「ion vapor deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide SiOx suitable as a vapor deposition material which allows a vapor-deposited film having excellent gas barrier property to be formed while suppressing the occurrence of splashing when the film is deposited, and as a negative electrode active material for a lithium ion secondary battery, which can keep the initial efficiency of the lithium ion secondary battery high.例文帳に追加

成膜時にスプラッシュの発生を抑えてガスバリア性に優れた蒸着膜の形成が可能な蒸着材として、また、初期効率を高く維持できるリチウムイオン二次電池用負極活物質として好適なＳｉＯ_xを提供する。 - 特許庁

A thin film conductor is formed on at least one out of a surface and a back of the core substrate 9a by using any one out of a vapor deposition method, an ion plating method, an ion beam method, a vapor growth method and a sputtering method and patterned, and conductor patterns 19-22 are formed by patterning.例文帳に追加

コア基板９ａの表裏面の少なくともいずれかに蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、気相成長法、スパッタリング法のいずれかによって薄膜導体を形成した後にパターニングして導体パターン１９〜２２を形成する。 - 特許庁

In the first film-forming step, a first film 103 with the thickness of ≥3 nm is formed on a particle irradiation surface of the substrate 101 after the pre-irradiation step by an ion assisted vapor deposition method using ion beams.例文帳に追加

第１の成膜工程では、前照射工程後の基板１０１の粒子照射面にイオンビームを用いたイオンアシスト蒸着法によって第１の膜１０３を３ｎｍ以上の厚みで成膜する。 - 特許庁

A lithium ion secondary battery is manufactured by forming a positive electrode layer on a base material with a flat surface by a chemical vapor deposition method, specifically an metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) method, forming an electrolyte layer on the positive electrode layer, and forming a negative electrode layer on the electrolyte layer.例文帳に追加

平面を有する基材上に化学気相成長法、具体的には有機金属気相成長法により正極層を形成し、正極層上に電解質層を形成し、電解質層上に負極層を形成するリチウムイオン二次電池を作製する。 - 特許庁

To provide a neutral-beam-utilizing atomic layer vapor deposition apparatus wherein a workpiece is irradiated with a neutral beam formed by neutralizing a radical flux, i.e., an ion beam, generated by converting a second gas into a plasma, and to provide an atomic layer vapor deposition method utilizing the apparatus.例文帳に追加

第２の反応ガスをプラズマ化して発生されたラジカルのフラックス、すなわち、イオンビームを中性ビーム化して被処理基板に照射するようにした中性ビームを利用した原子層蒸着装置及びこの装置を利用した原子層蒸着方法を提供する。 - 特許庁

Dispersion of a plurality of nanoparticles is conducted by a step of decompressing an internal pressure less than the atmospheric pressure using a vapor deposition apparatus so that the nanoparticles of nanoparticle precursors are vapor deposited on the ion gel.例文帳に追加

複数のナノ粒子の分散は、ナノ粒子分散イオンゲルは、内部気圧を大気圧よりも減圧させた蒸着装置を用いて、ナノ粒子前駆体のナノ粒子をイオンゲルに蒸着させる工程により行われる。 - 特許庁

The lens 4 is rocked by the rocking mechanism 5 in such a manner that a vapor deposition region using cluster ion assist with an incidence angle of ≤30° covers the whole of the effective face of the lens 4.例文帳に追加

入射角３０度以下のクラスターイオンアシストを用いた蒸着領域がレンズ４の有効面全体に及ぶように、揺動機構５によってレンズ４を揺動させる。 - 特許庁

A transparent substrate with not more than 2 nm of arithmetic average surface roughness is used, and the positive electrode laminated on the transparent substrate is formed by means of vapor deposition or ion plating.例文帳に追加

表面の算術平均粗さが２ｎｍ以下の透明基板を用い、その上に積層する陽極を、蒸着法或いはイオンプレーティング法により形成する。 - 特許庁

Then, on the surface of the 1st ultraviolet hardened coating film layer 13, a chromium vapor deposition film layer 14 in which chromium has been vacuum-deposited by an ion plating method has been formed.例文帳に追加

