「ion vapor deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A diamond-like carbon thin film D is applied onto a sliding face S2 of an outer clutch plate 34b by known methods such as a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, a PVD (Physical Vapor Deposition) method and an ion vapor deposition method.例文帳に追加

アウタクラッチプレート３４ｂの摺動面Ｓ２にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition ）法、イオン蒸着法等の公知の方法によりダイヤモンド状炭素薄膜Ｄを施す。 - 特許庁

The method for forming the film uses an ion-beam vapor deposition method or a plasma vapor deposition method.例文帳に追加

成膜方法には、イオンビーム蒸着法またはプラズマ蒸着法を用いる。 - 特許庁

The second oblique vapor deposition films 23 with gentle inclination are formed by ion-assist vapor deposition.例文帳に追加

緩傾斜の第２種の斜め蒸着膜２３は、イオンアシスト蒸着によって形成される。 - 特許庁

On a slide surface S2 of an outer clutch plate 34b, a diamond- like carbon thin film D is applied by a known method such as a CVD(Chemical Vapor Deposition) method, a PVD(Physical Vapor Deposition) method, and an ion deposition method.例文帳に追加

アウタクラッチプレート３４ｂの摺動面Ｓ２にＣＶＤ（ChemicalVapor Deposition ）法、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition ）法、イオン蒸着法等の公知の方法によりダイヤモンド状炭素薄膜Ｄを施す。 - 特許庁

A DLC-Si thin film D is applied to a sliding surface S2 of an outer clutch plate 34b by publicly known method such as CVD (Chemical Vapor Deposition) method, PVD (Physical Vapor Deposition) method and Ion Deposition method or the like.例文帳に追加

アウタクラッチプレート３４ｂの摺動面Ｓ２にＣＶＤ（ChemicalVapor Deposition ）法、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition ）法、イオン蒸着法等の公知の方法によりＤＬＣ−Ｓｉ薄膜Ｄを施す。 - 特許庁

The inorganic oxide layer is preferably manufactured by a vacuum deposition method, a spattering method, an ionization vapor deposition method, an ion beam method, or a chemical vapor phase deposition method.例文帳に追加

前記無機酸化物層は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオン化蒸着法、イオンビーム法、または化学気相蒸着法により作製されるのが好ましい。 - 特許庁

Further, it is possible that a vapor deposition with the vapor generated from the molten solution is performed simultaneously with the ion implantation.例文帳に追加

また、融液から発する蒸気による蒸着をイオン注入と同時に行うこともできる。 - 特許庁

The inorganic oriented film layer 41 is formed by, for example, a rhombic vapor-deposition process and the organic oriented film layer 42 is formed by an ion vapor-deposition process using an acrylic monomer as a vapor deposition material.例文帳に追加

無機配向膜層４１は例えば斜方蒸着法により形成され、有機配向膜層４２は、蒸着材料としてアクリルモノマーを用いたイオン蒸着法により形成される。 - 特許庁

The DLC-Si film D is applied to the sliding face S2 of an outer clutch plate 34b, by the well known method such as CVD (Chemical Vapor Deposition) method, PVD (Physical Vapor Deposition) method, ion vapor deposition method, and so on.例文帳に追加

アウタクラッチプレート３４ｂの摺動面Ｓ２にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、イオン蒸着法等の公知の方法によりＤＬＣ−Ｓｉ薄膜Ｄを施す。 - 特許庁

The vapor deposition metal film 3 is formed by vacuum vapor deposition, ion plating, EB vapor deposition or sputtering and the thickness thereof is preferably 10-200 mμm.例文帳に追加

前記蒸着金属膜が３真空蒸着、イオンプレーティング、ＥＢ蒸着あるいはスパッタリングで形成されていること、厚さが１０ｍμｍ以上、２００ｍμｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁

Also, the system has an ion supply source 12 for irradiating the material for vapor deposition held at the crucible 2 with cation in vapor deposition operation.例文帳に追加

また、蒸着動作時において坩堝２に保持された蒸着材料に対して陽イオンを照射するイオン供給源１２を有する。 - 特許庁

In the stage of the vapor deposition, the thin film 16 is irradiated with ions from an ion source 18.例文帳に追加

蒸着の工程において、イオン源１８からイオンを薄膜１６に照射する。 - 特許庁

The transparent conductive film 2, oxidation coloring film 3, electrolytic film 4, reduction coloring film 5, and transparent conductive film 6 are formed by vacuum vapor-deposition, ion plating, ion assisted vapor-deposition, sputtering, etc.例文帳に追加

