「ion source」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

For avoiding the competing chemical reaction, lithium ion extracted out of an ion source or accelerating lithium ion generated by discharge in the reaction tank is injected onto the surface of liquid target such as molten metal lithium or lithium alloy and the like, the problem is resolved by inducing chemical fusion reaction which increases due to thermodynamic force in the liquid target.例文帳に追加

前記競合する化学反応を排除するためイオン源より引出すか反応槽内の放電で生じたリチウムイオンを加速して該リチウムイオンを溶融金属リチウム又はリチウム合金等の液体標的表面に注入し、上記液体標的内の熱力学的力によって増進する化学核融合反応を誘発させることにより解決した。 - 特許庁

A charged particle beam device packages: an ion beam optical system that irradiates a sample with ion beam generated at an ion source and a control device thereof; an element detector that detects constituent elements of the sample and a control device thereof; and a central processing unit that automatically sets processing conditions of the sample on the basis of elements identified by the element detector.例文帳に追加

イオン源で発生されたイオンビームを試料に照射するイオンビーム光学システム装置とその制御装置と、試料の構成元素を検出する元素検出器とその制御装置と、元素検出器で特定された元素に基づいて試料の加工条件を自動設定する中央処理装置とを荷電粒子線装置に実装する。 - 特許庁

The ion implanting apparatus 10 comprises a process chamber 12 for arranging a semiconductor wafer 100, a beam line part 14 having a source portion 24, an ion beam selecting portion 26 and a post stage accelerating portion 28 and irradiating an ion beam IB to the semiconductor wafer 100, and H2 gas supplying part 18 for supplying H2 gas to the post stage accelerating portion 28 of the beam line part 14.例文帳に追加

イオン注入装置１０は、半導体ウェハ１００を配置するプロセスチャンバ１２と、ソース部２４とイオンビーム選別部２６と後段加速部２８とからなり半導体ウェハ１００にイオンビームＩＢを照射するビームライン部１４と、ビームライン部１４の後段加速部２８にＨ_2ガスを供給するＨ_2ガス供給部１８とを備えている。 - 特許庁

The method for producing a useful substance from the cellulose-containing material includes contacting the cellulose-containing material with an ion liquid to impregnate the ion liquid into the cellulose-containing material and then saccharifying and fermenting the cellulose-containing carbon source in the cellulose-containing material with a cellulase-producing microorganism in the presence of the ion liquid.例文帳に追加

セルロース含有材料から有用物質を生産するとき、セルロース含有材料とイオン液体とを接触させて前記セルロース含有材料に前記イオン液体を浸透させ、前記イオン液体の存在下で前記セルロース含有材料中のセルロースを含む炭素源を、セルラーゼを生産する微生物で糖化しつつ発酵するようにする。 - 特許庁

This power supply for an ion guide used for introducing ions generated by ionization by an atmospheric pressure ion source into a high-vacuum analysis system is provided with a control means 20 for making both parameters of the amplitude and the frequency of a voltage supplied to the ion guide variable to set both the parameters to optimum values according to the mass number of the ions to be passed.例文帳に追加

大気圧イオン源でイオン化したイオンを高真空分析系に導入するイオンガイド用の電源において、イオンガイドに供給する電圧の振幅と周波数の両方のパラメータを可変にし、通過させるイオンの質量数によって両方のパラメータを最適値に設定するための制御手段（２０）を備えたものである。 - 特許庁

An imaging apparatus 150 comprises an ion controller 100, wedge members 61, 62 for concentrating ions 64 toward the opening of the ion controller 100, and a member 60 for dividing ions 64 from an ion source 53 into two individual charge flows and directing them toward the opening and thereby ions 64 are collected efficiently to the opening.例文帳に追加

画像形成装置１５０は、その底面にイオン制御装置１００と、イオン制御装置１００の開口部に向けてイオン６４を集中させるウエッジ部材６１，６２と、イオン源５３からのイオン６４を２つの個別の電荷の流れに分割して上記開口部へ配向するイオン流分割部材６０とを具備し、開口部へ効率的にイオン６４を集める。 - 特許庁

The thermally sensitive emulsion contains: (a) a photosensitive silver halide; (b) a non-photosensitive supply source of reducible silver ion; (c) a hydrophilic binder; (d) a reducing agent composition for the reducible silver ion; (e) a development promoter; and (f) phthalazine N-oxide or its derivative.例文帳に追加