そして、第１紫外線硬化塗膜層１３の表面にはクロムをイオンプレーティング法により真空蒸着させたクロム蒸着膜層１４が形成されている。 - 特許庁

After an oxide film is formed by a vacuum vapor deposition method on a substrate containing a fluoride or on a fluoride thin film, another oxide film is formed by an ion plating method or an ion assist method on the first oxide film.例文帳に追加

フッ化物を含む基板上またはフッ化物薄膜上に、真空蒸着法により酸化物膜を形成した後、酸化物膜の上にイオンプレーティング法またはイオンアシスト法により酸化物膜を形成する。 - 特許庁

In the vapor deposition film, plasma treatment by a reactive ion etching (RIE) method is applied to one side of a coextrusion stretched film base material made of at least a polyester resin and a polyamide resin, and a vapor deposition film layer of an inorganic compound is formed on the plasma-treated surface.例文帳に追加

少なくともポリエステル樹脂とポリアミド樹脂からなる共押出し延伸フィルム基材の片面に、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）法によるプラズマ処理を施し、該プラズマ処理面上に無機化合物の蒸着膜層を設けたことを特徴とする蒸着フィルムである。 - 特許庁

This radiation image conversion panel has: the substrate formed of a metal or an alloy; an oxide layer formed on the substrate by a vapor phase deposition method such as a sputtering method, an ion plating method or an ion beam assist evaporation method; and a phosphor layer formed on the oxide layer by a vapor phase deposition method.例文帳に追加

本発明の放射線像変換パネルは、金属または合金により構成された基板と、この基板上に、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法またはイオンビームアシスト蒸着法などの気相堆積法により形成された酸化物層と、この酸化物層上に気相堆積法により形成された蛍光体層とを有するものである。 - 特許庁

The process unit 1 is a vacuum device such as a vapor deposition device, a molecular beam epitaxial device, or an ion beam spatter device, or a film growing device, a surface treatment device or the like such as an organic metal vapor phase growing device, a liquid phase epitaxial device or the like.例文帳に追加

プロセス装置１は、蒸着装置、分子ビームエピタキシャル装置、イオンビームスパッタ装置等の真空装置や、有機金属気相成長装置、液相エピタキシャル装置等の薄膜成長装置、表面加工装置等である。 - 特許庁

This Cr-B-N alloy film is formed preferably by a physical vapor deposition method, particularly, an ion plating method, a vacuum deposition method or a sputtering method, and the content of B is preferably controlled to 0.05 to 20 wt.%.例文帳に追加

このＣｒ−Ｂ−Ｎ合金皮膜が、物理的蒸着法、特にイオンプレーティング法、真空蒸着法またはスパッタリング法で形成されることが好ましく、Ｂ含有量が、０．０５〜２０重量％であることが好ましい。 - 特許庁

The surface of a plug body 1 consisting of a rubber-like elastic body is provided with a thin film 2 of either of a metal oxide or metal nitride by a sputtering process, vapor deposition process, ion plating process or CVD process.例文帳に追加

ゴム状弾性体からなる栓本体１の表面に、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法により、金属酸化物、金属窒化物のいずれかの薄膜２を設ける。 - 特許庁

Hydroxyl radical, which is produced in a hydroxyl-ion producing device 14 outside of a chemical vapor deposition reactor 30, are mixed with a precursor to form a hydroxyl ions-precursor mixture.例文帳に追加

化学蒸着反応器３０の外側のヒドロキシルイオン発生装置１４内で発生させたヒドロキシルラジカルを、先駆物質と混合させてヒドロキシルイオン・先駆物質混合体を形成させる。 - 特許庁

An ion plating system 100 has a substrate holder 28, a crucible 41 and a plasma generation part 50 for evaporating and ionizing a vapor deposition material, a bias electrode 63, and a bias supply 61.例文帳に追加

イオンプレーティング装置１００には、基板ホルダ２８と蒸着物質を蒸発してイオン化する坩堝４１及びプラズマ生成部５０と、バイアス電極６３と、バイアス電源６１とが設けられる。 - 特許庁

