「ion source」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereafter, by selectively introducing impurities into the polysilicon thin film 12 via the gate insulation film 13 by ion implantation method or the like, an LDD region 19 and a source/drain region 18 are formed at the same time.例文帳に追加

その後、イオン注入法等によりゲート絶縁膜１３を介してポリシリコン薄膜１２に選択的に不純物を導入するとＬＤＤ領域１９とソース・ドレイン領域１８が同時に形成される。 - 特許庁

To provide a plasma stream source capable of controlling ion energy in a gas phase, a plasma stream generating method, and a method and a device for manufacturing inductive fullerene with the induction of the above fullerene sublimated to the plasma stream.例文帳に追加

気相中でのイオンエネルギーの制御が可能なプラズマ流源、プラズマ流発生方法、並びに前記プラズマ流に昇華したフラーレンを導入して誘導フラーレンを製造する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

A composition for polishing includes abrasive grains, an iron ion source, and an acid (preferably, citric acid or 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid) which chelates with iron ions, but does not contain hydrogen peroxide.例文帳に追加

本発明の研磨用組成物には、砥粒、鉄イオン源、及び鉄イオンをキレートする酸（好ましくはクエン酸又は１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸）が配合されている一方、過酸化水素は含まれていない。 - 特許庁

To provide a negative ion generator which can create a more comfortable environment by changing the amount of negative ions (photoelectrons) to be generated without losing the bactericidal effect possessed by a UV irradiation source.例文帳に追加

紫外線照射源のもつ除菌効果を失うことなくマイナスイオン（光電子）の発生量を変えることにより、より快適な環境を作り出せるマイナスイオン発生装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

In a method for manufacturing an insulated gate field effect transistor, two source-drain regions 10 are formed in a P well 3 by performing impurity ion implantation and activation annealing while using a gate stack 7 and a spacer of a sidewall insulating film 9 having a predetermined width as a mask.例文帳に追加

ゲートスタック７と側壁絶縁膜９からなる所定の幅のスペーサをマスクとする不純物のイオン注入と活性化アニールにより、２つのソース・ドレイン領域１０をＰウェル３に形成する。 - 特許庁

An ion source includes: a filament holder for holding the both ends of the filament on the outside of a plasma container; a base for holding and fixing the filament holder; and an interposing member for interposing and connecting between the filament holder and the base.例文帳に追加

イオン源は、プラズマ容器の外側で、フィラメントの両端を保持するフィラメント保持具と、このフィラメント保持具を支持固定する基台と、フィラメント保持具と基台との間を介在して接続する介在部材と、を有する。 - 特許庁

The reactor further comprises a controller programmed to change the relative output power levels of the first and second VHF power sources so as to: (a) increase the relative output power level of the first VHF power source when plasma ion distribution has a predominantly edge-high nonuniformity; and (b) increase the relative output power level of the second VHF power source when plasma ion distribution has a predominantly center-high nonuniformity.例文帳に追加

リアクタは、第１及び第２のＶＨＦ電源の相対的な出力電力レベルを変更して、（ａ）プラズマイオン分布が、主に、端部が高い不均一性を有するときは、第１のＶＨＦ電源の相対的な出力電力レベルを増大し、（ｂ）プラズマイオン分布が、主に、中心が高い不均一性を有するときは、第２のＶＨＦ電源の相対的な出力電力レベルを増大するようプログラムされた制御器を更に含む。 - 特許庁

Source and drain regions 13 are formed as two regions of an epitaxial silicon film formed on a substrate and of a region obtained by ion implanting impurities into the substrate and thermally diffusing, and the position of a junction between the source and drain regions 13 is set to be the same as or lower than the junction position of an extension region 9.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域１３を、基板表面上に形成されたエピタキシャルシリコン膜と基板中に不純物をイオン注入、熱拡散した領域の２つの領域により形成し、ソース・ドレイン領域１３の接合位置をエクステンション領域９の接合位置と同一かそれより浅く形成する。 - 特許庁

The ion source 2 comprises the discharge vessel 21 with an opening 21a formed thereon, a coil 22 provided outside the discharge vessel 21, a high frequency power source 61 for supplying high frequency power to the coil 22, and an extraction electrode 25 for extracting ions in plasma generated in the discharge vessel 21 from the opening 21a.例文帳に追加