透明導電膜２、酸化発色膜３、電解質膜４、還元発色膜５、透明導電膜６が、真空蒸着、イオンプレーティング、イオンアシスト蒸着、スパッタリング法等で成膜される。 - 特許庁

To provide a vapor deposition system where the phenomenon that vapor 10 of a vapor deposition material 5 in a crucible 6 and an ion 13 ionized by an electron beam 8 reach an electron gun 7 is prevented.例文帳に追加

ルツボ６内の蒸着材料５の蒸気１０や、電子ビーム８でイオン化されたイオン１３が、電子銃７に到達することを防止した蒸着装置を提供する。 - 特許庁

The protective film 12 can be deposited by ion-plating, expansive thermal plasma, the plasma-excited chemical vapor deposition method, the organic metal vapor deposition method, the organic metal vapor deposition epitaxy, sputtering, electronic beams, plasma spray or the like.例文帳に追加

保護膜１２は、イオンプレーティング、膨張性熱プラズマ、プラズマ励起化学気相成長法、有機金属化学気相成長法、有機金属気相エピタキシー、スパッタリング、電子ビーム、プラズマスプレーなどにより成膜することができる。 - 特許庁

To provide an ion-assisted vapor deposition apparatus 1 capable of minimizing the exhaust time.例文帳に追加

排気時間を最大限に短縮することが可能なイオンアシスト蒸着装置１を提供する。 - 特許庁

At this time, vapor-phase growth such as vacuum deposition, sputtering, laser ablation, and ion plating is used.例文帳に追加

このとき、真空蒸着，スパッタリング，レーザーアブレーション，イオンプレーティング等の気相成長法を用いる。 - 特許庁

An ion-enhanced physical vapor deposition is augmented by sputtering to deposit multi-component materials.例文帳に追加

イオン強化物理蒸着が、複数成分材料を堆積させるのにスパッタリングにより増大される。 - 特許庁

The plasma for vapor deposition 10 is generated and maintained with the irradiation of the ion beam 9.例文帳に追加

イオンビーム９の照射によって蒸着用プラズマ１０の生成および維持が行われる。 - 特許庁

Hard mask fabrication for magnetic random access memory elements using focused ion beam assisted selective chemical vapor deposition. 例文帳に追加

集中イオンビーム補助選択的化学蒸着を利用した磁気RAM素子のためのハードマスク製造。 - コンピューター用語辞典

The metallic thin film is preferably formed by either of processes such as vapor deposition, ion plating and sputtering.例文帳に追加

金属被膜は、蒸着、イオンプレーティングおよびスパッタリングのいずれかの方法で成膜するのが好ましい。 - 特許庁

To optimize an ion irradiation angle when an inorganic alignment film is formed of SiO_2 by oblique vapor deposition using an ion assist in combination.例文帳に追加

イオンアシストを併用した斜方蒸着によりＳｉＯ_2からなる無機配向膜を形成する際のイオン照射角度を最適化する。 - 特許庁

In this molded substrate for a circuit, coating treatment with metal is performed by using physical vapor deposition method selected from among sputtering, vacuum vapor deposition and ion plating, after a surface has been treated by plasma.例文帳に追加

表面にプラズマ処理をした後にスパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる物理蒸着法で金属の被覆処理がなされる回路用成形基板に関する。 - 特許庁

The covering layer is the intra-orally worn body formed by preferably a chemical vapor deposition method, especially a plasma CVD method, or by a physical vapor deposition method, especially an ion plating method.例文帳に追加

前記被覆層は、好ましくは化学的蒸着法、特にプラズマＣＶＤ法、または物理的蒸着法、特にイオンプレーティング法により形成されて成る口腔内装着体である。 - 特許庁

A vapor deposition method and an ion beam sputtering method are adopted at a time so as to form a film in which a structure of low denseness is formed by the vapor deposition method and vacancies of this structure are filled with a structure of high denseness formed by the ion beam sputtering method.例文帳に追加

蒸着法とイオンビームスパッタ法とを同時に適用して、蒸着法によって形成された緻密度の低い構造の隙間にイオンビームスパッタ法によって形成された緻密度の高い構造のものを埋めた膜を形成する。 - 特許庁

When all the layers are formed using a sputtering method, a vapor deposition method, or a chemical vapor phase growth method, a solid lithium ion secondary battery can be obtained.例文帳に追加