ａ）感光性ハロゲン化銀、 ｂ）還元可能な銀イオンの非感光性供給源、 ｃ）親水性バインダー、 ｄ）前記還元可能な銀イオンのための還元剤組成物、 ｅ）現像促進剤、及び ｆ）フタラジンＮ−オキシド又はその誘導体、 を含んで成る感熱性乳剤。 - 特許庁

After selecting precursor ions by capturing the ions in an ion trap 1, ethylene gas is introduced into the ion trap 1 from an introducing part 23 for gas to be excited, and is irradiated with laser beam having a prescribed wavelength (10.6 μm) oscillating and exciting the gas molecules from an exciting laser irradiating source 22.例文帳に追加

イオントラップ１内にイオンを捕捉してプリカーサイオンを選別した後、被励起ガス導入部２３よりエチレンガスをイオントラップ１内に導入し、該ガス分子を振動励起させる所定波長（１０．６μｍ）のレーザ光を励起レーザ照射源２２から照射する。 - 特許庁

In an Ar ion implantation step, ion implantation conditions (1.0×10^14 ions/cm^2 or less, at 10 keV) are provided not for making noncrystalline but for reforming near the surface of a source/drain region 9 and the surface of a polycrystalline silicon control gate 7.例文帳に追加

Ａｒイオン注入工程において、ソース/ドレイン領域９の表面および多結晶シリコン制御ゲート７の表面付近を非晶質化しないが改質するようなイオン注入条件(１.０×１０^１４イオン数/ｃｍ^２以下、１０ｋｅＶ)とした。 - 特許庁

At the same time, groundwater source is determined based on coincidence of ratio of ion concentration values in the ion concentration data from a plurality of sites and the result determined is identified based on a result computing recharge height from coincidence of isotopic ratio in isotopic ratio data of a plurality of sites.例文帳に追加

また、複数地点のイオン濃度データにおけるイオン濃度の比の一致度から地下水起源を算出し、複数地点の同位体比データにおける同位体比の一致度から涵養高度を算出する結果に基づいて算出された結果を判定する。 - 特許庁

This ion source device S comprises a discharge means 3 for discharging, a discharge chamber 1 having an opening 12 and holding plasma generated by discharging, and an extraction electrode 6 for extracting ion beam from plasma by closing the opening 12 of a discharge chamber 1.例文帳に追加

本発明のイオン源装置Ｓは、放電を行うための放電手段３と、開口１２を有し放電によって生成されるプラズマを保持する放電室１と、放電室１の開口１２を塞ぎプラズマからイオンビームを引出すための引出電極６とを備えている。 - 特許庁

To provide an ionizer equipped with a corona discharge monitoring function capable of speedily and efficiently carrying out ion generation by quickly excluding adverse effect of residual voltage at the time of polar switching of high-voltage power source, and capable of accurately monitoring an ion generation state.例文帳に追加

高圧電源の極性切換時の残留電圧による影響を速やかに排除してイオン生成を迅速かつ効率良く行うことができると共に、イオン生成状況を精度良く監視することができる、コロナ放電監視機能を備えたイオナイザを提供する。 - 特許庁

The quadrupole mass spectrometer comprises: an ion source 4 having a filament 42 and a grid 41; a quadrupole part 3 with four columnar electrodes laid out at given intervals along a circumferential direction; and an ion detection part 2 for collecting predetermined ions having passed through the quadrupole part.例文帳に追加

本発明は、フィラメント４２及びグリッド４１を備えたイオン源４と、４本の円柱状の電極を周方向に所定間隔で配置してなる四重極部３と、四重極部を通過した所定のイオンを捕集するイオン検出部２とを有する。 - 特許庁

The ion implanter comprises a disk 20 in which a semiconductor wafer 1 is arranged on the surface; a projecting guard member 22 that is provided on the surface of the disk 20 and is positioned around the semiconductor wafer 1; and an ion source for implanting ions to the semiconductor wafer 1.例文帳に追加

本発明に係るイオン注入装置は、表面に半導体ウェハ１が配置されるディスク２０と、ディスク２０の表面に設けられ、半導体ウェハ１の周囲に位置する凸状のガード部材２２と、半導体ウェハ１にイオンを注入するイオン源とを具備する。 - 特許庁

A moving mechanism 75 is formed on beam forming units 61, 62 for decelerating ions 80 emitted from an ion source and forming them into an ion beam 81 by reducing the beam diameter, so that the ions 80 are prevented from being applied on the beam forming units 61, 62 before a secondary electron current is measured.例文帳に追加