イオン源２は、開口２１ａが形成された放電容器２１と、放電容器２１外に設けられたコイル２２と、コイル２２に高周波電力を供給する高周波電源６１と、放電容器２１内に生成されたプラズマ中のイオンを開口２１ａから引出す引出電極２５と、を備えている。 - 特許庁

An optical member 1 on which an optical waveguide should be formed and a liquid exchange source 2 are respectively preheated up to temperatures T1 and T2 (T1=T2 and T1 approximately equal to T2) at which ions are exchangeable, the optical member 1 is dipped into the liquid exchange source 2, and ion exchanging is performed to form an optical waveguide on the optical member.例文帳に追加

光導波路を形成すべき光学部材１と、液状交換源２とを、それぞれ予め加熱しイオン交換可能な温度Ｔ１、Ｔ２（Ｔ１＝Ｔ２、Ｔ１≒Ｔ２）としておき、該液状交換源２に、該光学部材１を浸漬し、イオン交換することによって該光学部材に光導波路を形成する。 - 特許庁

After a process, in which a cobalt silicide film 8 which covers a source/drain diffusion layer region 7 as well as a gate electrode 4 of a polycrystal silicon is formed, there are provided process where an impurity ion is implanted in the region between the source/drain diffusion layer region and a channel region, which is thermally processed to form an SD extension 61.例文帳に追加

多結晶シリコンのゲート電極４及びソース・ドレイン拡散層領域を７覆うコバルトシリサイド膜８を形成する工程の後に、ソース・ドレイン拡散層領域とチャネル領域との間の領域に不純物イオンを注入してこれを熱処理してＳＤエクステンション６１を形成する工程を備える。 - 特許庁

The LED flash device includes: an LED as a light source; the lithium ion capacitor for driving the LED; a nonaqueous-system secondary battery for charging the lithium ion capacitor; a controller that controls the light emitting state of the LED including flash pulse width; and a first switching element that turns on/off current flowing in the LED according to control by the controller.例文帳に追加

このＬＥＤフラッシュ装置は、光源としてのＬＥＤと、そのＬＥＤ駆動用のリチウムイオンキャパシタと、そのリチウムイオンキャパシタ充電用の非水系二次電池と、フラッシュパルス幅を含む前記ＬＥＤの発光状態を制御するコントローラと、前記コントローラの制御に応じて前記ＬＥＤに流れる電流をオン／オフする第一のスイッチング素子を有している。 - 特許庁

To reduce agent costs and the work for preparing and controlling the agent and to perform efficient treatment by effectively utilizing the ferric compound-containing waste water discharged from various plants as a ferrous ion source in the case when hexavalent chromium is reduced to trivalent chromium by adding a ferrous ion to chromium-containing waste water.例文帳に追加

６価クロム含有廃水に第一鉄イオンを添加して６価クロムを３価クロムに還元処理するに当たり、各種工場から排出される第二鉄化合物含有廃液を第一鉄イオン源として有効利用することにより、薬剤コストや薬剤の調製ないし管理のための作業を軽減して効率的な処理を行う。 - 特許庁

To provide a constitution of an apparatus for producing reduced water employing a DC power source 4, capable of producing the reduced water without the residual amounts of a chlorine ion, hypochlorite ion, and chlorine molecule and meanwhile capable of reducing the elution of the material composing an electrode into water to the utmost.例文帳に追加

直流電源４を採用した還元水生成装置において、一方で塩素イオン、次亜塩素酸イオン、及び塩素分子が残留していない状態にて還元水を生成し得ると共に、他方では電極を構成する素材が水中に溶出することを極力避けることが可能であるような還元水生成装置の構成を提供すること。 - 特許庁

A metal surface is treated with an adhesion promoting composition containing an adhesion increasing ion source selected from the group consisting of oxidants, acids, corrosion inhibitors, halide ion sources, molybdates, tungstates, tantalates, niobates, vanadates and mixtures thereof and optionally a water-soluble polymer and a polymer material is bonded to the metal surface.例文帳に追加

酸化剤、酸、腐食防止剤、ハロゲン化物イオン源、モリブデン酸塩、タングステン酸塩、タンタル酸塩、ニオブ酸塩、バナジウム酸塩及びこれらの混合物からなる群から選ばれる接着増強イオン源、及び任意に、水溶性ポリマー含む接着促進組成物で金属表面を処理し、その後に該金属表面に高分子物質を結合させる。 - 特許庁

