「ion source」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an electron source application device to generate an electron or ion stably without being affected by humidity in air.例文帳に追加

空気中の湿度の影響を受けずに安定して電子もしくはイオンを発生させることができる電子源応用装置を提供する。 - 特許庁

The method comprises adding an iron (II) ion source preferably in a state of an excipient for a medicine in an amount to control oxidation to the preparation.例文帳に追加

該方法は、酸化を抑制する量の鉄（II）イオン源を好ましくは医薬用賦形剤の形態で製剤に添加することを含む。 - 特許庁

To provide a resin material having good ion conductivity, to provide a method for producing the resin material, to provide an ion conducting film containing the resin material, to provide a fuel cell having the resin material, to provide a power source having the fuel cell, and to provide an electronic equipment having the power source.例文帳に追加

本発明は、イオン伝導性が良好な樹脂材料、該樹脂材料の製造方法、該樹脂材料を含有するイオン伝導膜、該樹脂材料を有する燃料電池、該燃料電池を有する電源及び該電源を有する電子機器を提供することを目的とする。 - 特許庁

The present invention relates to a hair coloring and bleaching composition which comprises (i) at least one source of peroxycarbonate ion, (ii) at least one alkalizing agent, preferably a source of ammonium ion, and (iii) at least one radical scavenger and has a pH of up to 9.5.例文帳に追加

ｉ）ペルオキシ一炭酸イオンの少なくとも１つの供給源、ｉｉ)少なくとも１つのアルカリ化剤、好ましくはアンモニウムイオンの供給源、及びｉｉｉ）少なくとも１つのラジカルスカベンジャーを含む毛髪着色及び漂白組成物に関し、その際前記組成物は９．５までのｐＨを有する。 - 特許庁

This mass spectroscope is provided with a mass spectrometry mechanism for allowing a mass spectrometry on ionized detected gases, and is separately equipped with a first ion source 11 for attaching positive metal ions to ionize and a second ion source 17 for giving the impact of electrons to ionize.例文帳に追加

イオン化した被検出ガスを質量分析する質量分析機構を備える質量分析装置であり、正電荷の金属イオンを付着させてイオン化する第１イオン源１１と、電子を衝撃させてイオン化する第２イオン源１７の２つのイオン源を独立して備えている。 - 特許庁

To provide a negative ion source, an ion beam analysis device, an etching device, an oxygen radical generation device and an waste gas processor which can attain a large ion current by generating a surface-like negative ions by utilization of diamond semi-conductor device structure, with a diamond serving as a semi-conductor.例文帳に追加

ダイヤモンドを半導体と捉えて、ダイヤモンド半導体デバイス構造を利用して、面的な負イオン生成を実現することにより、大きなイオン電流を実現することができる負イオン源、イオンビーム分析装置、エッチング装置、酸素ラジカル発生装置及び排ガス処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a beam source and a beam treatment device capable of uniformly irradiating various beams like positive ion, negative ion, neutral particles or the like on a treated object in a large ion current density and in a large diameter, and realizing a large caliber and longer life of a grid electrode.例文帳に追加

正イオン、負イオン、中性粒子等の各種ビームを低エネルギ、大イオン電流密度で、かつ、大口径で均一に被処理物に照射することができると共に、グリッド電極の大口径化、および長寿命化ができるビーム源、およびビーム処理装置を提供する。 - 特許庁

In the ion source 2, indium fluoride 6a as a solid material 6 is employed and the ion beam 30 including indium ion is extracted with the temperature for the furnace 4 kept in a range of 450°C or more and 1170°C or less and also below the temperature of the plasma generator vessel.例文帳に追加

このようなイオン源２において、固体材料６としてフッ化インジウム６ａを用いて、加熱炉４の温度を、４５０℃以上１１７０℃未満の範囲内であってしかもプラズマ生成容器１６の温度未満に保ちながら、インジウムイオンを含むイオンビーム３０を引き出す。 - 特許庁

