「inactive region」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The inactive region, which is provided around the active region, includes a position to be cut by dicing.例文帳に追加

無効領域は、有効領域の周りに設けられ、ダイシングにより切断される位置を含んでいる。 - 特許庁

A dummy wiring line 11 is formed on an inactive region 3 between wiring lines 10.例文帳に追加

配線１０間の不活性領域３上にダミー配線１１を形成する。 - 特許庁

The charge-collecting area (29) includes an active region (32) of a second diffusion type and an inactive region (33).例文帳に追加

電荷収集域（２９）は、第二の拡散形式の作用領域（３２）と、非作用領域（３３）とを含んでいる。 - 特許庁

An isolation region which does not exceed a prescribed width is ensured between the dummy pattern 20 and the active region 12 surrounding the inactive region.例文帳に追加

その非活性領域を取り巻く活性領域１２とダミーパターン２０との間には、所定幅を超えない分離領域を確保する。 - 特許庁

The bit line patterns 69 are positioned on the inactive region 6, and electrically connected to the active region 9 through a predetermined region.例文帳に追加

ビットラインパターン６９は不活性領域６上に位置して所定領域を介して活性領域９と電気的に接続する。 - 特許庁

Gate patterns 34 and the bit line patterns 69 are sequentially formed on the active region 9 and the inactive region 6.例文帳に追加

活性領域９及び不活性領域上６にゲートパターン３４及びビットラインパターン６９が順に形成される。 - 特許庁

Impurity concentration of a region located under the gate electrode 25 in the inactive layer 17B is lower than that of a region other than a region located under the gate electrode 25 in the inactive layer 17A.例文帳に追加

不活性層１７Ｂにおけるゲート電極２５の下部に位置する領域の不純物濃度は、不活性層１７Ａにおけるゲート電極２５の下部に位置する領域以外の領域の不純物濃度よりも低い。 - 特許庁

An annular dummy pattern 20 is provided to enclose the isolation region 10 in an inactive region which exceeds a prescribed size.例文帳に追加

所定の大きさを超える非活性領域の中には、分離領域１０を取り囲むように環状のダミーパターン２０を設ける。 - 特許庁

In an IE-type trench IGBT, each linear unit cell region configuring a cell region mainly comprises a linear active cell region and a linear inactive cell region.例文帳に追加

しかし、ＩＥ型トレンチＩＧＢＴにおける伝導度変調の更なる促進およびデバイスの簡略化をしようとして、インアクティブセルの幅を広げると、急速に耐圧が低下してしまう。 - 特許庁

A film depositable gas feed port 24A in a film depositable gas feed tube 24 is arranged so as to be located in a reaction inactive region 48, and a film depositable gas is fed to the reaction inactive region 48.例文帳に追加

成膜性ガス供給管２４の成膜性ガス供給口２４Ａを反応不活性領域４８に位置するように配置し、反応不活性領域４８に成膜性ガスを供給する。 - 特許庁

The inactive region contains an impurity layer 60, a first semiconductor layer 51, and a second groove part T2.例文帳に追加

この無効領域は、不純物層６０と、第１半導体層５１と、第２溝部Ｔ２とを含んでいる。 - 特許庁

Thereby, the connection hole and its peripheral region, which are an inactive region conventionally, can be utilized as a power generation region, and the output can be improved.例文帳に追加

これにより、従来不活性領域となっていた接続孔及びその周辺領域を発電領域として活用できるようになり、出力向上を達成できる。 - 特許庁

PRESSURE COOLANT FOR PUNCHING PLATE FOR FUEL CELL HAVING NO DIFFUSION MEDIUM IN INACTIVE SUPPLY REGION例文帳に追加

不活性供給領域に拡散媒体を持たない燃料電池用打ち抜きプレートのための加圧冷却剤 - 特許庁

The separation portion 100 is formed by breaking the jointing material layer 10 at at least part of the piezoelectric inactive region 192.例文帳に追加

離間部１００は、接合材層１０が圧電不活性領域１９２の少なくとも一部で破断してなる。 - 特許庁

Thanks to the region 11, re-coupling of a charge carrier reduces, preventing formation of an inactive layer.例文帳に追加

離間した領域１１によって、電荷担体の再結合が減少し不活性層の形成が防止される。 - 特許庁

In particular, the support substrate directly under an active region 12 is defined as the metal part formed by plating and a region other than the active region, namely, the support substrate directly under an inactive region 14 is defined as the semiconductor part 22.例文帳に追加