A negative ion generation source forms a contrapositive discharge electrode by oppositely arranging a tubular electrode and a needle-like electrode, a high D.C. voltage is applied by using the needle-like electrode as a negative electrode and the tubular electrode as a positive electrode, whereby this downlight composed by incorporating the negative ion generator without needing a blast means such as a fan for releasing air including negative ions can be provided.例文帳に追加

マイナスイオン発生源が、筒状電極と針状電極とを対向配置して対置放電電極を構成し、針状電極を負電極、筒状電極を正電極として直流の高電圧を印加することによって、マイナスイオンを含む風を放出するファン等の送風手段を必要としないマイナスイオン発生器を組み込んだダウンライト。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, when forming source and drain regions of a MOS transistor having LDD structure, after forming a gate electrode 103 on a p-type silicon substrate 101 via a gate insulation film 102, ion injection is performed with the gate electrode 103 and the like being an ion injection mask, and an n-type low concentration impurity region 106 is formed by thermal treatment.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有するＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、Ｐ型シリコン基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を介して、ゲート電極１０３を形成後、ゲート電極１０３等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、ｎ−低濃度不純物領域１０６を形成する。 - 特許庁

The vapor deposition device includes: a substrate holding member 2 holding the plurality of substrates 3; a vapor deposition source 4 holding a vapor deposition material to be deposited onto the plurality of substrates 3; an ion gun 5 for radiating gas ions to the faces of the substrates 3; and a correcting plate 6 for rectifying the radiation direction D1 of the gas ions emitted from the ion gun 5.例文帳に追加

この蒸着装置は、複数の基板３を保持する基板保持部材２と、基板３上に成膜される蒸着物質を保持する蒸着源４と、基板３面にガスイオンを放射するためのイオン銃５と、イオン銃５から照射されるガスイオンの放射方向Ｄ１を整流するための補正板６とを有している。 - 特許庁

Provided are the cosmetic having flowability, characterized by containing carbonate ion in an amount of 0.05 to 5 mass% and having pH of 7.5 to 8.5; the cosmetic characterized in that the base source of the carbonate ion is selected from carbon dioxide, carbonates, and bicarbonates; and the cosmetic characterized in that the pH is adjusted with phosphoric acid and a phosphate.例文帳に追加

炭酸イオンを０．０５〜５質量％含有する、流動性を有する化粧料において、ｐＨが７．５〜８．５である化粧料であって、炭酸イオンの基源が、炭酸ガス、炭酸塩及び重炭酸塩から選択されるものであることを特徴とし、ｐＨの調整がリン酸及びリン酸塩によってなされていることを特徴とする化粧料。 - 特許庁

The ion source using corona discharge generated at the needle electrode tip by applying a high voltage has a constitution, in which the moving direction of neutral molecules in a sample gas from a corona discharge region and the extracting direction of the ions generated by discharge are made different, whereby the efficiency of ion generation is improved and a stable discharge is maintained over a long time.例文帳に追加

高電圧を印加することにより針電極先端に生成するコロナ放電において、該コロナ放電の領域から試料ガス中の中性分子が移動する方向と、放電により生じたイオンの引き出し方向が異なる構成とすることにより、イオン生成効率を向上させると共に安定な放電を長時間持続させる。 - 特許庁

In the formation of source-drain region of a MOS transistor with LDD structure, after forming a gate electrode 103 via a gate insulating film 102 on a p-type silicon substrate 101, ion implantation is performed using the gate electrode 103 or the like as an ion implantation mask, furthermore, an n-low concentration impurity region 106 is formed by heat treatment.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有するＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、Ｐ型シリコン基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を介して、ゲート電極１０３を形成後、ゲート電極１０３等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、ｎ−低濃度不純物領域１０６を形成する。 - 特許庁

This ion source 2a is arranged near the upside of a plasma electrode 15 of an extraction electrode system 14, by holding an ion extracting area 20 of the extraction electrode system 14 between, in a heteropolar confrontation, and it is provided with a pair of permanent magnets 26 which generate a magnetic field 28 along the face on the side of plasma 10 of the plasma electrode 15.例文帳に追加

