

The control circuit 11 sets the value of the proper lamp current, to obtain rated power during a period, before and after inversion of the proper lamp current, when lighting the high-pressure discharge lamp by power lower than the rated power, and sets the value to obtain power lower than the rated power during other periods.例文帳に追加

制御回路１１は、定格電力よりも低い電力で高圧放電灯を点灯させる場合には、適正ランプ電流の極性反転の前後の期間を、定格電力が得られる値に設定し、他の期間を定格電力よりも小さい電力が得られる値に設定する。 - 特許庁

A correlation is set between the frequency of a high frequency current flowing through a second write conductor line 7 and its current value so as to prevent inversion of magnetized states of one or more magnetic storage cells 1 arranged corresponding to one or more intersections where no DC current Iw flows through the first write conductor line 6 while a high-frequency current Ia flows through the second write conductor line 7.例文帳に追加

そして第１の書き込み導体線６に直流電流Ｉｗが流れておらず且つ第２の書き込み導体線７に高周波電流Ｉａが流れている１以上の交差点に対応して配置された１以上の磁気記憶セル１の磁化状態を反転させることがないように、第２の書き込み導体線７に流される高周波電流の周波数とその電流値に相関関係を持たせる。 - 特許庁

In a case where rotating speed Nm of a motor 14 for driving an auxiliary machine is higher than prescribed rotating speed N1, inversion phase current is inputted to the motor 14, and rotating operation of the motor 14 is braked.例文帳に追加

補機駆動用モータ１４の回転数Ｎｍが所定回転数Ｎ１よりも高い場合には、補機駆動用モータ１４に対して反転位相電流が入力され補機駆動用モータ１４の回転動作が制動される。 - 特許庁

Without employing a resistor having a high resistance value, a constant current IREF of a constant curent circuit is reduced by an on resistance having a high resistance value of an NMOS transistor 13 operated in an unsaturated region of a strong inversion region.例文帳に追加

高い抵抗値の抵抗によらず、強反転領域の非飽和領域で動作するＮＭＯＳトランジスタ１３の高い抵抗値のオン抵抗により、定電流回路の定電流ＩＲＥＦが少なくなる。 - 特許庁

Consequently, a current flowing through a channel can flow not only a part located between the p-type deep layers 10 out of an n^--type drift layer, but also flow through the inversion layer formed in the low concentration region 10b.例文帳に追加

これにより、チャネルを通じて流れる電流がｎ^-型ドリフト層２のうちｐ型ディープ層１０の間に位置する部分だけでなく、低濃度領域１０ｂに形成された反転層を通じても流れるようにできる。 - 特許庁

To provide an electrooptical display device capable of reducing current consumption even when the number of signal wires is an odd number, and applying a dot inversion driving method in which a display image quality of the side end is not lowered.例文帳に追加

信号線の数が奇数の場合であっても消費電流を低減させることができると共に、側端部の表示画質が低下しないドット反転駆動法を適用した電気光学表示装置を提供すること。 - 特許庁

The current cutoff valve 21 is an inversion valve, maintains the convex shape until internal pressure in the secondary battery reaches predetermined cutoff pressure, and is inverted to be disconnected from the collector 8 when the internal pressure exceeds the cutoff pressure.例文帳に追加

電流遮断弁２１は、反転弁であり、二次電池の内圧が所定の遮断圧に達するまでは凸形状を維持し、内圧が遮断圧を越えると反転して集電体８との接続が切り離される。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device with a data latch circuit, which has robustness and does not produce incorrect inversion of holding data even in promoting refinement, and which can perform data transfer with a sense amplifier circuit under low current consumption.例文帳に追加

微細化を進めても保持データの誤反転を生じないロバスト性を有し、センスアンプ回路とのデータ転送を低消費電流の下で行えるデータラッチ回路を備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To realize a semiconductor device having a highly-reliable capacitor structure with a thin capacitor film, by ensuring a large polarization inversion amount while suppressing an increase of a leakage current even when the capacitor film is thinned.例文帳に追加

キャパシタ膜の薄膜化を図るも、リーク電流の増加を抑止しつつ大きな分極反転量を確保し、薄いキャパシタ膜を有する信頼性の高いキャパシタ構造を備えた半導体装置を実現する。 - 特許庁

A base current Ib during non-modulation period of a tone signal is generated by applying the inversion pulse signal of the tone signal during optical communication to the emitter of a transistor Q3 thereby turning the transistor Q3 on.例文帳に追加