Thermally sensitive emulsions are provided which comprise (a) non-photosensitive reducible silver ion source, (b) a hydrophilic binder and (c) a non-crystalline reducing agent composition for the reducible silver ion, wherein the non-crystalline reducing agent composition includes two or more hindered phenol silver ion reducing agents.例文帳に追加

a)非感光性の還元可能な銀イオン源、 b)親水性バインダー、および c)前記還元可能な銀イオンのための非晶質還元剤組成物 を含んでなる感熱性乳剤であって、前記非晶質還元剤組成物が、2種以上のヒンダードフェノール銀イオン還元剤を含む感熱性乳剤。 - 特許庁

Between an ion supply source 21 and an ion trap part 22, an entrance side gate electrode 24, an ion holding part 23 that accumulates and holds ions at the exit side end by cooling gas, high frequency voltage and electric field having inclination from the entrance side toward the exit side, and an exit side gate electrode 25, are provided.例文帳に追加

イオン供給源２１とイオントラップ部２２との間に：入口側ゲート電極２４；クーリングガス、高周波電圧及び入口側から出口側にかけて傾斜を有する電場により出口側端部の方にイオンを集積して保持するイオン保持部２３；及び出口側ゲート電極２５を設ける。 - 特許庁

The drift layer 2, first gate layer 3, source layer 4, channel layer 7, and second gate layer 8 are formed in an epitaxial layer, and at the same time an n^+ source layer 5 by ion implantation is formed at the surface layer section of the epitaxial layer 4 as a source layer.例文帳に追加

ドリフト層２と第１のゲート層３とソース層４とチャネル層７と第２のゲート層８はエピタキシャル層で形成されるとともに、ソース層とするためのエピタキシャル層４の表層部にはイオン注入によるｎ^+ソース層５が形成されている。 - 特許庁

When the cluster molecule ion is irradiated, a polyatomic molecule gas is introduced into the gas supply part 11, the cluster molecule ion is made to be generated by an electronic exchange between the single atom ion formed in the ion source 1 and the polyatomic molecule gas introduced into the gas supply part 11, and this is separated by the second mass spectrograph 5 and is irradiated.例文帳に追加

クラスタ分子イオンを照射する場合には、ガス供給部１１に多原子分子ガスを導入し、イオン源１で生成された単原子イオンとガス供給部１１に導入された多原子分子ガスとの間での電子交換によってクラスタ分子イオンを発生させ、これを第２の質量分析器５で分離して照射する。 - 特許庁

In this method of ion attachment mass spectrometry, the substance to be measured is introduced into an ion source 22 having a metallic ion discharge mechanism, metallic ions of positive charges discharged from the metal ion discharge mechanism are made to adhere to a measured substance, the substance is finally extracted as positive ions, and then the mass spectrometry is performed by the mass spectroscope.例文帳に追加

このイオン付着質量分析方法は、被測定物質を金属イオン放出機構を有するイオン源２２に導入し、金属イオン放出機構から放出された正電荷の金属イオンを被測定物質に付着させてイオン化し、被測定物質を最終的に正のイオンとして取り出し、その後に質量分析装置２１により質量分析を行う。 - 特許庁

To provide a beam source and a beam treatment device capable of uniformly irradiating various beams like positive ion, negative ion, neutral particles or the like in a large diameter on a treated object and realizing charge-free and damage-free properties.例文帳に追加

正イオン、負イオン、中性粒子等の各種のビームを大口径で均一に被処理物に照射することができるビーム源及びこれらのビーム源を用いて被処理物を処理するビーム処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a flight time type mass spectrometry device which can cut off at this side of an ion reserve much of ions originating in a carrier gas that are introduced in a large quantity from a gas chromatograph device and ionized in a large quantity at an ion source.例文帳に追加

ガスクロマトグラフ装置から大量に導入され、イオン源で大量にイオン化される、キャリアガス由来のイオンの多くを、イオン溜の手前でカットすることのできる飛行時間型質量分析装置を提供する。 - 特許庁

