「ion source」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for the surface treatment of a collector for a lithium ion battery wherein monitoring can inexpensively be performed without requiring a special light source.例文帳に追加

特別な光源を必要としない安価なモニタリングが可能なリチウムイオン電池用集電体の表面処理方法を提供すること。 - 特許庁

The ion source is equipped with (a) a first ion spray emitter to generate ion, (b) a conduit adjoining the first ion spray emitter and having an opening designed to accept ions from the first ion spray emitter, (c) a first electrode adjoining the conduit and orienting ions from the first ion spray emitter towards the opening of the capillary tube, and (d) a conduit electrode orienting ions to the conduit.例文帳に追加

本発明はイオン源は、（ａ）イオンを生成するための第１のイオンスプレーエミッタと、（ｂ）前記第１のイオンスプレーエミッタに隣接して、前記第１のイオンスプレーエミッタからイオンを受容するように設計されている開口を備えている導管と、（ｃ）前記導管に隣接して、前記第１のイオンスプレーエミッタからのイオンを前記毛細管の前記開口に向けて方向付ける第１の電極と、（ｄ）イオンを前記導管に方向付ける導管電極とを備えていることを特徴とする。 - 特許庁

In a mass spectrometer designed to analyze a mass by ionizing a molecule, separating an molecule ion generated by ionization, and detecting the separated molecule ion, an ion source to ionize the molecule is an ECR ion source in which ECR plasma having low energy suitable for the molecule weight of a macromolecule having a molecule weight of not less than 1,000 is generated by an electron cyclotron resonance phenomenon, and the macromolecule is ionized by the ECR plasma.例文帳に追加

分子をイオン化し、イオン化により生成した分子イオンを分離し、分離した分子イオンを検出して質量を分析するようにした質量分析装置において、分子をイオン化するイオン源が、電子サイクロトロン共鳴現象により分子量が１０００以上の高分子の分子量に適した低エネルギー電子を有するＥＣＲプラズマを発生させ、上記ＥＣＲプラズマにより上記高分子をイオン化するＥＣＲイオン源であるようにした。 - 特許庁

An ion enhanced EBPVD device 100 provides a depositing chamber 102, a depositing material supply source 112, a means 124 for forming a plasma from the depositing material supply source, a means 128 for applying a modulated bias potential to a workpiece to attract the ion from the plasma to the workpiece 106, and a means 200 for monitoring the density of the plasma and ion current to the workpiece.例文帳に追加

イオン強化ＥＢＰＶＤ装置１００は、堆積室１０２と、堆積材料供給源１１２と、堆積材料供給源からプラズマを形成する手段１２４と、プラズマからワークピース１０６にイオンを引き付けるようにワークピースに変調されたバイアス電位を印加する手段１２８と、プラズマの密度およびワークピースへのイオン電流をモニタする手段２００とが提供される。 - 特許庁

In the arc discharge ion plating equipment having a rod-like evaporation source 14 for arcing and works 5 which are disposed in a manner to enclose the source 14 and whose surfaces are to be coated with film, the works 5 are made relatively movable along to the source 14 in the axial direction of the source 14.例文帳に追加

アークを発生させるロッド状蒸発源１４と、該ロッド状蒸発源１４を取り囲むように配設され表面に皮膜がコーティングされるワーク５とを有するアークイオンプレーティング装置において、前記ワーク５が前記ロッド状蒸発源１４に対して相対的に前記ロッド状蒸発源１４の軸方向に移動可能である。 - 特許庁

An ion generator 6 is connected to a power transformer opening-closing switch 26 for controlling supply of a power source to a load group connected to the primary side of a power transformer 21.例文帳に追加

イオン発生器６を電源トランス２１の一次側に接続された負荷群への電源供給を制御する電源トランス開閉スイッチ２６に接続した。 - 特許庁

A control part 100 controls the accelerating voltage of the gas cluster ion beam 10 or the flow rate of a source gas in accordance with the surface position of the free curved face forming mold 12.例文帳に追加

制御部１００は、自由曲面成形型１２の表面位置に応じてガスクラスターイオンビーム１０の加速電圧若しくはソースガス流量を制御する。 - 特許庁

The ion source device is composed of an arc chamber 2, a fixing stand 7 as a base of the arc chamber, and a fastening tool 8 tightly fastening the arc chamber 2 to the fixing stand 7 in free detachment.例文帳に追加