トランジスタＱ３のエミッタに、光通信時のトーン信号に対する反転パルス信号を印加し、トランジスタＱ３をオン動作にすることにより、トーン信号の無変調期間のベース電流Ｉｂを生成する。 - 特許庁

A circuit 24 that attains a direct current-like balance may comprise a register 31 of 4 bits, level number difference calculation circuit 27, condition determination circuit 28, bit inversion circuit 29 and adder circuit 30.例文帳に追加

出力信号の直流的なバランスをとる回路２４は、４ｂｉｔのレジスタ３１とレベル数差計算回路２７と条件判定回路２８とビット反転回路２９と加算回路３０とから構成されていてもよい。 - 特許庁

To obtain an MTJ nanopillar structure that meets the requirements for designing a 64 Mb STT-RAM having a thermal stability, a writing voltage, a read-out voltage and a coercivity Hc, while reducing a critical inversion current density J_CO to the minimum.例文帳に追加

臨界反転電流密度Ｊ_COを最小限に抑えつつ、熱安定性、書き込み電圧、読み出し電圧、および保磁力Ｈｃが６４ＭｂのＳＴＴ-ＲＡＭの設計要求を満たすＭＴＪナノピラー構造を得る。 - 特許庁

An adhesive 7 having a glass transition temperature higher than the temperature at which the solid-state imaging apparatus 1 reaches in operation is used, thereby preventing polarization of the adhesive 7 and inversion of a p-well layer 11 to prevent the leak current.例文帳に追加

固体撮像装置１の動作時に達する温度よりも高いガラス転移温度を有する接着剤７を使用することにより、接着剤７が分極せず、ｐウェル層１１の反転を防ぎ、リーク電流の発生を防止する。 - 特許庁

To provide an offset adjusting circuit along with an optical disk signal processing circuit, which supplies a current corresponding to an offset voltage to an inversion input terminal, for the purpose of making the offset voltage generated at the output terminal of a differential amplifying circuit to be zero.例文帳に追加

差動増幅回路の出力端子に発生するオフセット電圧をゼロとするべく、当該オフセット電圧に応じた電流を反転入力端子に供給するオフセット調整回路、光ディスク信号処理回路を提供する。 - 特許庁

The pixel bias current source limits an output voltage of the pixel when an incidence of a very strong light occurs on one pixel and more, and is provided with a feature of a voltage limiter to prevent an inversion video noise from being output.例文帳に追加

この画素バイアス電流源は、非常に強い光が１つ以上の画素上に入射した際に、画素の出力電圧を制限して、反転ビデオノイズが出力されるのを防止する電圧リミッタの特徴も具えている - 特許庁

The inverted data and data inversion signal 13 are outputted to the outside to reduce momentarily large current consumption and noise due to source voltage variation due to data switching at the time of data output.例文帳に追加

この反転データとデータ反転信号１３とを外部へ出力することにより、データ出力時におけるデータ切り替わりにより生ずる瞬間的な消費電流の軽減と、電源電圧変動によるノイズ軽減とを図ることができる。 - 特許庁

A dynamic eddy current magnetic field distribution generated by high-speed inversion of a read-out gradient magnetic field of EPI is preliminarily measured as a time function, and after correcting the real measured signal using the preliminarily measured distribution data, it is reconstructed.例文帳に追加

ＥＰＩのリードアウト傾斜磁場の高速反転によって生じる動的な渦電流磁場分布を時間の関数として予備計測し、予備計測した分布データを用いて本計測信号を補正後、再構成を行う。 - 特許庁

The current source load 4 is composed of PMOS transistors QP1, QP2 provided between the pair of bit lines BL, bBL and a power terminal VCC, and an inverter 14 controlling them by an inversion potential of the pair of bit lines BL, bBL.例文帳に追加

電流源負荷４は、ビット線ＢＬ，ｂＢＬと電源端子ＶCCの間に設けられたＰＭＯＳトランジスタＱＰ１，ＱＰ２と、これらをビット線ＢＬ，ｂＢＬの反転電位により制御するインバータＩ４により構成した。 - 特許庁

Accordingly, the supply time of a readout time is shortened from the point of view of suppression of occurrence of readout disturbance so as to increase the threshold value of a current at which the magnetization inversion occurs, thereby securing a sufficient readout disturbance margin.例文帳に追加

そのため、読出しディスターブの発生を抑制する観点からは、読出し電流の供給時間を短くすることにより、磁化反転が生じる電流のしきい値を高めて、読出しディスターブマージンを十分に確保できる。 - 特許庁