特に、動作領域１２の直下の支持基板をめっきにより形成された金属部とし、動作領域以外の領域、すなわち非動作領域１４の直下の支持基板の領域が半導体部２２とする。 - 特許庁

The film depositable gas moves from the reaction inactive region 48 toward the reaction active region 44 in this way, the uniformization in the density of the film depositable gas is promoted in the reaction inactive region 48, and a thin film whose film thickness and film quality are homogeneous grows in the reaction active region 44.例文帳に追加

このように、反応不活性領域４８から反応不活性領域４８に向かって成膜性ガスが移動することにより、反応不活性領域４８において成膜性ガス密度の均一化が促進され、反応活性領域４４において、膜厚、膜質が均質な薄膜は成長する。 - 特許庁

The linear inactive cell region is divided into an active section having an emitter region and an inactive region, in its longitudinal direction.例文帳に追加

本願発明は、ＩＥ型トレンチＩＧＢＴにおいて、セル領域を構成する各線状単位セル領域は、主に線状アクティブセル領域と線状インアクティブセル領域とから構成され、この線状アクティブセル領域は、その長さ方向において、エミッタ領域を有するアクティブセクションとインアクティブセクションに区切られている。 - 特許庁

Also, in the inactive region 21, an electrical activation rate X or injected ions is 1%≤X≤30%.例文帳に追加

また、不活性領域２１において、注入されたイオンの電気的な活性化率Ｘは１％≦Ｘ≦３０％である。 - 特許庁

This semiconductor device 2 has a first bonding pad 24 formed in an active region 4 and a second bonding pad 26 formed in an inactive region 6.例文帳に追加

本発明の半導体装置２では、活性領域４に第１ボンディングパッド２４が形成されていると共に、不活性領域６に第２ボンディングパッド２６が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device manufactured by this manufacturing method comprises an active region including a high-voltage element region and a low-voltage element region, a semiconductor substrate 100 defined as an inactive region, an element isolation film 110 formed on the inactive region of the semiconductor substrate 100, and a gate oxide film 120 formed on the high-voltage region of the semiconductor substrate so that it has a uniform thickness.例文帳に追加

本発明の製造方法により製造された半導体素子は、高電圧素子領域と低電圧素子領域とを含む活性領域と、不活性領域とで定義される半導体基板と、前記半導体基板の不活性領域に形成される素子分離膜と、前記半導体基板の高電圧素子領域上に均一な厚さを有するように形成されるゲート酸化膜とを含む。 - 特許庁

An n+ buffer layer that is formed on the reverse side of an N- layer 11 consists of an inactive region 21 where the activation of ions is incomplete, and an active region 19 that is a region where the activation of ions has been improved.例文帳に追加

Ｎ^-層１１の裏面に形成されたｎ^+バッファ層は、イオンの活性化が不完全な領域である不活性領域２１と、イオンの活性化が高められた領域である活性領域１９とからなる。 - 特許庁

An IGBT active region AR 1 in which the IGBT 102 is formed is separated from a MOSFET active region AR 2 in which the MOSFET 104 is formed by a gate finger F as an inactive region.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１０２が形成されたＩＧＢＴ活性領域ＡＲ（１）と、ＭＯＳＦＥＴ１０４が形成されたＭＯＳＦＥＴ活性領域ＡＲ（２）とは、不活性領域としてのゲートフィンガーＦにより分離されている。 - 特許庁

Besides, a nozzle 20 of which a heater coil 22 is wound is disposed near an opening 15, that is, a wire bonding region, so that heated inactive gas is brown into the wire bonding region.例文帳に追加

また、ワイヤーボンディング領域である開口部１５近傍にヒーターコイル２２が巻き付けられたノズル２０を配置することで、ワイヤーボンディング領域には加熱された不活性ガスが吹き込まれる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for easily providing an asymmetrical SOI (Silicon On Insulator) field effect transistor formed with an inactive ion implantation region only on a source region side.例文帳に追加

ソース領域側だけに不活性イオン注入領域が形成される非対称型ＳＯＩ電界効果トランジスタを容易に実現する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the cache buffer is duplexed, and a buffer control part duplicates the region of elements during use in the buffer in the active state to a buffer in an inactive state, and replaces the buffer in the active state with the buffer in the inactive state.例文帳に追加