このイオン源２ａは、引出し電極系１４のプラズマ電極１５の上部近傍に、引出し電極系１４のイオン引出し領域２０を挟んで異極性で相対向するように配置されていて、プラズマ電極１５のプラズマ１０側の面に沿う磁界２８を発生させる一組の永久磁石２６を備えている。 - 特許庁

In the film forming device in which plasma for vapor deposition 10 is generated by giving an electric impulse on a cathode target 2, target ions in the plasma for vapor deposition 10 are led onto a specimen substrate 4 on which bias voltage is applied and a thin film is formed, the plasma for vapor deposition 10 is generated by irradiating the cathode target 2 with an ion beam 9 generated in an ion source 3.例文帳に追加

陰極ターゲット２に電気的衝撃を与えて蒸着用プラズマ１０を生成し、蒸着用プラズマ１０中のターゲットイオンをバイアス電圧が印加された試料基板４に導いて薄膜を成膜する成膜装置において、イオン源３で生成されたイオンビーム９を陰極ターゲット２に照射して蒸着用プラズマ１０を生成する。 - 特許庁

In this ion implanter provided with an arc chamber 12 that is installed on an ion source body 11, has a filament 13 formed in its inside, and converts a gas into plasma, opening parts 14 are formed at one end part of the arc chamber 12, and the filament 13 is extended outside the arc chamber 12 with its non-contact state in relation to the opening parts 14 kept.例文帳に追加

イオン源本体１１に設けられかつ内部にフィラメント１３が設けられたもので、ガスをプラズマ化するアークチャンバ１２を備えたイオン注入装置において、アークチャンバ１２の一端部には開口部１４が設けられ、フィラメント１３はその開口部１４に対して非接触状態を保ってアークチャンバ１２の外部へ延出されているものである。 - 特許庁

The ion injection device further has: an ion source 7 ionizing an impure gas; a mass analyzer 8 extracting the impure ions to be injected into the wafer 2 among ionized impure ions; an acceleration tube 9 accelerating the extracted impure ions; and a lens 10 forming the accelerated impure ions in a desired beam shape.例文帳に追加

前記イオン注入装置は、不純物ガスをイオン化するイオン源７と、イオン化された不純物のうちウェーハ２に打ち込む不純物イオンを抽出する質量分析器８と、抽出された不純物イオンを加速させる加速管９と、加速された不純物イオンを所望のビーム形状に成形するレンズ１０とを更に具備する。 - 特許庁

With an activated heat-treatment, a source diffused layer 15 and a drain diffused layer 16 comprising diffused arsenic ion are formed, and an offset drain layer 17, comprising a two-layer structure of a first layer 17a comprising a diffused phosphorus ion and a second layer 17b which consists of diffused arsenic ions, is formed between the gate electrode 13 and the drain-diffused layer 16.例文帳に追加

活性化熱処理を行い、ヒ素イオンを拡散してなるソース拡散層１５及びドレイン拡散層１６を形成すると共に、リンイオンを拡散してなる第１の層１７ａとヒ素イオンを拡散してなる第２の層１７ｂとの２層構造からなるオフセットドレイン拡散層１７を、ゲート電極１３とドレイン拡散層１６との間に形成する。 - 特許庁

To easily acquire a necessary magnetic flux density distribution required for obtaining necessary ions, in an electron cyclotron ion source which is constituted of a conduction tube to introduce a gas medium, a waveguide for injecting high frequency waves to excite the gas medium, a vacuum vessel with an ion extraction unit, and permanent magnets for impressing a magnetic field to the vacuum vessel.例文帳に追加

ガス媒質を導入する導管、ガス媒質を励振するための高周波を注入する導波管、イオンの抽出部を有する真空容器、及び真空容器に磁場を印加するための永久磁石からなる電子サイクロトロンイオン源において、所要のイオンを得るのに必要な磁束密度分布を容易に得られるようにすること。 - 特許庁

A charge-up potential of the mask member 21 is detected by a mask potential sensor 30 at the time of ion implantation, and a sufficient amount of electrons for canceling the potential is generated at an electron source 28 to restrict the charge-up of a wafer W.例文帳に追加

イオン注入時、マスク電位センサ３０によってマスク部材２１のチャージアップ電位を検出し、この電位を打ち消すのに十分な量の電子を電子発生源２８から発生させて、ウェーハＷのチャージアップを抑制する。 - 特許庁