Thus, in such spin valve head 36, the large resistance variation is realized in accordance with the inversion of the magnetizing direction established in a ferromagnetic layer 56 at the free side, similarly in the case the passing cross sectional surface of the current is reduced.例文帳に追加

その結果、こういったスピンバルブヘッド３６では、電流の通過断面が縮小される際と同様に、自由側強磁性層５６で確立される磁化方向の反転に応じて大きな抵抗変化量が実現されることができる。 - 特許庁

When it is decided that a rotor of the motor 4 is in the mechanically restrained locked state, a direction of field current Ifm of the motor 4 is inverted at a prescribed period and an on/off state of switching elements 9a in respective phases of the invertor 9 is switched in synchronizing with inversion of field current Ifm.例文帳に追加

モータ４のロータが機械的に拘束されたロック状態であると判定すると、一定周期でモータ４の界磁電流Ｉｆｍの向きを反転させると共に、その界磁電流Ｉｆｍの反転に同期をとって、インバータ９の各相における上下アームのスイッチング素子９ａのオン−オフ状態を切り替える。 - 特許庁

Emitter currents are determined at relatively low potentials by a transistor 65; and when the difference of values of currents flowing to transistors 63 and 64 are generated, a current, corresponding to the portion of the change is supplied to the inversion input terminal of an operational amplifier 30.例文帳に追加

そして、トランジスタ６５によって、エミッタ電位は比較的低い電位に確定され、トランジスタ６３，６４を流れる電流の値の差異が生じた際にその変化分に対応する電流がオペアンプ３０の逆相入力端子に供給される。 - 特許庁

To prevent a low voltage Zener diode from deteriorating in ESD strength due to reduction in impurity concentration of the outermost surface (with a depth of about 0 to 1 μm) of a guard ring, a leakage current from increasing due to the formation of an inversion layer, and the Zener diode from deteriorating in product characteristics, such as Zener breakdown voltage.例文帳に追加

ガードリング最表面部（深さ約０〜１μｍ）の不純物濃度低下によるＥＳＤ耐量の低下、および反転層の形成によるリーク電流の増加、ツェナー降伏電圧の低下等製品特性の劣化を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device capable of remarkably improving a read current of a nonvolatile memory using a nonconductive charge trap film as a charge storage region, and eliminating a read failure of data inversion due to read disturbance.例文帳に追加

非導電性の電荷トラップ膜を電荷蓄積領域として用いる不揮発性メモリの読み出し電流を大幅に向上させることができ、また、読み出しディスターブによるデータ反転の読み出し不良を撲滅できる半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device isolation structure that prevents a leak current due to inversion arising along the side wall of a device isolation film in an ultra-highly integrated device, and reduces a device RC delay owing to small capacitance in a trench.例文帳に追加

本発明の目的は、超高集積素子で素子分離膜の側壁に沿って生じる反転によるリーク電流発生を抑制し、トレンチ内部にキャパシタンスが小さくして素子のＲＣ遅延を減少させた半導体素子の素子分離構造を提供すること。 - 特許庁

The data inversion processing section 1300 judges the continuity of the plurality of data read from the memory cell array 1100 over the plurality of cycles, and inverts and outputs data read from the memory cell array at, for example, a current cycle when there is no continuity.例文帳に追加

このデータ反転処理部（１３００）は、メモリセルアレイ（１１００）から複数のサイクルにわたって読み出された複数のデータの連続性を判定し、連続性がない場合には、例えば現在のサイクルでメモリセルアレイから読み出されたデータを反転して出力する。 - 特許庁

When a retrieval command for increasing the variation of power supply current is issued, the retrieval engine circuit controls the power supply voltage of the CAM to compensate variation in the circuit delay of a logical circuit in the CAM and the inversion of a logical value in the CAM.例文帳に追加

また、電源電流変動量が大きくなるような検索コマンドの発行が行われた場合、検索エンジン回路がＣＡＭの電源電圧を制御し、ＣＡＭ内部論理回路の回路ディレイの変動や、ＣＡＭ内部の論理値の反転を補償する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate with a trench-embedded element isolation region, capable of suppressing a leakage current due to crystal defects in the device of a low-drive voltage and securing the field inversion withstand voltage of the device of a high-drive voltage.例文帳に追加