At the time of depositing a thin film of chalcophylite type compound on a substrate by vacuum vapor deposition or sputtering, a thin compound film during deposition is irradiated with a first ion beam containing an chalcogenite element (Se or S) at ≤300 V accelerating voltage.例文帳に追加

カルコパイライト系化合物薄膜を真空蒸着又はスパッタ法によって基板上に堆積するに際し、堆積中の化合物薄膜にカルコゲナイト元素（Ｓｅ又はＳ）を含む第１のイオンビームを３００Ｖ以下の加速電圧で照射する。 - 特許庁

To provide a material for vapor deposition or a material for ion-plating capable of obtaining a transparent conductive film of high density, high transparency and low resistance through the high-speed film deposition without any fluctuation in the composition during a sintering process or without generation of any nodule, deformation of a target, or damages such as cracks during the film deposition.例文帳に追加

高密度であって、焼結工程中に組成の変動が起こらず、成膜中に針立ちの発生やターゲットの変形およびひび割れ等の損傷が起こらず、高透明で低抵抗な透明導電膜を高速成膜により得ることが可能な蒸着用あるいはイオンプレーティング用材料を提供する。 - 特許庁

In this method for forming a molding die for an optical element to deposit at least a hard carbon film as a release layer on the molding face by an ion beam vapor deposition method, the hard carbon film is deposited under the conditions of 6 to 21 kV acceleration voltage in the initial stage of film deposition and 0.4 to 4 kV acceleration voltage in the final stage of film deposition.例文帳に追加

イオンビーム蒸着法により、成形面に少なくとも硬質炭素膜を離型層として形成する光学素子成形用型の形成方法において、該硬質炭素膜を成膜初期に加速電圧を６〜２１ｋＶとし、成膜終期に加速電圧を０．４〜４ｋＶとして印加し、成膜することを特徴とする。 - 特許庁

A plurality of sets of alternate multilayered films combined with ZnSe or Zns as low-refractive index layers and Ge as high-refractive index layers on a silicon or oxygen-free silicon substrate are formed by ion assisted vapor deposition.例文帳に追加

シリコンまたは無酸素同基材の上に、低屈折率層としてＺｎＳｅまたはＺｎＳを、高屈折率層としてＧｅを組み合わせた交互多層膜を複数組、イオンアシスト蒸着する。 - 特許庁

The film deposition system comprises: a plasma chemical vapor growth means having a plasma linear source 7; an ion etching treatment means having an ion etching roller 5 arranged at prescribed intervals with the plasma linear source 7; and a film conveying means making a film 3 pass between the plasma linear source 7 and the ion etching roller 5.例文帳に追加

本発明の成膜装置は、プラズマリニアソース７を有するプラズマ化学気相成長手段と、プラズマリニアソース７と所定間隔をおいて配置されているイオンエッチングローラー５を有するイオンエッチング処理手段と、プラズマリニアソース７とイオンエッチングローラー５との間においてフィルム３を通過させるフィルム搬送手段と、を具備する。 - 特許庁

The coated turbine engine 100 components include the turbine engine components 102, 104, 106, 108, 110, 112, and the erosion resistant coatings arranged on at least a portion on the surface of the turbine engine components 102, 104, 106, 108, 110, 112 by using electron beam physical vapor deposition or ion plasma cathode arc vapor deposition.例文帳に追加

被覆されたタービンエンジン１００構成要素は、タービンエンジン構成要素１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１２と、電子ビーム物理蒸着又はイオンプラズマカソードアーク蒸着を用いてタービンエンジン構成要素１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１２の表面の少なくとも一部分上に配置された耐浸食性コーティングとを含んでいる。 - 特許庁

Pretreatment using plasma of a reactive ion etching (RIE) mode is applied to at least one surface of a substrate consisting of an antistatic plastic material, and a vapor deposition layer with a thickness of 5-100 nm comprising a metal or an inorganic compound is provided on the treated surface of the substrate to constitute the vapor deposition film strong in adhesion having the antistatic capacity.例文帳に追加

