| 例文 (59件) |
inactive regionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 59件
An inactive region which exists under the surface channel of the conventional horizontal MOSFET is eliminated to reduce the on-state resistance, by forming an internal channel on the side face of a trench 106 formed from the surface of an SOI layer.例文帳に追加
ＳＯＩ層の表面から形成した溝１０６の側面に内部チャネルを形成することにより、従来の横型ＭＯＳＦＥＴの表面チャネルの下方に存在する不活性領域をなくし、オン抵抗の低減化を図る。 - 特許庁
To provide a method of forming an isolation film of a semiconductor device wherein threshold voltage characteristics of cells can be improved by prohibiting the moat phenomenon that can be generated at the interface between an inactive region and an active region, and wherein the reliability of the resulting semiconductor devices can be improved through secured characteristics of a stabilized transistor by improving threshold voltage characteristics of cells.例文帳に追加
非活性領域と活性領域間の界面に発生するおそれのあるモウト現象を改善してセルのしきい値電圧特性を向上させ、これにより安定したトランジスタの特性を確保して半導体素子の信頼性を増大させる半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁
A thermal spacer, in other words a electrical inactive region 40 divides at least one unit cell into a first active portion and a second active portion 50, and the second active portion is separated from the first active portion by the thermal spacer.例文帳に追加
熱スペーサ（すなわち、電気的に不活性な領域）４０が、これらのユニットセルのうち少なくとも１つを第１の活性部分及び第２の活性部分５０に分割し、第２の活性部分は、この熱スペーサにより第１の部分から離隔される。 - 特許庁
The jointing material layer 10 is made of an adhesive, formed over the entire joint surfaces 151 between piezoelectric units 15 and has a separation portion 100 which separates, when the stacked piezoelectric element is driven, at at least part of a piezoelectric inactive region 192 of the jointing material layer 10.例文帳に追加
接合材層１０は、圧電ユニット１５同士の接合面１５１の全面に形成された接着剤からなり、接合材層１０の圧電不活性領域１９２の少なくとも一部には、積層型圧電素子の駆動時に離間する離間部１００を有する。 - 特許庁
To provide a piezoelectric transformer, or a laminated type piezoelectric transformer utilizing resonance in lengthwise direction, where an inactive region of a piezoelectric ceramics plate constituting the piezoelectric transformer which is not supplied with an internal electrode is normalized to improve yield, with less temperature rise, size, and loss.例文帳に追加
長さ方向の共振を利用した積層型圧電トランスにおいて、圧電トランスを構成する圧電セラミック板の内部電極が施されていない不活性な領域を適正化することにより歩留まりを向上し、温度上昇が少なく、小型化でき、ロスの少ない圧電トランスを提供する。 - 特許庁
In the process, a pixel variable of observed pixels is approximated by a calculation from a variable assigned to its adjacent pixels, and an estimated image is acquired by adjusting a range of an adjacent region representing the adjacent pixels and deviating correcting actions on active pixels and inactive pixels.例文帳に追加
この過程で、注目画素の画素変数をその近傍画素に割り当てられた変数からの演算で近似し、更に近傍画素を代表する近傍領域の範囲を調整することによって、活性画素と非活性画素に対する補正作用に偏りを持たせて推定画像を得るようにする。 - 特許庁
The module package which is filled with a permselective hollow fiber membrane bundle including the inactive gas-saturated water of 5 mass% or more to the own weight of the hollow fiber membrane is exposed to the radiation and the generation of hydrogen peroxide is suppressed to be 10 ppm as the maximum in every region of the hollow fiber membrane bundle.例文帳に追加
不活性ガス飽和水を中空糸膜の自重に対して５質量％以上含む選択透過性中空糸膜束を充填したモジュール包装体に、放射線を照射し、該中空糸膜束のすべて部位での過酸化水素の発生を最大１０ｐｐｍ以下に抑える。 - 特許庁
The driving circuit receives input of an inactive state signal generated when the image information is a still image, generates only a plurality of scan signals corresponding to light emitting region in which the still image is displayed and a plurality of data signals, and transfers the generated scan and data lines to a plurality of corresponding data lines and a plurality of corresponding scan lines.例文帳に追加
駆動回路は、映像情報が停止映像であれば発生する不活性状態信号の入力を受け、停止映像が表示される発光領域に対応する複数の走査信号及び複数のデータ信号だけを生成して、対応する複数のデータ線及び複数の走査線に伝達する。 - 特許庁
The integrated circuit device comprises a first conductivity type semiconductor layer, a plurality of semiconductor columnar parts extending outward from the semiconductor layer while defining a trench therebetween, gate structures in respective trenches, and at least one second conductivity type deep well region located beneath the bottom part of at least one trench defining at least one inactive gate structure therein and extending into the semiconductor layer between a pair of adjacent corresponding semiconductor columnar parts.例文帳に追加
集積回路装置は、第１導電型の半導体層と、この半導体層から外方に延在し、複数の互いに離間した半導体柱状部であって、これら半導体柱状部間にトレンチを規定している当該半導体柱状部と、各トレンチ内のそれぞれのゲート構造体と、少なくとも１つのトレンチの内部に少なくとも１つの不活性ゲート構造体を規定している当該少なくとも１つトレンチの底部の下側で且つ一対の隣接する対応の半導体柱状部間で前記半導体層内に延在するように位置する第２導電型の少なくとも１つの深い井戸領域とを具える。 - 特許庁
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