A device isolation oxide film is etched to form a silicon fin that protrudes, and then a gate electrode and a source/drain region, of which tops are flattened, are formed after a channel region being formed on a sidewall of the silicon fin by means of inclined ion implantation.例文帳に追加

素子分離酸化膜を食刻して突出されたシリコンフィンを形成し、傾斜イオン注入でシリコンフィンの側壁にチャンネル領域を形成したあと上部が平坦化したゲート電極とソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

At a time of the degassing treatment, a back pressure of the turbo molecular pump 13a of the ion source is measured by a vacuum gage 13f and a pressure information in the arc-chamber 12a during a conduction heating is obtained and a conduction heating and degassing status is monitored.例文帳に追加

デガス処理の際、イオン源のターボ分子ポンプ１３ａの背圧を真空計１３ｆにより測定することにより、通電加熱中のアークチャンバ１２ａ内の圧力の情報を取得して通電加熱、デガス状態を監視する。 - 特許庁

A storage part 50 stores an adjustment table 56 for defining correspondence between the value of the mass-to-charge ratio of a known substance and the value of a given adjustment parameter containing a delay extracting parameter relating to a delay extracting method of an ion source 10.例文帳に追加

記憶部５０は、既知物質の質量電荷比の値と、イオン源１０の遅延引き出し法に関連する遅延引き出しパラメーターを含む所与の調整パラメーターの値との対応関係を定義する調整テーブル５６を記憶する。 - 特許庁

A semiconductor element is constituted in a structure that a high-concentration B-doped semiconductor diamond layer is formed on an insulative high-pressure synthetic diamond single crystal substrate 1, and semiconductor layers 2a and 2b used as source and drain regions are formed on the substrate 1 by a reactive ion etching.例文帳に追加

絶縁性の高圧合成ダイヤモンド単結晶基板１上に、高濃度Ｂドープ半導体ダイヤモンド層を形成し、反応性イオンエッチングにより、ソース及びドレイン領域となる半導体ダイヤモンド層２ａ及び２ｂを形成する。 - 特許庁

The ion source 2 is composed of a furnace 4 for generating a vapor 8 through heating of a solid material 6, a plasma generator vessel 16 for generating plasma 24 through ionizing the vapor 8 and a vapor-inducing tube that connects both.例文帳に追加

このイオン源２は、固体材料６を加熱して蒸気８を発生させる加熱炉４、この蒸気８を電離させてプラズマ２４を生成するプラズマ生成容器１６および両者間をつなぐ蒸気導入管１０を有している。 - 特許庁

A longitudinal MOSFET which uses SiC has its source region 4 and base region 5 formed by ion injection by using the same mask 9 in a tapered shape and then the base region 5 is formed in the tapered shape.例文帳に追加

ＳｉＣを用いた縦型のＭＯＳＦＥＴにおいて、ソース領域４とベース領域５とを、テーパ形状の同一マスク９を用いてイオン注入を行うことにより形成し、ベース領域５の形状をテーパ形状とする。 - 特許庁

Thus, ion implantation can be appropriately performed even by the side of the transfer gate or under the sidewall, pinning in the portions can be strengthened, a generation source of a dark current or the like is suppressed and noise mixed into a sensor can be reduced.例文帳に追加

これにより、転送ゲート脇やサイドウォール下にも適切にイオン注入を行うことができ、これらの部分におけるピニングを強化でき、暗電流などの発生源を抑え、センサに混入するノイズを低減することができる。 - 特許庁

A treatment device composed of: an electron beam excitation ion source for generating nitrogen atom plasma with a high density and a high dissociation degree; a treatment tank for storing plasma and performing nitriding treatment; a vacuum system device; a heating apparatus; and a gaseous starting material system device is used.例文帳に追加

高密度・高解離度の窒素原子プラズマを発生させるための電子ビーム励起イオン源、プラズマを溜め窒化処理を行う処理槽，真空系装置，加熱装置，原料ガス系装置からなる処理装置を使用する。 - 特許庁

First source-drain regions (16n, 16p, 17n, 17p) are formed by applying ion implantation of a first conductivity impurity, in a self-matching manner, to a gate insulating film (14) and a gate electrode (15), which are formed on a semiconductor substrate (11).例文帳に追加