イオン源から放出されるイオン８０を減速し、ビーム径を絞ってイオンビーム８１とするビーム成形器６１、６２に、移動機構７５を設け、二次電子電流を測定する前に、ビーム成形器６１、６２にイオン８０が照射されないようにする。 - 特許庁

The dielectric layer is deposited by means of cathode sputtering, for example, by means of the cathode sputtering which is assisted by a magnetic field and is preferably reactive in the presence of oxygen and/or nitrogen, with exposure to at least one ion beam (3) from an ion source (4).例文帳に追加

誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および／または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源（４）からの少なくとも一つのイオンビーム（３）への曝露と、堆積される。 - 特許庁

In the method of correcting a photomask defect, after making an electrical continuity in an isolated pattern by a metal deposition film 7 by use of an electron beam or a helium ion beam generating from a gas field ion source, the defect 3 is corrected; and after the correction, the metal deposition film 7 is physically removed by an AFM (atomic force microscope) scratch working probe 9.例文帳に追加

電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビームを用いた金属デポジション膜7で孤立したパターンに導通を作ってから欠陥3を修正し、修正後金属デポジション膜7をAFMスクラッチ加工探針9で物理的に除去する。 - 特許庁

To eliminate problems that in an ion beam source device, when a space charge is formed by extracted ions and an extracted current density becomes large, a proportionally large electric field is generated, and as a result, an ion beam is self-divergent.例文帳に追加

本発明はイオンビーム源装置において、引き出されたイオンによって空間電荷が形成され、引き出し電流密度が大きくなると、それに比例した大きな電場が発生し、その結果イオンビームが自己発散するような問題点を除去することを課題とする。 - 特許庁

To provide an ion source achieving improvement in uniformity of a beam current density distribution in a Y-direction of ribbon-like ion beams and a given uneven distribution, by making partially controllable a plasma density in the Y-direction inside a plasma generating vessel.例文帳に追加

プラズマ生成容器内のＹ方向におけるプラズマ密度を部分的に制御可能にして、リボン状イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を良くすることや、所定の不均一な分布を実現可能にしたイオン源を提供する。 - 特許庁

Metastable parent ions which spontaneously fragment by Post Source Decay whilst passing through the field free or drift region 5 are arranged to enter the ion mirror 7, and reflected by the reflectron towards an ion detector 8 when the reflectron is maintained at a certain voltage.例文帳に追加

ポストソース分解により自然に分解し、フィールドフリー又はドリフト領域５を通り抜ける準安定親イオンは、イオンミラー７に入るよう準備され、リフレクトロンがある一定の電圧で保たれているとき、リフレクトロンでイオン検出器８に向かって反射される。 - 特許庁

To enable an ultra-fine element structure to be manufactured by a lithography method and an ion etching method by manufacturing an electron beam aligner with a linear high density electron beam source or an X-ray aligner with a linear high brightness X-ray source.例文帳に追加

線状高密度電子線源を有する電子線露光装置、あるいは、線状高輝度Ｘ線源を有するＸ線露光装置を作製することにより、超微細な素子構造を、リソグラフィ法およびイオンエッチング法により作製可能とすること。 - 特許庁

The plasma along a part of the object W is generated by the plasma source 32 while moving the object W to the plasma source 32, and the ion of equal quantity is accelerated to and implanted in the surface of the object W from the generated plasma.例文帳に追加

基体Ｗとプラズマ源３２とを相対的に移動させながら、プラズマ源３２によって基体Ｗの一部分を取り囲む放電プラズマを生成し、等量のイオンを生成プラズマから基体Ｗの表面に向かって加速し、注入する。 - 特許庁

The method for producing the cupric oxide particulates includes forming the cupric oxide particulates by reacting a copper ion source with an alkali source through a double-jet method in the presence of a nitrogen-containing heterocyclic compound having a mercapto or thione group.例文帳に追加

メルカプト基もしくはチオン基を有する含窒素複素環化合物の存在下で銅イオン源とアルカリ源をダブルジェット法により反応させることにより酸化第二銅微粒子を形成することを特徴とする酸化第二銅微粒子の製造方法。 - 特許庁

To provide an arc ion plating apparatus and a film deposition method, which can reduce the change of smoothness of the surface of a thin film and the change of residual stress of a thin film, which occur with the consumption of an evaporation source, and can improve the utilization efficiency of the evaporation source.例文帳に追加