全ての層をスパッタ法、蒸着法、または化学気相成長法を用いて形成すれば、固体リチウムイオン二次電池も実現することができる。 - 特許庁

To provide a method for producing SiO_x (x<1) which has excellent cycle properties when used as a negative electrode active material for a lithium ion secondary battery, and which enables a vapor deposition film to be deposited, the vapor deposition film having excellent gas barrier properties when used as a vapor deposition material for a barrier film.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池の負極活物質として用いた場合に優れたサイクル特性を有し、バリアフィルムの蒸着材料として用いた場合にガスバリア性に優れた蒸着膜を形成できるＳｉＯ_x（ｘ＜１）の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for repairing a turbine member uses an ion enhanced physical vapor deposition to deposit a repairing material on a Ti alloy turbine component.例文帳に追加

イオン強化物理蒸着が、Ｔｉ合金タービン部品上に修理材料を堆積させるのに使用される。 - 特許庁

Thus, the state of the plasma for vapor deposition 10 is stably controlled by controlling the ion beam 9.例文帳に追加

よって、イオンビーム９を制御することにより、蒸着用プラズマ１０の状態を安定的に制御することができる。 - 特許庁

A vacuum film deposition system is provided with an ion source in a film deposition chamber, and a thin film is deposited by projecting ion seeds on a film traveling according to the rotation of a main roll by the sputtering method, the CVD method, the vapor deposition method, etc.例文帳に追加

本真空成膜装置は、成膜チャンバ内にイオンソースを備え、メインロールの回転に応じて走行するフィルム上にスパッタ法、ＣＶＤ法、蒸着法等によりイオン種を投射して薄膜を成膜する装置である。 - 特許庁

The structure part and/or the electrode layers and the buffer part are consecutively formed by a sputter method, a vapor deposition method, an aerosol deposition method, an ion plating method, an ion cluster method, a laser beam abrasion method, etc.例文帳に追加

緻密構造部及び／又は電極層と上記バッファ部とを、スパッタ法、蒸着法、エアロゾルデポジション法、イオンプレーティング法、イオンクラスタ法及びレーザービームアブレーション法などによって連続して形成する。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact with which crazing and cracking do not occur in spite of feeding of a large amount of electronic beams in manufacturing the oxide transparent conductive film by a vacuum vapor deposition method, such as an electronic beam vapor deposition method, ion plating method, high-density plasma-assisted vapor deposition method or the like.例文帳に追加

電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法などの真空蒸着法で酸化物透明導電膜を製造する際に、大量の電子ビームを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact with which crazing and cracking do not occur in spite of feeding of a large amount of energies in manufacturing the oxide transparent conductive film by a vacuum vapor deposition method, such as an electron beam vapor deposition method, ion plating method, high-density plasma-assisted vapor deposition method or the like.例文帳に追加

電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法などの真空蒸着法により酸化物透明導電膜を製造する際に、多量のエネルギーを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact which does not brake or crack even when struck by electron beams in a large dose to be produced into an oxide transparent electroconductive film by a vacuum vapor deposition method such as an electron beam vapor deposition method, an ion plating method, or a high-density plasma-assisted vapor deposition method.例文帳に追加

電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法などの真空蒸着法で酸化物透明導電膜を製造する際に、大量の電子ビームを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

After a discharge hole forming process of making a plurality of the ink discharge holes 100a penetrate a substrate 100 is carried out, a vapor deposition process of vapor depositing an upper layer 101 to the substrate 100 by an ion beam assisting vapor deposition method is carried out.例文帳に追加

基板１００に複数のインク吐出孔１００ａを貫通せしめる吐出孔形成工程を実施した後、イオンビームアシスト蒸着法によって基板１００に上層１０１を蒸着せしめる蒸着工程を実施するようにした。 - 特許庁

The vapor deposition device includes: a substrate holding member 2 holding the plurality of substrates 3; a vapor deposition source 4 holding a vapor deposition material to be deposited onto the plurality of substrates 3; an ion gun 5 for radiating gas ions to the faces of the substrates 3; and a correcting plate 6 for rectifying the radiation direction D1 of the gas ions emitted from the ion gun 5.例文帳に追加

この蒸着装置は、複数の基板３を保持する基板保持部材２と、基板３上に成膜される蒸着物質を保持する蒸着源４と、基板３面にガスイオンを放射するためのイオン銃５と、イオン銃５から照射されるガスイオンの放射方向Ｄ１を整流するための補正板６とを有している。 - 特許庁