A microscope system 200 comprises: a He ion source; a first lens 216; axis adjusting deflectors 220 and 222; a diaphragm 224; scanning deflectors 219 and 221; an ion optical device 130 including a second lens 226; and a sample chamber.例文帳に追加

顕微鏡システム２００は、Ｈｅイオン源、第一レンズ２１６、軸合せ偏向器２２０及び２２２、絞り２２４、走査偏向器２１９及び２２１、第二レンズ２２６を含むイオン光学機器１３０、並びに試料室を有する。 - 特許庁

To provide a beam source and a beam treatment device capable of irradiating various beams like positive ion, negative ion, neutral particles or the like in a large diameter uniformly on a treated object and realizing charge-free and damage-free properties.例文帳に追加

正イオン、負イオン、中性粒子等の各種のビームを大口径で均一に被処理物に照射することができると共に、チャージフリー且つダメージフリーを実現するビーム源及びビーム処理装置を提供する。 - 特許庁

A vehicle 100 is driven with lithium ion secondary batteries 101, 102 charging with an outside power source XV and includes charge/discharge control means 20, 72, 80, S1-S30 and a deterioration detecting means M1 detecting the output deterioration of the lithium ion secondary batteries.例文帳に追加

車両100は、この外部の外部電源XVにより充電可能なリチウムイオン二次電池101,102で駆動され、充放電制御手段20,72,80,S1〜S30と、リチウムイオン二次電池の出力劣化を検知する劣化検知手段M1とを備える。 - 特許庁

To provide a detection method for a complex specimen using a multimode ionization source capable of generating both an ESI ion and an APCI ion efficiently and effectively, using a single multimode ionization chamber and a single nebulizer.例文帳に追加

単独のイオン化チャンバー及びネブライザーを利用して、効率的かつ効果的にESIイオン及びAPCIイオンの両方を発生することが可能なマルチモードイオン化源を利用する複合検体の検出方法を提供する。 - 特許庁

In a case of manufacturing the SRAM cell, when implantation of impurity ions is performed at first time, ion implantation is performed under the condition where the ion concentration is comparatively high and acceleration voltage is low, and a source/drain diffusion layer 13 is formed.例文帳に追加

ＳＲＡＭセルの製造時において、１回目に不純物イオンを注入するときにはイオン濃度を比較的高く低加速電圧の条件でイオン注入し、ソース／ドレイン拡散層１３を形成する。 - 特許庁

When an n+ type source region 4 is formed through ion implantation, an n+ type semiconductor substrate 1 is rotated about the normal of the n+-type semiconductor substrate 1 as the rotational axis, and further ion implantation is carried out obliquely.例文帳に追加

ｎ^+ 型ソース領域４の形成をイオン注入によって形成する際に、ｎ^+ 型半導体基板１の法線を軸としてｎ^+ 型半導体基板１を回転させ、さらにイオン注入を斜めにして行う。 - 特許庁

A p-well region 12, a source region 13, and a p^+ contact region 15 are formed as the ion implanting layer by conducting the ion implantation after growth of an epitaxial growth layer 11 on a 4H-SiC substrate 10.例文帳に追加

４Ｈ−ＳｉＣ基板１０の上にエピタキシャル成長層１１を成長させた後、イオン注入を行なって、イオン注入層であるｐウェル領域１２，ソース領域１３，ｐ^＋コンタクト領域１５を形成する。 - 特許庁

This ion source 4a is used for taking out an ion beam 18 along the Z axis, and the filament 10 is applied with a direct current filament voltage VF from a filament power supply 20 in the generating direction of potential difference along the X axis.例文帳に追加

このイオン源４ａは、Ｚ軸に沿ってイオンビーム１８を引き出すものであり、フィラメント１０には、Ｘ軸に沿って電位差が生じる方向にフィラメント電源２０から直流のフィラメント電圧Ｖ_F が印加される。 - 特許庁