アークチャンバー２と、その土台となる固定台７と、アークチャンバー２を固定台７に対して着脱自在に締結する締結具８とを備える。 - 特許庁

The indirectly heated cathode ion source includes an arc chamber housing determining an arc chamber, an indirectly heated cathode, and a filament for heating the cathode.例文帳に追加

間接的に加熱されるカソードイオン源が、アークチェンバーを定めるアークチェンバーハウジング、間接的に加熱されるカソードおよびカソードを加熱するフィラメントを含む。 - 特許庁

In this beam shutoff device, a shutter 54 is disposed near an internal ion source 12, and the shutter 54 normally disposed out of a beam path is inserted across the beam path, when shutting off the beam.例文帳に追加

内部イオン源１２の近傍にシャッタ５４を配置し、通常時はビーム軌道外にある該シャッタ５４を、ビーム遮断時にビーム軌道上に挿入する。 - 特許庁

In the plasma ion injection method, a pulse bias voltage of -15 to -3 kV is preferably applied to a high-frequency power source.例文帳に追加

プラズマイオン注入法においては、高周波電源に対しマイナス１５ｋＶ以上マイナス３ｋＶ以下のパルスバイアス電圧を印加して行なうと、より好ましい。 - 特許庁

In this case, the ion injection is carried out under a condition that the low density source region 1b, 95 and the low density drain region 1c, 93 are able to reach a base insulating film 12.例文帳に追加

この際、低濃度ソース領域１ｂ、９５、および低濃度ドレイン領域１ｃ、９３が下地絶縁膜１２に届く条件でイオン注入する。 - 特許庁

Sugar chain components are measured, while changing conditions of eluting solvents being slightly acid, neutral and basic in this order, in respective positive and negative measurement modes by using a sonic spray ion source 6.例文帳に追加

ソニックスプレーイオン源６を用いて正負測定モード毎に溶離液条件を弱酸性、中性、塩基性と変化させて糖鎖成分を測定した。 - 特許庁

An ion implantation mask for forming (N-type source layer 11)/(N-type drain layer 12) is also used for forming a thin oxide film 5.例文帳に追加

Ｎ−型ソース層１１／Ｎ−型ドレイン層１２を形成するためのイオン注入用マスクと、薄い酸化膜５を形成するためのマスクとを同一マスクとした。 - 特許庁

This binamidine is a binamidine-crown hybrid compound using the visible absorption by the conjugation as a coloring source, and introducing the crown ethers as an ion recognition part.例文帳に追加

この機能性ビナミジンは、共役による可視吸収性を発色源とし、クラウンエーテルをイオン認識部として導入したビナミジン−クラウンハイブリット化合物である。 - 特許庁

Further, the particle size (D) of the particles of the negative ion generating source in the organic resin film is preferably D≤1.5×L with respect to the thickness (L) of the organic resin film.例文帳に追加

更に、上記有機樹脂皮膜中のマイナスイオン発生源粒子径（Ｄ）が有機樹脂皮膜厚み（Ｌ）に対してＤ≦１．５×Ｌであることが好ましい。 - 特許庁

An ion removal pipe 30 includes a casing 31, a first screw type electrode 33a, a second screw type electrode 33b, a motor 34, and a power source 35.例文帳に追加

イオン除去管３０は、ケーシング３１と、第１スクリュー型電極３３ａと、第２スクリュー型電極３３ｂと、モータ３４と、電源３５とを備える。 - 特許庁

To provide a quadrupole mass spectrometer suppressing the noise caused by the light generated at an area to be measured or at an ion source, with few sensitivity loss.例文帳に追加

測定すべき領域やイオン源などで発生した光によるノイズを抑えると共に、感度損失が少ない四重極型質量分析計を提供する。 - 特許庁

To provide an excess current protection circuit which stops the continuation of large current discharge for a prescribed time or longer in a power tool having a lithium ion battery as a power source.例文帳に追加

リチウムイオン電池を電源とする電動工具において大電流放電の所定時間以上の持続を遮断させる過電流保護回路を提供する。 - 特許庁

To dispense with the replacement of usable members by dividing an ion source part into two, a grid part and a filament part, and allowing either of them replaceable when necessary.例文帳に追加