帯電防止性を有するプラスチック材料からなる基材の少なくとも一方の面に、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）モードのプラズマを利用した前処理を施し、その上に厚さ５〜１００ｎｍの金属もしくは無機化合物からなる蒸着層を設けることを特徴とする帯電防止性能を有する強密着蒸着フィルムである。 - 特許庁

At this time, the Cr-V-B-N alloy film is formed preferably by a physical vapor deposition method, particularly, an ion plating method, a vacuum deposition method or a sputtering method, and, preferably, the content of V is 0.1 to 30 wt.%, and the content of B is 0.05 to 20 wt.%.例文帳に追加

このとき、Ｃｒ−Ｖ−Ｂ−Ｎ合金皮膜が、物理的蒸着法、特にイオンプレーティング法、真空蒸着法またはスパッタリング法で形成されることが好ましく、Ｖ含有量が０．１〜３０重量％およびＢ含有量が０．０５〜２０重量％であることが好ましい。 - 特許庁

A sintering tray base material is formed of alumina, and the base material surface is coated with a metal film of the same quality as a metal of the ceramic capacitor by a coating method performing deposition in a form of a vapor phase or an ion, such as a sputtering method.例文帳に追加

焼結用トレイ基材をアルミナで形成すると共に基材表面にセラミックコンデンサーの金属と同質の金属膜をスパッター法などの気相、イオンなどの形態で堆積するコーティング法により被覆する。 - 特許庁

A method for manufacturing the separator 1 for the fuel cell is that a coating layer 14 (a carbon layer as a corrosion resistant layer) is formed on a metallic substrate 12 by combining a filterless arc ion plating method with a vapor deposition method different from the filterless arc ion plating method, and a conductive part is formed on the carbon layer by the filterless arc ion plating method.例文帳に追加

燃料電池用セパレータ１の製造方法は、フィルターレスアークイオンプレーティング法及び前記フィルターレスアークイオンプレーティング法と異なる蒸着法を併用して、金属基板１２上に被覆層１４（耐食層としてのカーボン層）を形成すると共に、前記フィルターレスアークイオンプレーティング法により、前記カーボン層に導電部を形成する。 - 特許庁

The external electrode 2 can be formed from ITO and the like in addition to a conductive adhesive, and can also be formed as a metal film by the vapor deposition method or ion plating method, and may cover even an end of the glass tube 1.例文帳に追加

また外部電極２は、導電性接着剤の他、ＩＴＯなどにより形成することができ、蒸着法やイオンプレーティング法などにより金属膜として形成することもでき、ガラス管１の端部まで覆うものとしても良い。 - 特許庁

The process device 1 is a vacuum device, such as a vapor deposition device, a molecular beam epitaxial device or an ion beam sputtering device, or a thin-film growth device, such as an organic-metal gas-phase growth device or a liquid phase epitaxial device, or a surface treatment device, etc.例文帳に追加

プロセス装置１は、蒸着装置、分子ビームエピタキシャル装置、イオンビームスパッタ装置等の真空装置や、有機金属気相成長装置、液相エピタキシャル装置等の薄膜成長装置、表面加工装置等である。 - 特許庁

Further, as a crucible 8, the one whose opening diameter is smaller than that of a substrate holder 16 is used, thus the amount of vapor upon arrival at the substrate 6 can be made uniform on the substrate 6, and uniform film deposition by ion plating is made possible.例文帳に追加

また、坩堝８として開口径が、基板ホルダー１６の径より小さいものを用いることより、基板６到達時の蒸気量を基板６上で均一にすることができ、イオンプレーティングによる均一成膜が可能である。 - 特許庁

Because acceleration energy can be minimized by the use of the helium ion beam, the rise in the temperature of the substrate at vapor deposition can be prevented and the titanium oxide thin film can be formed even on the substrate made of organic material easily affected by heat.例文帳に追加

ヘリウムイオンビームを用いることにより、加速エネルギーが小さくてすむため、蒸着の際の基板の温度上昇を押さえることができ、熱に弱い有機材料基板上にも酸化チタン薄膜を形成させることができる。 - 特許庁