The ion source layer 17B contains an O (oxygen) as an additional element together with an ion conductive material such as an S (sulfur), Se (selenium) and Te (tellurium) (chalcogenide element) and a metal element, which ionize, such as a Zr (zirconium).例文帳に追加

イオン源層１７Ｂは、Ｓ（硫黄），Ｓｅ（セレン）およびＴｅ（テルル）（カルコゲナイド元素）などのイオン伝導材料およびＺｒ（ジルコニウム）などのイオン化する金属元素と共に、添加元素としてＯ（酸素）を含有している。 - 特許庁

The ion source is provided at least with an ion repeller, an extraction electrode and a lens electrode, and a potential in at least one electrode thereof is made different from that in usual use of the charged-particle beam device.例文帳に追加

また、少なくともイオンリペラーと、引き出し電極と、レンズ電極とを備え、これらのうちの少なくとも１つの電極を、通常の荷電粒子線装置の使用電位とは異なる電位に設定するようにした。 - 特許庁

This is the mass spectrometer having an ion source (11), an ion injection device (12), an electric field generation means restricted by specially shaped electrodes (14, 16), and a detector (18) for detecting ions.例文帳に追加

イオン源（１１）と、イオン注入装置（１２）と、特殊形付きの電極（１４，１６）によって限定される電場発生手段と、イオンを検出するための検出器（１８）とを有する質量分析計が提供される。 - 特許庁

To prevent decrease in the amount of vaporization of an alkali metal, or suppress dirt of a device connected to an ion source, or control the amount of vaporization of an alkali metal, and facilitate the output adjustment of ion beams.例文帳に追加

アルカリ金属の蒸発量の低下を防止すること、又はイオン源に接続された装置の汚れを抑制すること、又はアルカリ金属の蒸発量制御，イオンビームの出力調整を容易に行うことである。 - 特許庁

Brightness of a first light source 7 and brightness of a second light source 8 can be set optionally and variably to have luminous intensity with which an operator can easily observe an image, during a prescribed period T_2 from an ion beam machining start time t_0.例文帳に追加

イオンビーム加工開始時刻ｔ_０から所定期間Ｔ_２においては、第１光源７の輝度と第２光源８の輝度は、オペレータが像を観察しやすい明るさに任意に可変設定される。 - 特許庁

To provide a portable power source bag which is excellent in feeling of use with a good feeling of fitness when carrying and can use a lithium ion battery as a portable power source for a charging type power tool.例文帳に追加

携帯の際のフィット感が良好となって使用感に優れ、リチウムイオン電池を充電式電動工具の携帯用電源として好適に利用可能な携帯用電源バッグを提供する。 - 特許庁

A modifier for a lithium-ion battery of the present invention is a transparent solution formed by mixing a phosphorus source containing a phosphoric acid group, a trivalent aluminum source, and a metal oxide in a liquid-phase solvent.例文帳に追加

本発明のリチウムイオン電池の改質剤は、リン酸基を含むリン源と、三価のアルミニウム源と、金属酸化物とを液相溶剤で混合することによって形成された透明な溶液である。 - 特許庁

A sample gas produced from the container 2 placed on a container placing part 4 is sucked, and the ions of the sample gas are formed in an ion source and mass analysis is performed.例文帳に追加

容器載置部４に置かれた容器２から発生する試料ガスを吸引し、イオン源で試料ガスのイオンを生成し、質量分析する。 - 特許庁

Subsequently, a source-drain region 25 is formed by ordinary B or As ion implantation.例文帳に追加

サイドウオールを除去してＳＤエクステンション領域２６及びポケット領域２７形成のためのイオン注入を行い、再び側壁２８を形成する。 - 特許庁

Thus, n-type impurities are subjected to ion implantation in the opened drain/source formation regions by using the resist R15A as it is without removing it.例文帳に追加