更に、キュッシュバッファを２重化し、バッファ制御部が、活動状態のバッファにおいて使用中の要素の領域を非活動状態のバッファに複製した後、活動状態のバッファと非活動状態のバッファを入れ替える。 - 特許庁

The at least one deep well region can be arranged such that the at least one trench defines at least one inactive gate structure without having an underlying deep well region.例文帳に追加

前記少なくとも１つの深い井戸領域は、少なくとも１つのトレンチがその下側に深い井戸領域を有さずに、少なくとも１つの活性ゲート構造体を規定するように配置することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus including a gate insulating film which can be formed with a simplified process without generating a recess between an active region and an inactive region, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

活性領域と不活性領域との間にくぼみを生じることがなく、簡易な工程で形成できるゲート絶縁膜を有する半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

On the semiconductor substrate 12 of the semiconductor device 10, formed are: a first active region 14 in which a semiconductor element is formed; a second active region 16 in which a semiconductor element is formed; and an inactive region in which a gate pad 18 is formed.例文帳に追加

半導体装置１０の半導体基板１２には、半導体素子が形成される第１活性領域１４と、半導体素子が形成される第２活性領域１６と、ゲートパッド１８が形成される非活性領域が形成されている。 - 特許庁

The surface of a cathode substrate 5 is mechanically coarsened, or etching is applied to it to distribute an active region 6 which has been activated and an inactive region 7 which has not been activated on the surface of the cathode substrate 5.例文帳に追加

陰極基板５の表面を機械的に粗すか、エッチング処理を施すことで陰極基板５の表面に活性化された活性領域６と活性化されていない未活性領域７が分布するようにする。 - 特許庁

Metal oxide layers 5 each have regions 5a disposed on the inactive portions and a region 5b that extends from the regions 5a to the active portion P and are disposed on the active portion P.例文帳に追加

金属酸化物層５は、不活性部に配置された領域５ａと、領域５ａから活性部Ｐに延びて活性部Ｐに配置された領域５ｂとを有する。 - 特許庁

The solid preparation contains the active component and an inactive component, and the active component is placed at a specific position or region of one solid preparation.例文帳に追加

活性成分及び非活性成分を含む固形製剤であって、１つの固形製剤における特定の位置又は領域に活性成分を配置してなる固形製剤に係る。 - 特許庁

To provide an organic photoelectric device capable of having improved its region-using efficiency, that is, an improved ratio between an optical active region and an optical inactive region, and/or having easy manufacturing, and/or further uniform emission or sensitivity in a lateral direction.例文帳に追加

有機光電デバイスのための改善された領域使用効率、すなわち、光学活性の領域と光学不活性の領域の間の改善された比率、および／または簡単な製造、および／または横方向のより均一な放出または感度、を可能にする有機光電デバイスを提供する。 - 特許庁

A nested bipolar plate in an active supply region as well as a non-nested bipolar plate in an inactive supply region are used, for controlling the clearance gap in the inactive supply region in the fuel cell stack by a non-coupling and non-nested bipolar plate, for providing pressure and uniformity of the flow of reactive products in the fuel cell and in the fuel cell stack.例文帳に追加

活性供給領域において入れ子にされた二極式プレートと、不活性供給領域において非入れ子式の二極式プレートとを利用して、燃料電池及び燃料電池スタック内で反応物流れ均一性及び圧力を提供するため、非結合式で、非入れ子式の二極式プレートによって、燃料電池スタック内の不活性供給領域内のクリアランスギャップが制御される。 - 特許庁

An interconnection via in the vertical region is formed by examining and processing each integrated circuit die at a wafer level, a route of an electrical signal is designated from an active surface to an inactive surface of the die.例文帳に追加

個々の集積回路ダイがウェハレベルで試験および処理されて、垂直な領域の相互接続ビアを形成し、ダイの活性の面から不活性の面に電気信号を経路指定する。 - 特許庁

When the substrate 4 and the container 6 are separated, an air curtain is formed by blowing inactive gas or dry air into this separated region with a gas blowing jig 30.例文帳に追加

基板４と容器６とが離間される際、この離間された領域に気体の吹出し治具３０より不活性ガスまたはドライエアーを吹き出して、エアーカーテンを形成することを特徴とする。 - 特許庁