イオン源部をグリッド部とフィラメント部とに２分割し、その何れをも必要に応じて交換可能にして、使用可能な部材の交換を不要となす。 - 特許庁

To provide an ion osmo-therapy power source which includes a plurality of parameters which can be specified and set by a user, and emulates a plurality of different power sources.例文帳に追加

ユーザ規定可能かつ設定可能な複数のパラメータを含み、複数の異なった電源をエミュレートするイオン浸透療法電源を提供する。 - 特許庁

The raw powder of the ion plating evaporation source material contains silicon nitride having the mean particle diameter of ≤5 μm and a melting type material having the mean particle diameter of ≤5 μm.例文帳に追加

また、イオンプレーティング法に適した蒸発源材料及びその製造方法、並びにガスバリア性シート及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To search for a safe source of radiation, a radiated amount and a component to be combined therewith to enhance the heat retention, deodorization, sterilization and negative ion effects.例文帳に追加

保温、消臭、殺菌及びマイナスイオン効果を高めるために安全な放射能発生源、発生量及び組み合わせる成分を探索すること。 - 特許庁

Thereafter, an n-type high-concentration source region 6 and an n-type high-concentration drain region 7 are formed by performing ion implantation by using the gate electrode 3 as a mask.例文帳に追加

その後、ゲート電極３をマスクとしてイオン注入を行い、ｎ型の高濃度ソース領域６及び高濃度ドレイン領域７を形成する。 - 特許庁

To provide an improved mass spectrometer that achieves an efficient transfer of ions from an atmospheric pressure ion source of the mass spectrometer to a vacuum stage.例文帳に追加

質量分析計の大気圧イオン源から真空ステージへのイオンの効率的な移送を実現する、改良された質量分析計を提供する。 - 特許庁

To provide an ion source capable of ensuring quality of a detected ESI signal by protecting ESI ions from APCI and APPI processes.例文帳に追加

ＡＰＣＩおよびＡＰＰＩプロセスからＥＳＩイオンを保護することによって、検出されるＥＳＩ信号の質を保証するイオン源を提供する。 - 特許庁

For example, silver thiosulfate and silver nitrate are used as the silver ion source, and ascorbic acid and a sulfite salt are used as the antioxidant.例文帳に追加

銀イオン源としては、例えば、チオ硫酸銀や硝酸銀を、また、抗酸化剤としては、例えば、アスコルビン酸や亜硫酸塩を用いることができる。 - 特許庁

An n-type impurity is doped into the source and drain region 3 by ion doping method through the interlayer dielectric 6 covering the semiconductor film 4.例文帳に追加

ソースおよびドレイン領域３には、半導体膜４を覆う層間絶縁膜６を介してイオンドーピング法によりｎ型不純物がドープされている。 - 特許庁

A gas cluster ion beam 18 is generated by ionizing the cluster of neutral particles by a RF plasma electron source 5 which generates electrons by ionizing a gas.例文帳に追加

ガスを電離して電子を生成するＲＦプラズマ電子源５によって中性粒子のクラスターをイオン化してガスクラスターイオンビーム１８を発生させる。 - 特許庁

To provide a particle optical device equipped with a gas ion source with low energy dispersion and capable of realizing brighter luminance than present possible realization luminance.例文帳に追加

低エネルギー拡がりで、現在実現可能な輝度よりも明るい輝度の実現が可能な気体イオン源が備えられた粒子光学装置を提供する。 - 特許庁

Plasma containing ions is generated from an ion source 3, and the positive ions in the plasma are accelerated to pass through the electrode body 10 and injected into the disk 9.例文帳に追加

イオン源３によりイオンを含むプラズマが発生し、プラズマ中の正イオンが加速され、電極体１０を通過してディスク９に注入される。 - 特許庁

SWITCHING CONTROL DEVICE FOR CONTROLLING FLOW RATE OF CESIUM GAS FROM CESIUM OVEN DEVICE FOR NEGATIVE ION SOURCE IN NEUTRON INCIDENCE DEVICE OF FUSION DEVICE例文帳に追加

核融合装置の中性粒子入射装置における負イオン源用セシウムオーブン装置からのセシウムガスの流量を制御する開閉操作装置 - 特許庁

Germanium is so implanted over the entire semiconductor substrate at an appropriate intensity and quantity that a peak ion concentration is generated under the source and drain of the FET.例文帳に追加