蒸発源の消耗に伴って変化する薄膜表面の平滑性や薄膜の残留応力の変化を低減でき、蒸発源の利用効率を向上させることができるアークイオンプレーティング装置および成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide an arc ion plating apparatus and a film deposition method, which can reduce the change of smoothness of the surface of a thin film and the change of residual stress of a thin film, which occur with the consumption of an evaporation source, and can improve the utilization efficiency of the evaporation source.例文帳に追加

蒸発源の消耗に伴って変化する薄膜表面の平滑性や薄膜の残留応力の変化を低減でき、蒸発源の利用効率を向上させることができるアークイオンプレーティング装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method for the positive active material for the lithium ion battery: dissolves Li_3PO_4, or a Li source and a phosphorous source, and a Fe source, into a solvent containing water as a main component; adds an oxidant to an obtained mixture; and generates the LiFePO_4 fine particle, by pressurizing and heating the mixture containing the oxidant.例文帳に追加

本発明のリチウムイオン電池用正極活物質の製造方法は、Ｌｉ_３ＰＯ_４、またはＬｉ源及びリン酸源と、Ｆｅ源とを、水を主成分とする溶媒に溶解し、得られた混合物に酸化剤を添加し、この酸化剤を含む混合物を加圧・加熱し、ＬｉＦｅＰＯ_４微粒子を生成する。 - 特許庁

To provide a cathode material capable of achieving a high electron- emitting density and an electron-emitting properties in a low electric field, and further to provide an electron-emitting source having the material, a method for producing the electron-emitting source, a display element having the electron- emitting source and a lithium ion secondary battery obtained by using the carbonaceous material as an activate material for a cathode.例文帳に追加

高電子放出密度、低電界電子放出性能を達成できる陰極材料、該材料からなる電子放出源及びその作製方法、該電子放出源を有する表示素子、並びに該炭素質材料を負極の活物質として用いたリチウムイオン二次電池の提供。 - 特許庁

To provide a mass spectrometer, with an ion source which is excellent in the coaxiality of an air sending passage with a liquid sending pipe by guiding the liquid sending pipe to the center axis of the air sending passage precisely.例文帳に追加

送液管を精度よく送気流路の軸中心に導くようにして、送気流路と送液管との同軸性に優れたイオン源を備えた質量分析装置を提供する。 - 特許庁

An ion implantation step is carried out with the mask of the dummy gates 7 and 8 and the gate-side wall insulating film 9 to form deep source drain regions 11p and 11n at first as in a reverse way to the usual one.例文帳に追加

次にダミーゲート７，８、ゲート側壁絶縁膜９をマスクに用いてイオン注入を行い、通常とは逆に深いソース／ドレイン領域１１ｐ，１１ｎを先に形成する。 - 特許庁

The electron-emitting source, the display element constituted so that a desired part of a light emitter may emit the light, the carbonaceous material for the cathode of the battery, and the lithium ion secondary battery are obtained by utilizing the material.例文帳に追加

該材料を利用して電子放出源、発光体の所望部分が発光するように構成する表示素子、電池負極用炭素質材料、リチウムイオン二次電池を得る。 - 特許庁

This relates to a packaging body in whose gas permeable polymer film having a heat sealing characteristic a hydrophilic polymer gel, and as additives, a minus ion generating source, an aromatic component and a deodorant component are sealed in.例文帳に追加

熱シール性を有する気体透過性高分子フィルム中に親水性高分子ゲル、添加物としてマイナスイオン発生源、芳香成分、消臭成分を封じた包装体。 - 特許庁

This method for improving the underwater environment comprises laying water-granulated blast-furnace slag in water as a silicate ion-releasing source, wherein the slag is subjected to aging treatment by blasting air or blasting the air and steam.例文帳に追加

水中にケイ酸塩イオン放出源として、空気の吹き込み又は空気と水蒸気の吹き込みによるエージング処理を施した高炉水砕スラグを設置することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an ion source emitter which has a minute projection made of a noble metal and does not require much time for restart in a device even when stored for a long period of time after exposure to the atmosphere.例文帳に追加

貴金属からなる微小突起を有するエミッタを大気暴露した後、長期間保管しても装置内で再立上げに時間が掛からないイオン源エミッタを提供することにある。 - 特許庁

A heating means 3 which heats the ion generation element 2 by heating according to the quantity of an energized current, a power source 4 which sends an electric current to the heating means 3, and a resistor 5 are provided.例文帳に追加