A copper foundation film is formed on the surface of the resin substrate cleaned by ion irradiation or neutral atom irradiation, etc., by vapor deposition or sputtering, and copper foil is press-bonded to the formed copper foundation film.例文帳に追加

イオン照射あるいは中性原子照射等による清浄化処理を施した樹脂基板の表面に銅の下地膜を蒸着あるいはスパッタリングによって形成し、形成された銅の下地膜上に銅箔を加圧接合する。 - 特許庁

This electrophotographic photosensitive body is constituted in such a manner that a film is formed by a vapor deposition method using the metallic complex in which nitrogen atom, oxygen atom and metallic ion have a specified coordination environment and, thereupon, a charge generation layer and a charge transport layer are successively formed.例文帳に追加

本発明は、窒素原子と酸素原子と金属イオンが特定の配位環境を有する金属錯体を蒸着法により形成した膜とし、その上に順次、電荷発生層、電荷輸送層を形成する構成である。 - 特許庁

In the method for synthesizing carbon nanotubes 4 by catalytic vapor deposition of carbon from a vapor phase on a catalyst layer 3 formed on a support member 1, in order to alter the physical, chemical and/or electrically conductive properties of carbon nanotubes, ion beams 2 are used before, during and/or after formation of the carbon nanotubes 4.例文帳に追加

カーボンナノチューブの物理的、化学的及び／又は導電性特性を変更するために、イオンビーム２をカーボンナノチューブ４形成の前、間及び／又は後に用いる、気相からのカーボンの触媒蒸着により、支持体部材１上に形成された触媒層３にカーボンナノチューブ４を合成する方法とする。 - 特許庁

In an ionic vapor deposition apparatus comprising an ion source, a duct and a film formation chamber with a set substrate, a mechanism for controlling an ion beam is disposed and ions are made incident intermittently on the substrate with a period of ≥5 sec-1 to release internal pressure remaining in the sample and to relieve internal stress.例文帳に追加

イオン源と、ダクトと、基板の置かれた成膜室とからなるイオン蒸着装置に於いて、イオン流を制御する機構を設け、少なくとも５ｓｅｃ~^1以上の周期で基板にイオンを間欠的に入射させることにより、試料内に残留する内部圧力を開放し、内部応力を緩和できる。 - 特許庁

The method for manufacturing the inkjet head using a piezoelectric element is characterized in that after a piezoelectric material substrate 1 in which a plurality of side walls and channels 11 being paths for ink are alternately arranged side by side is plasma-treated, an electrode 6 is formed by vapor deposition without ion irradiation by an ion gun.例文帳に追加

圧電素子を使用するインクジェットヘッドの製造方法において、複数の側壁とインクの通路となるチャネル１１とが交互に並設された圧電材料基板１をプラズマ処理した後、イオン銃によるイオン照射なしに蒸着により電極６を形成することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。 - 特許庁

By irradiating the principal surface of the optical substrate 200 with ion beams of xenon gas, the barium fluoride film 210 is formed by vapor deposition supported by the ion beams of the xenon gas on the smoothened principal surface of the optical substrate 200, and further the zinc selenide film 220 is formed on the barium fluoride film 210.例文帳に追加

光学基材２００の主表面にキセノンガスのイオンビームを照射することによって光学基材２００の平滑化された主表面上に、キセノンガスのイオンビームで支援された蒸着により、弗化バリウム膜２１０を形成し、弗化バリウム膜２１０の上にセレン化亜鉛膜２２０を形成する。 - 特許庁

The magnetic recording medium has such constitution that a magnetic layer having a ferromagnetic metal thin film is formed at a main plane of a non-magnetic supporter of long-length, and a protective layer containing carbon formed by chemical vapor deposition utilizing an ion source including a hollow cathode is formed on this magnetic layer.例文帳に追加

長尺状の非磁性支持体の一主面に強磁性金属薄膜を有する磁性層を形成し、この磁性層上に、ホローカソードを含むイオン源を利用する化学気相成長法により炭素を含有する保護層を形成する。 - 特許庁