ピーク・イオン濃度がＦＥＴのソース及びドレインの下に生成されるように、ゲルマニウムが適切な強さ及び量で、半導体基板全体に渡り打ち込まれる。 - 特許庁

Only the regions of the active layer 5 that are to be the source region 12 and the drain region 13 are doped by ion-doping an impurity at a high concentration with a low acceleration voltage.例文帳に追加

不純物を低い加速電圧で高濃度にイオンドーピングして、活性層５のソース領域12およびドレイン領域13となる部分のみをドーピングする。 - 特許庁

This allows the data acquisition to be performed rapidly, and the speed of about one second for each sample point on the ion source target 36 has been achieved.例文帳に追加

これにより、データ取得が迅速に行われることが可能になり、イオンソースターゲット３６上の各サンプルポイントに対して約１秒のスピードが達成される。 - 特許庁

A parameter setting part 41 sets the delay extracting parameter of the ion source 10 on the basis of the value of the adjustment parameter calculated by the parameter adjusting part 45.例文帳に追加

パラメーター設定部４１は、パラメーター調整部４５が算出した調整パラメーターの値に基づいて、イオン源１０の遅延引き出しパラメーターを設定する。 - 特許庁

There are formed a source diffusion layer 22 connected to the ion implantation region 18 for connection, and a drain diffusion layer 23 on the n-type impurity region 14.例文帳に追加

接続用イオン注入領域１８につながるソース拡散層２２及びＮ型不純物領域１４上のドレイン拡散層２３を形成する。 - 特許庁

A cylindrical first shield 30 enclosing a part of an ion source head 8 at the same potential as with an end plate 6 is extended from the end plate 6 toward the inner side of a vacuum vessel 2.例文帳に追加

端板６と同電位でイオン源ヘッド８の一部分を囲む筒状第１シールド３０を端板６から真空容器２内側に向け延設する。 - 特許庁

Subsequently, ion implantation is performed using a resist mask of a convex shape pattern covering a drain region 3, a channel region 35 and the source region 4 to form a channel stopper 7.例文帳に追加

そして、ドレイン領域３、チャネル領域３５及びソース領域４を覆う凸字形パターンのレジストマスクを用いてイオン注入し、チャネルストッパ７を形成する。 - 特許庁

Furthermore, an N^++ layer 16 is formed by implanting a high-concentration N-type impurity ion through the contact hole 14 into the source layer 10 and the drain layer 11.例文帳に追加

次に、コンタクトホール１４を介して高濃度のＮ型不純物イオンをソース層１０及びドレイン層１１に注入してＮ^＋＋層１６を形成する。 - 特許庁

A second impurity area 72 composing a source area or a drain area of a transistor belonging to a surrounding circuit is formed by an ion implantation.例文帳に追加

また、周辺回路に属するトランジスタのソース領域あるいはドレイン領域を構成する第２の不純物領域７２をイオン注入により形成する。 - 特許庁

The ion implantation device is composed of an extraction electrode of an iron source 2 which is divided in a plurality of extraction electrode pieces in a Y direction.例文帳に追加

このイオン注入装置は、イオン源２の引出し電極１３をＹ方向において複数の引出し電極片３０に分割して構成している。 - 特許庁

To provide a negative ion generator which advocates application to improvement in combustion efficiency of an engine, a health equipment, an electron exciting laser device, a DC power source device or the like.例文帳に追加

エンジンの燃焼効率改善、健康器具、電子励起レーザ装置、直流電源装置等への応用を提唱するマイナスイオン発生装置を提供する。 - 特許庁

Combined ion trap parts 2 to 11 equipped with an electron source 12 and with a magnetic field impressed nearly parallel along a center axis are used.例文帳に追加

電子源１２を備え、中心軸に沿って略平行な磁場を印加した２次元結合型イオントラップ部２〜１１を用いて、上記課題を解決する。 - 特許庁

The side walls 30 are used as ion implanting masks at the time of forming a high-concentration impurity diffusing layer 16 which functions as a source-drain region.例文帳に追加

このサイドウォール３０は、ソース・ドレイン領域として機能する高濃度不純物拡散層１６を形成するためのイオン注入マスクとして用いられる。 - 特許庁