Provided is an Ad6 vector and a nucleic acid encoding a Met-NS3-NS4A-NS4B-NS5A-NS5B polypeptide containing an inactive NS5B-RNA-dependent RNA polymerase region.例文帳に追加

Ａｄ６ベクター及び、不活性ＮＳ５Ｂ−ＲＮＡ依存性ＲＮＡポリメラーゼ領域を含むＭｅｔ−ＮＳ３−ＮＳ４Ａ−ＮＳ４Ｂ−ＮＳ５Ａ−ＮＳ５Ｂポリペプチドをコードする核酸。 - 特許庁

The flexible antenna resonating substrate may be wrapped around a dielectric carrier and mounted within an electronic device under an inactive display region and above a dielectric housing window.例文帳に追加

可撓性アンテナ共振素子基板は、誘電体キャリアに巻き付けられ且つ電子デバイス内部の非アクティブ表示領域の下方及び誘電体筐体窓の上方に装着されてもよい。 - 特許庁

The laminated body 4 comprises an active portion 6 which is a piezoelectrically active region constituted by arranging the internal electrodes 2 at a predetermined interval and a piezoelectrically inactive non-active portion 7 which is a region other than the active portion.例文帳に追加

積層体４は、内部電極２が所定の間隔を空けて配置されることによって構成された圧電的に活性な領域である活性部６と、活性部を除く領域である圧電的に不活性な非活性部７とを有している。 - 特許庁

The metal oxide layer 5 includes an identical layer region 5a formed on a same layer of the internal electrodes 4A, 4B in the inactive part Q and a stacked region 5b formed stacking over the front surface of a part of the internal electrodes 4A, 4B extending to the active part P side from the identical layer region 5a.例文帳に追加

金属酸化物層５は、不活性部Ｑにおける内部電極４Ａ，４Ｂと同一の層に形成された同層領域５ａと、この同層領域５ａから活性部Ｐ側に延びて内部電極４Ａ，４Ｂの一部の上面に重なるように形成された重なり領域５ｂとからなっている。 - 特許庁

To provide a method of controlling clearance gap in an inactive supply region for supplying pressure and uniformity of flow of reactive products, in a fuel cell and a fuel cell stack that use a nested bipolar plate in an active supply region.例文帳に追加

活性供給領域において入れ子式二極式プレートを用いた燃料電池及び燃料電池スタック内の反応物流れの均一性及び圧力を提供するため不活性供給領域におけるクリアランスギャップを制御する方法を提供する。 - 特許庁

Since each of the piezoelectric body layers 3a and 3b has an active region and an inactive region, a difference is hardly generated between stress generated on a first principal surface 2a side and that generated on a second principal surface 2b side in polarization, and occurrence of a crack or the like can be suppressed.例文帳に追加

圧電体層３ａ，３ｂが活性領域と不活性領域とを有するので、分極時に第１の主面２ａ側で発生する応力と第２の主面２ｂ側で発生する応力との間に差分が生じにくくなり、クラック等の発生を抑制できる。 - 特許庁

An inactive liquid 64a such as pure water is discharged from a hump processing liquid discharge nozzle 55 at a predetermined pressure to be sprayed onto a region where a hump 3a occurs while a semiconductor substrate 1 is being rotated.例文帳に追加

半導体基板１を回転させながら、ハンプ処理用流体吐出ノズル５５から、純水等の不活性な液体６４ａを所定の圧力をもって吐出させ、ハンプ３ａが発生している領域へ噴き付ける。 - 特許庁

After the engine warms up, both the valves are active during low load and low rotation and during high load and high rotation, and each first exhaust valve 7a is active and each second exhaust valve 7b is inactive in the other region.例文帳に追加

エンジン暖気後は低負荷、低回転時及び高負荷、高回転時に両排気バルブは作動とされ、他の領域では各第１の排気バルブ７ａは作動され、各第２の排気バルブ７ｂは非作動とされる。 - 特許庁

Next, after an internal wall oxide film 7 is formed by forming a recess 16 in the inactive region 3 using a silicon nitride film 51 as a mask, an embedded insulating layer 8 formed of silicon oxide is formed in order to form an STI element isolating structure 9.例文帳に追加

次に、窒化シリコン膜５１をマスクとして不活性領域３に凹部１６を形成し、内壁酸化膜７を形成した後、酸化シリコンからなる埋め込み絶縁層８を形成し、ＳＴＩ素子分離構造９を形成する。 - 特許庁