レジストＲ１５Ａを除去することなくそのまま用いて、開口したドレイン／ソース形成領域にｎ形不純物をイオン注入する。 - 特許庁

The imaging mass spectrometer 1 comprises: an ion source 10 having a lens system 60; an analyzing section 20; and a detecting section 30.例文帳に追加

本発明にかかるイメージング質量分析装置１は、レンズ系６０を備えるイオン源１０と、分析部２０と、検出部３０とを備えている。 - 特許庁

In the dioxin measuring devices 3a (3b), an exhaust gas is ionized by an atmospheric pressure ion source, and the ionized material is analyzed by a mass spectrometry so that a concentration of dioxins is measured.例文帳に追加

ダイオキシン計測装置３ａ，３ｂは、大気圧イオン源で排ガスをイオン化し、これを質量分析して、ダイオキシン類の濃度を計測する。 - 特許庁

To provide an ion generation device having a structure allowing even an AC power source of a commercial frequency to be downsized by being integrated with a discharge electrode.例文帳に追加

商用周波数の交流電源でも放電電極と一体化して小型化を実現できる構造のイオン生成装置を提供する。 - 特許庁

A negative pole member 6 is laminated on the coated surface of the positive pole member, pinching a separator 5 having an ion exchanging property to form a power source cell 7.例文帳に追加

この陽極部材の塗布面に、イオン交換能を有するセパレータ５を挟んで陰極部材６を積層し電源セル７を形成する。 - 特許庁

A low concentration source region 7a is formed by implanting phosphorus ion into a p-type semiconductor substrate 1 taking a spacer film 5 as a mask.例文帳に追加

スペーサ膜５をマスクとして、リンイオンをＰ型半導体基板１中にイオン注入することで、低濃度のソース領域７ａを形成する。 - 特許庁

The tin plating solution include a tin ion source, at least one nonionic surfactant, imidazoline dicarboxylate and 1,10-phenanthroline.例文帳に追加

本発明のスズめっき液は、スズイオン源、少なくとも１種の非イオン性界面活性剤、イミダゾリンジカルボキシレート及び１，１０−フェナントロリンを含有する。 - 特許庁

A beam size is reduced greatly in an electron beam cooling device 6 by a low-emittance EBIS-type ion source or hollow beams.例文帳に追加

低エミッタンスのＥＢＩＳ型イオン源または中空（ｈｏｌｌｏｗ）ビームによる電子ビーム冷却装置６で、ビームサイズを極端に小さくする。 - 特許庁

Impurities can be ion-doped to a portion to be used as a source region 12 and a drain region 13 of the polysilicon layer 61 without allowing the impurities to permeate the silicon oxide layer 62.例文帳に追加

酸化シリコン層62を透過させずにポリシリコン層61のソース領域12およびドレイン領域13となる部分に不純物をイオンドーピングできる。 - 特許庁

To provide a long life indirectly heated cathode type ion source with which improvement of plasma production efficiency and gas utilization efficiency can be realized.例文帳に追加

傍熱陰極型イオン源において、プラズマ生成効率の向上、ガスの利用効率の向上およびイオン源の長寿命化を可能にする。 - 特許庁

A memory layer 17 comprising a high-resistance layer 17A and an ion source layer 17B is provided between a lower electrode 14 and an upper electrode 18.例文帳に追加

下部電極１４と上部電極１８との間に、高抵抗層１７Ａおよびイオン源層１７Ｂからなる記憶層１７を有する。 - 特許庁

This ion source is provided with two insulators 24 electrically insulating two leg parts 8a of a filament 8 from a plasma generating container 2.例文帳に追加

このイオン源は、フィラメント８の二つの脚部８ａとプラズマ生成容器２との間を電気絶縁する二つの絶縁体２４を備えている。 - 特許庁

To reduce attachment on ion source substance or its compound to insulation between a vacuum vessel and an end plate to which a high voltage is applied.例文帳に追加

真空容器と高電圧が印加される端板との間の絶縁物へのイオン源物質またはその化合物の付着量を減少させる。 - 特許庁