例文 (6件) |
ion recombinationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 6件
In the small collision chamber 36, since its interior pressure is raised without introducing additional gas, argon ion is neutralized by collision/recombination of ion and electron, so that the ion density of the plasma is reduced.例文帳に追加
当該小衝突室36では、追加のガスを導入することなく、その内部の圧力が高められるので、イオンと電子の衝突・再結合によってアルゴンイオンが中和されプラズマのイオン密度が低減される。 - 特許庁
METHOD FOR DECIDING OPTIMAL VALUE OF HUMIDITY/RESISTIVITY/RECOMBINATION ION FLOW DENSITY AND HIGH LIMIT AND THE LIKE OF DEVICE STATIC RESISTANCE/ALLOWABLE STATIC ELECTRICITY例文帳に追加
湿度・抵抗率・再結合用イオン流密度およびデバイスの静電気耐性・許容静電気の上限等の適値決定方法およびそれを利用した静電気管理 - 特許庁
A plasma annihilation structure is provided in the optical components, and the plasma annihilation structure is constituted so as to cause the electron-ion recombination inside, above, and/or near the optical components.例文帳に追加
光コンポーネントにはプラズマ消滅構造が設けられており、このプラズマ消滅構造は、光コンポーネントの中、上および/または近くに電子イオン再結合をもたらすように構成されている。 - 特許庁
To provide a method for safely and inexpensively mass-producing a glutathione-producing yeast created when fermenting lactic acid bacteria, without using gene recombination or a metal ion-added medium in a short period.例文帳に追加
乳酸菌発酵下で造成されるグルタチオン産生酵母菌を、遺伝子組み換えや金属イオン添加培地を用いることなく、安全かつ安価にして、短期間で大量培養が可能な製造法を得る。 - 特許庁
To provide an ion generator, which can efficiently release ions without using a blowing fan while reducing the device size by reducing the distance between a positive discharge part and a negative discharge part without a reduction in ion quantity resulting from recombination of generated ions, collision thereof to a partition member dividing both the discharge parts, or the like.例文帳に追加
発生したイオンの再結合、正放電部及び負放電部間を遮る仕切り部材との衝突等に起因してイオン量が減少することなく放電部間の距離を短くし、装置の小型化を図ることが出来ると共に、送風ファンを用いずに、効率的にイオンの放出を行うことが出来るイオン発生装置を提供する。 - 特許庁
The doping concentration of the exposed top portion of the body region can be increased by ion implantation to provide a low-resistance contact to the body region, or a recombination region having a high-density of crystalline defects can be formed.例文帳に追加
ボディ領域への低抵抗接触を可能にするために、イオン注入によってボディ領域の露出された最上部部分のドーピング濃度を高めることができるか、または高密度の結晶欠陥を有する再結合領域を形成することができる。 - 特許庁
例文 (6件) |
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