半導体基板（１１）に形成したゲート絶縁膜（１４）及びゲート電極（１５）に対し自己整合的に第１導電型不純物をイオン注入して第１のソース・ドレイン領域（１６ｎ、１６ｐ、１７ｎ、１７ｐ）を形成する。 - 特許庁

To provide an EUV (extreme ultraviolet) radiation source which has a contamination barrier to reduce a deposition rate of such as ion, atom, molecule or particle debris on a light collecting mirror and to minimize an amount of EUV radiation to be absorbed, scattered, or deflected.例文帳に追加

集光ミラー上へのイオン、原子、分子及び粒状デブリなどの堆積率を減少させ、吸収、散乱又は偏向されるＥＵＶ放射の量を最小限にするための汚染バリアを有するＥＵＶ放射源を提供する。 - 特許庁

This corona discharge-type ionizer eliminates the static electricity from the object from which the static electricity is to be eliminated by allowing ion generated by corona discharging in applying high voltage between the emitter and a first ground electrode, to reach the object by air flow from an air blasting source.例文帳に追加

エミッタと第１の接地電極との間に高電圧を印加してコロナ放電により発生させたイオンを、送風源からの気流により被除電物に到達させて被除電物を除電するコロナ放電型イオナイザに関する。 - 特許庁

The material and shape of a conductive electrode tip 186 of an ion source are optimized to form an atomic layer with a trimer on a surface of the tip, and the tip is allowed to operate in an ultralow temperature condition, so that ionization efficiency with gas helium is improved.例文帳に追加

イオン源の導電性電極先端１８６の材料と形状を最適化して表面に三量体の原子層を形成し、極低温状体で動作させることにより気体ヘリウムとのイオン化効率を向上する。 - 特許庁

The third oven 33 accommodates the gas piping 16 from the oven 32 outlet to around the ion source 12 inlet and a flow controller 10 to heat the raw material gas 4 up to a prescribed temperature T3 higher than the prescribed temperature T2.例文帳に追加

第３のオーブン３３は、オーブン３２の出口からイオン源１２の入口付近までのガス配管１６および流量調節器１０を格納していてそれらを設定温度Ｔ_2 よりも高い設定温度Ｔ_3 に加熱する。 - 特許庁

To suppress a crystal defect caused by damage by ion implantation and preventing the fluctuation of an operation threshold Vt of a semiconductor device when the density of a contact region inserted into a lower part of a source region is increased.例文帳に追加

ソース領域の下部に入り込ませるコンタクト領域の濃度を濃くする場合に、イオン注入のダメージによる結晶欠陥を抑制できるようにすると共に、半導体装置の動作しきい値Ｖｔが変動することを防止する。 - 特許庁

The problem is solved by so forming an ion injecting region whose thickness corresponds to the thickness of a plurality of layers comprising channel regions and source/drain regions, in a semiconductor substrate previously as to use this substrate in a transcribing method of utilizing the injection of hydrogen.例文帳に追加

予め半導体基板にチャネル領域とソース／ドレイン領域の複数層の厚さに対応するイオン注入領域を形成し、この基板を水素注入よる転写法に使用することで、上記課題を解決する。 - 特許庁

Also, holder mechanism 5 and 6 for holding a material to be coated are arranged in the vacuum vessel 1 and an ion supply source 7 and a neutralizer 8 are disposed in the positions where the material to be coated can be irradiated with prescribed particles.例文帳に追加

また、真空容器１内には被コーティング材料を保持するための治具機構５、６が配置され、被コーティング材料に対して所定の粒子を照射可能な位置にイオン供給源７およびニュートラライザ８が配置されている。 - 特許庁

An N^+ layer 15 is formed by activating the arsenic ion implantation layer 14, and an N^+ layer 17 is also formed by diffusing phosphorus (P) from the phosphorus-doped polycrystalline silicon film by heat treatment in the N^+ source layer 9 and N^+ drain layer 10.例文帳に追加

そして、熱処理により、Ｎ^＋ソース層９及びＮ^＋ドレイン層１０内に砒素イオン注入層１４を活性化したＮ^＋層１５、リンドープ多結晶シリコン膜からリン（Ｐ）が拡散したＮ^＋層１７が形成される。 - 特許庁