In the film forming device in which plasma for vapor deposition 10 is generated by giving an electric impulse on a cathode target 2, target ions in the plasma for vapor deposition 10 are led onto a specimen substrate 4 on which bias voltage is applied and a thin film is formed, the plasma for vapor deposition 10 is generated by irradiating the cathode target 2 with an ion beam 9 generated in an ion source 3.例文帳に追加

陰極ターゲット２に電気的衝撃を与えて蒸着用プラズマ１０を生成し、蒸着用プラズマ１０中のターゲットイオンをバイアス電圧が印加された試料基板４に導いて薄膜を成膜する成膜装置において、イオン源３で生成されたイオンビーム９を陰極ターゲット２に照射して蒸着用プラズマ１０を生成する。 - 特許庁

A rod-like vapor deposition member 22 is loaded into the penetration hole of a hearth installed at the lower part of a vacuum vessel of an ion plating apparatus 10.例文帳に追加

イオンプレーティング装置１０の真空容器の下部に設けたハースの貫通孔にロッド状の蒸着部材２２が装填される。 - 特許庁

To achieve jointing process of an X-ray target material and a heat pipe in shorter time than physical vapor deposition such as ion sputter and laser ablation.例文帳に追加

X線ターゲット材料とヒートパイプの接合工程をイオンスパッタ、レーザーアブレーション等の物理蒸着法よりも短時間に実現する。 - 特許庁

In the method for depositing a fluoride film on a substrate, at the time of vapor-depositing a fluoride by a vapor deposition method so as to deposit a film, the vapor depositing face is irradiated with fluorine based gas cluster ion beams.例文帳に追加

基板上にフッ化物膜を成膜する方法であって、蒸着法によりフッ化物を蒸着させて成膜を施す際に、蒸着面にフッ素系ガスクラスターイオンビームを照射することを特徴とする。 - 特許庁

The inorganic vapor deposition layer of the metal or the inorganic oxide and an organic vapor deposition layer of a 1,3,5-triazine derivative are formed in turn on at least one side of the plastic film substrate, and reactive ion etching (RIE) treatment using plasma is applied to the organic vapor deposition layer.例文帳に追加

プラスチックフィルム基材の少なくとも一方の面に、金属または無機酸化物からなる無機物蒸着層と１，３，５−トリアジン誘導体からなる有機物蒸着層とを順次設けると共に、当該１，３，５−トリアジン誘導体からなる有機物蒸着層にはプラズマを利用したリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）処理を施す。 - 特許庁

The plasma chemical vapor growth means performs film deposition to the film 3 by inductively coupled plasma generated by the plasma linear source 7, and, simultaneously with this film deposition, the ion etching treatment means performs ion etching treatment to the film 3 by ions from the ion etching roller 5.例文帳に追加

前記プラズマ化学気相成長手段は、プラズマリニアソース７により発生する誘導結合プラズマによってフィルム３に成膜を行い、この成膜と同時に前記イオンエッチング処理手段はイオンエッチングローラー５からのイオンによってフィルム３にイオンエッチング処理を行う。 - 特許庁

The titanium oxide-containing layer 5b is a dielectric layer containing ≥10 wt.% titanium oxide expressed in terms of titanium and is formed by the film deposition using sputtering, ion plating or vapor deposition.例文帳に追加

酸化チタン含有層５ｂは、チタン量換算で１０重量％以上の酸化チタンを含む誘電体層であり、スパッタリングやイオンプレーティング、蒸着等の被覆により形成される。 - 特許庁

In order to form the hydrogenated amorphous silicon film on the substrate 10 when vapor-depositing silicon on the substrate 10, the production method further includes irradiating the substrate 10 with an ion beam containing hydrogen ions while the silicon film is deposited, by an ion-beam-assisted vapor-deposition method.例文帳に追加

さらに、基板１０にシリコンを蒸着する際に、基板１０上に水素化アモルファスシリコン膜を形成するために、シリコン膜の堆積と同時にイオンビームアシスト蒸着法によって水素イオンを含むイオンビームを照射する。 - 特許庁

This manufacturing method comprises sequentially electropolishing and ion-etching an uneven substrate as a pretreatment before forming a coating with a physical vapor-deposition (PVD) process.例文帳に追加

凹凸形状の基材を対象に、ＰＶＤ法による皮膜形成の前処理として、電解研磨処理とイオンエッチング処理とを順に行う。 - 特許庁