駆動電圧の低いデバイスでの結晶欠陥によるリーク電流を抑え、かつ、駆動電圧の高いデバイスのフィールド反転耐圧を確保することのできるトレンチ埋め込み素子分離領域を有する半導体基板、半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The Gd-Fe alloy having a large magnetooptical effect contains a large amount of Fe, which can reduce an inversion current while holding stability of the magnetization direction and enables further improvement of the optical modulation degree by thickening a film of the magnetization free layer 13.例文帳に追加

磁気光学効果の大きいＧｄＦｅ合金においてＦｅを多く含有することで、磁化方向の安定性を保持しつつ反転電流を低減することができ、磁化自由層１３の厚膜化による光変調度のさらなる拡大を可能とする。 - 特許庁

To provide a lighting device for a high-pressure discharge lamp which can control the number of polarity inversion of lamp lighting current, that is, lighting frequency within an appropriate range even in a light source device which performs control that rotational frequency of a color wheel is automatically changed.例文帳に追加

カラーホイールの回転周波数が自動的に変化する制御を行う光源装置の場合でも、ランプ点灯電流の極性反転数、即ち、点灯周波数を適切な範囲に制御することが可能な高圧放電灯点灯装置を提供する。 - 特許庁

The inversion voltage of the second nMOSFET is decided by impurity concentration of the substrate area 1a and the pocket area 9, so, by utilizing the low-concentration substrate area 1a as a channel area, a depletion layer capacity becomes less, resulting in improved sub-threshold characteristics and a reduced leak current.例文帳に追加

第２ｎＭＯＳＦＥＴの反転電圧は、基板領域１ａとポケット領域９の不純物濃度によって定まるので、低濃度の基板領域１ａをチャネル領域として利用することで、空乏層容量が小さくなり、サブスレッショルド特性を改善し、リーク電流を低減できる。 - 特許庁

To provide a lighting device for lighting a high pressure discharge lamp DL by a polarity inversion-type step-down chopper circuit of a full bridge configuration, wherein a large current flowing in an inductor L2 of the step-down chopper circuit 4 can be controlled, even when a high pressure discharge lamp DL of an unstable discharge is connected.例文帳に追加

フルブリッジ構成の極性反転型降圧チョッパ回路により高圧放電灯ＤＬを点灯させる点灯装置において、放電が不安定な高圧放電灯ＤＬが接続された場合でも、降圧チョッパ回路４のインダクタＬ２に流れる大電流を抑制可能とする。 - 特許庁

A data write-in circuit 51 sets the other end of the bit line BL of the selection column and the other end of the current feedback wiring RL to power source voltage Vcc and ground voltage GND respectively in accordance with a level of write-in data DIN through data buses DBo, DBe and an inversion data bus/WDB.例文帳に追加

データ書込回路５１はデータバスＤＢｏ，ＤＢｅおよび反転データバス／ＷＤＢを介して、選択列のビット線ＢＬの他端および電流帰還配線ＲＬの他端を、書込データＤＩＮのレベルに応じて、電源電圧Ｖｃｃおよび接地電圧ＧＮＤの一方ずつに設定する。 - 特許庁

To provide a light-emitting device having a function which restores a part having reduced impedance by temporarily applying a reverse voltage to a lamp having low voltage abnormality through a forward/backward inversion circuit to make a current flow therethrough, and also repairs such a lamp into a normal condition even if the low voltage abnormality occurs.例文帳に追加

順逆反転回路によって一時的に低電圧異常のランプに逆電圧を印加し、電流を流すことによってインピーダンスを低下した部分を修復し、低電圧異常が発生しても正常に修復する機能を有する発光装置を提供する。 - 特許庁

A size relation of current flowing in a MOS transistor QN1 of a discrimination object, which constitutes the drive inverter DI or the feedback inverter FI, with respect to current flowing in the current source I1 is discriminated based on presence or absence of inversion of a data value held in the latch node a1.例文帳に追加

データ保持回路は、ドライブインバータＤＩとフィードバックインバータＦＩの巡回的接続からなるラッチ回路と、ラッチ回路の少なくとも１つのラッチノードａ１に接続された電流源Ｉ１とを備え、ドライブインバータＤＩまたはフィードバックインバータＦＩを構成している判別対象ＭＯＳトランジスタＱＮ１に流れる電流の電流源Ｉ１に流れる電流に対する大小関係を、ラッチノードａ１に保持されているデータ値の反転の有無に基づいて判別するように構成されている。 - 特許庁

To suppress inversion of an amplifier when switches, which are connected to a pair of first and second data lines, and of which conduction and non-conduction are commonly controlled in response to a control signal supplied commonly to a gate terminal, are conducted even when the voltages of the pair of the second data lines are high by reducing the on-state current of the switch.例文帳に追加