In the aluminum stabilized laminate, a stabilizing layer composed of metal and having 0.001 to 1μm thickness is laminated by sputtering, vapor deposition or ion plating on the whole surface of a thin film whose surface is composed of at least aluminum.例文帳に追加

表面が少なくともアルミニウムで構成される薄膜の全面に、金属で構成される厚み０．００１〜１μｍの安定化層をスパッタリング法、蒸着法またはイオンプレーティング法のいずれかの方法により積層してなるアルミニウム安定化積層体に関する。 - 特許庁

The correcting method for a photomask to correct a white defect in a photomask is characterized in that: a deposition film 11 is formed at a white defect portion C by a FIB-CVD (focused ion beam chemical vapor deposition) system; if the film protrudes a desired pattern, the protruding portion 2 is shaved off with a needle; and the needle is preferably a probe of a scanning probe microscope.例文帳に追加

フォトマスクの白欠陥を修正するフォトマスク修正方法において、白欠陥部ＣにＦＩＢ−ＣＶＤ方式でデポジション膜１１を形成し、膜の形状が所望の形状よりはみ出た場合、はみ出た部分２を針で削りとり、好ましくは前記針は、走査プローブ顕微鏡の探針であることを特徴とする。 - 特許庁

The protective film for PDP is formed by the electron beam vapor deposition method, the ion irradiation vapor deposition method or the sputtering method using the single crystal MgO sintered compact as the target material.例文帳に追加

粒径２００μm以上の粒子を含有するとともに、Ｘ線回折法により測定した（２００）面のＸ線強度及び（１１１）面のＸ線強度を、それぞれａカウント毎秒及びｂカウント毎秒としたとき、２０＜ａ／ｂ＜３００であることを特徴とする単結晶ＭｇＯ焼結体、及び、この単結晶ＭｇＯ焼結体をターゲット材として使用し、電子ビーム蒸着法、イオン照射蒸着法、又はスパッタリング法により製造したＰＤＰ用保護膜である。 - 特許庁

To provide a method for correcting a photomask deficiency defect by which an FIB (focused ion beam) correction device can be used as a tool to correct a minute edge deficiency defect portion in a circuit pattern part, the deficiency defect region of the circuit pattern part is subjected to vapor deposition with high accuracy, and the photomask having excellent cleaning durability can be obtained.例文帳に追加

回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることができ、精度良く回路パターン部の欠損欠陥領域に蒸着するとともに、フォトマスクの耐洗浄性に優れたフォトマスク欠損欠陥修正方法を提供する。 - 特許庁

Preferably, the liquid-impermeable catalyst layer is formed through at least one process chosen from electroplating, vapor deposition, sputtering and ion plating, has a thickness of 0.5-30 μm and has a platinum group metal deposited inside or on its surface through electroless plating.例文帳に追加

前記液不透過性触媒層が電気めっき、蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティングのいずれかの１つ以上の方法により形成され、その厚さが０．５μｍから３０μｍであること、前記隔膜の表面或いはまた内部に、無電解めっきによる白金族金属を担持していることが好ましい。 - 特許庁

In an ion plating apparatus 10, the center O2 of a substrate W is determined at a position deviated from the position immediately above the center O1 of a hearth 3a which has a vapor deposition material 6 filled in a through hole TH by a distance D which is one half of the length of one side of the substrate W.例文帳に追加

イオンプレーティング装置１０は、蒸着材料６を貫通孔ＴＨに装填したハース３ａの中心点Ｏ１の直上の位置から基板Ｗの１辺の半分の長さ分の距離Ｄだけずれた位置に基板Ｗの中心点Ｏ２が定められる。 - 特許庁

The conductive layers include conductive materials, such as metals, metal oxides or carbon, formed on the film by a technique, such as vapor deposition or ion sputtering and the conductive resins, such as resins containing the conductive materials and conductive high polymers, formed as multilayers.例文帳に追加

また導電層としては、金属や金属酸化物あるいはカーボンなどの導電性材料を蒸着、イオンスパッタリングなどの手法によりフィルム上に形成したもの、導電性材料を含有する樹脂、導電性高分子などの導電性樹脂を多層化したものなどが挙げられる。 - 特許庁