通電される電流量に応じて発熱することにより、イオン発生素子２を加熱する加熱体３と、加熱体３に通電する電源４と、抵抗体５とを設ける。 - 特許庁

Preferably, the ion source additionally has first and second conductive leg parts supporting the end parts of the filament, the filament is made of tungsten, the first and second conductive leg parts are formed of tantalum, and a filament support assembly is made of molybdenum.例文帳に追加

前記サポート部材は、イオン源の作動中、フィラメント・サポート・アセンブリのフィラメントに対する把持が緩んだ場合に、フィラメントをカソード内で所望の位置に維持するように構成されている。 - 特許庁

The binder for granulating the raw material to be sintered containing the iron ore and a calcium ion source includes bentonite, and a bicarbonate and/or a carbonate.例文帳に追加

鉄鉱石を含み、かつカルシウムイオン発生源を含む焼結原料の造粒用バインダーであって、ベントナイトと重炭酸塩及び／又は炭酸塩とを含む焼結原料の造粒用バインダー。 - 特許庁

C(carbon) is ion-implanted to a predetermined depth, deeper than an n-type source region 3 at a reserved portion to form a p-type gate region 4 in a surface layer of an n-type drift region 2.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域２の表層部のうち、ｐ型ゲート領域４の形成予定部分に、ｎ型ソース領域３よりも深い所定深さまでＣ（炭素）をイオン注入する。 - 特許庁

On that, a low-concentration p-type well region 9 is formed in a region 2 that is the peripheral part of the end part of the n-type source region 7 and becomes a channel by ion implantation using the mask 10.例文帳に追加

その上で、マスク１０を用いたイオン注入により、ｎ型ソース領域７の端部周辺部でありチャネルとなる領域２内に低濃度ｐ型ウエル領域９を形成する。 - 特許庁

The gas field ionization ion source includes a temperature control portion separately controlling a temperature of a leading end of an emitter electrode and a temperature of a gas discharge port of a gas supply part.例文帳に追加

本発明に係るガス電解電離イオン源は、エミッタ電極の先端部の温度とガス供給部のガス放出口部分の温度を個別に制御する温度制御部を備えている。 - 特許庁

To provide a time-of-flight mass spectrometry apparatus in which perpendicular direction convergence of ions is improved, and connection with an orthogonally accelerating ion source is made possible for improving sensitivity.例文帳に追加

イオンの垂直方向の収束性を向上させ、感度向上のため直交加速イオン源との接続を可能にすることができる飛行時間型質量分析装置を提供する。 - 特許庁

Consequently, metal elements precipitated into the resistance change layer 22 during erasure dissolve easily into the ion source layer 21, and the resistive state after writing and erasure is maintained.例文帳に追加

これにより、消去時に抵抗変化層２２中に析出した金属元素がイオン源層２１へ溶解しやすくなると共に、書き込みおよび消去後の抵抗状態が維持される。 - 特許庁

To provide a photoresist capable of exhibiting so enhanced sensitivity and resolution that it is useful for imaging with a high energy radiation source such as EUV (extreme-ultraviolet radiation), electron beams, ion beams or X-rays.例文帳に追加

ＥＵＶ、電子ビーム、イオンビーム及びＸ線放射等の高エネルギー放射線源でのイメージングに有用な向上した感受性及び解像度を発揮することができるフォトレジストの提供。 - 特許庁

Thereafter, an N-type impurity ion is implanted using the gate oxide film 3 and the gate electrode 4 as the mask, so that a plurality of N-type source-drain diffusion regions 6 are formed separately.例文帳に追加

その後、ゲート酸化膜３及びゲート電極４をマスクとしてＮ型の不純物イオンを注入することで、Ｎ型のソース・ドレイン拡散領域６を複数離間形成する。 - 特許庁

In the power source system 10, a fuel cell 1 is connected to an input terminal of a DC/DC converter 2, and a lithium ion secondary battery 3 and a load 4 are connected in parallel with an output terminal.例文帳に追加

電源システム１０では、ＤＣ／ＤＣコンバータ２の入力端子に燃料電池１を接続し、出力端子にリチウムイオン二次電池３と負荷４を並列に接続する。 - 特許庁

To provide a vacuum analyzing device capable of evacuating an ion source and a gas evacuation pipe into sufficient high vacuum in a short time without lowering the degree of vacuum of a mass spectrometer.例文帳に追加

質量分析室の真空度を低下させることなく、短時間で十分な真空度までイオン源及びガス供給管を排気することができる質量分析装置を提供する。 - 特許庁