第１及び第２のデータ線対間に接続され、ゲート端子に共通に供給される制御信号に応答して導通、非導通が共通に制御されるスイッチのオン電流を絞り込むことで、第２のデータ線対の電圧が高い場合でもスイッチ導通時におけるアンプの反転を抑制する。 - 特許庁

Since positive holes generated in a manufacturing process are dispersed and captured on two interfaces of the three-layer light transparent film, electric field strength in the vicinity of a surface of the p-type semiconductor layer 102 is made smaller than the conventional case, generation of inversion of conductivity type is made little, and the leakage current between the light receiving part can be reduced.例文帳に追加

この３層の光透過性膜の２つの界面に、製造工程で生じた正孔が分散して捕獲されるので、Ｐ型半導体層１０２の表面付近における電界強度が従来より小さくなり、導電型の反転が少なくなって、受光部間のリーク電流が少なくできる。 - 特許庁

Related to the voltage or current control differential ring oscillation circuit, a delay differential inversion amplifier circuit of each stage constituting the oscillation circuit are alternately provided, in two rows respectively, on a semiconductor substrate, so that they do not adjoin each other on the semiconductor substrate while adjoining each other on the circuit.例文帳に追加

本発明の電圧または電流制御差動リング発振回路は、発振回路を構成する各段の遅延差動反転増幅回路を回路上では隣合う各段が半導体基板上では隣合わなくなるように、それぞれを２列に互い違いに半導体基板上に配置することを特徴とする。 - 特許庁

In a driving-signal generation circuit 24 that receives a PWM control signal and outputs a PWM driving signal, when a voltage Vb changes from H to L, a charging current flows into a capacitor 30 from a power-supply line 27 through a transistor TP2 and a resistor 29, so that the rising gradient of a voltage Vc decreases and inversion timing to H is delayed.例文帳に追加

ＰＷＭ制御信号を入力してＰＷＭ駆動信号を出力する駆動信号生成回路２４において、電圧ＶｂがＨからＬに変化した時、電源線２７からトランジスタＴＰ２と抵抗２９を通してコンデンサ３０に充電電流が流れるので、電圧Ｖｃの立ち上がる傾きが減少してＨへの反転タイミングが遅れる。 - 特許庁

A high reliability npn transistor insusceptible to the effect of charges on an LOCOS oxide film 9 or to the effect of a voltage being applied to an interconnect line on the LOCOS oxide film 9 and having a low leak current with no variation can be fabricated by forming an anti-inversion region B on the surface layer of the p base region 6 of the npn transistor.例文帳に追加

ｎｐｎトランジスタのｐベース領域６の表面層に反転防止領域Ｂを形成することで、ＬＯＣＯＳ酸化膜９上の電荷の影響や、ＬＯＣＯＳ酸化膜９上の配線に印加される電圧の影響を受けない、リーク電流の少なく、変動がない高い信頼性のｎｐｎトランジスタを形成することができる。 - 特許庁

The noise reduction circuit is configured such that a delay circuit is inserted to each bit of each semiconductor to individually shift an inversion timing of output data so as to deviate a peak timing of the transient current momentarily flowing through the output IO buffer thereby reducing a noise due to a sudden change in a power supply voltage and a GND voltage in the inside of each semiconductor.例文帳に追加

半導体の出力の各ビット毎に遅延回路を挿入して出力データの反転のタイミングを個々にずらし、出力ＩＯバッファで瞬間的に流れる過渡電流のピークタイミングをずらすことにより、半導体内部の電源電圧およびＧＮＤ電圧の急変によるノイズを低減させるように構成する。 - 特許庁

An inverter circuit for inverting a sense amplifier activation signal or the inversion signal thereof and applying the inverted signal to the substrate of each transistor for precharge is provided, an nMOSFET source terminal of each inverter circuit is connected to an output node of the latch circuit, and reuses substrate leak current caused to flow to the output node from the substrate of each transistor for precharge through an nMOSFET during precharging.例文帳に追加

センスアンプ活性化信号又はその反転信号を反転して各プリチャージ用トランジスタの基板に印加するインバータ回路を備え、各インバータ回路のｎＭＯＳＦＥＴのソース端子はラッチ回路の出力ノードに接続され、プリチャージ時に各プリチャージ用トランジスタの基板からｎＭＯＳＦＥＴを介して出力ノードに流れる基板リーク電流を再利用する。 - 特許庁