「ion beams」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus, a stable processing by ion beams is realized, and the ion beam processing device can be stably used.例文帳に追加

このため、イオンビームによる安定加工を実現することができ、イオンビーム加工装置を安定的に使用することが可能となる。 - 特許庁

The shaved quantity of the semiconductor substrate 1 due to the focused ion beams 5 is controlled by changing the irradiation time of the focused ion beams 5 to the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

このとき、集束イオンビーム５による半導体基板１の削れ量を、半導体基板１に対する集束イオンビーム５の照射時間を変化させることによって調整する。 - 特許庁

To provide a liquid metal ion source, capable of improving the stability of an emission current value for ion beams, to provide a method of manufacturing the liquid metal ion source, and to provide an ion beam irradiation device with the liquid metal ion source.例文帳に追加

イオンビームの放出電流値の安定性を向上させることの可能な液体金属イオン源、該液体金属イオン源を製造する方法、及び該液体金属イオン源を備えるイオンビーム照射装置を提供する。 - 特許庁

The ion beam measuring method is provided with a step of measuring temperature of a temperature-measuring member 14 with ion beams 20 kept irradiated on the same 14, and a step of estimating accelerated energy of the ion beams 20 from the above temperature.例文帳に追加

温度測定用部材１４にイオンビーム２０を照射した状態で該温度測定用部材１４の温度を測定するステップと、上記温度からイオンビーム２０の加速エネルギを推定するステップとを有するイオンビーム計測方法による - 特許庁

The ion beam irradiation device has an electrode 20a installed at a position opposed to the side on X direction side of the ion beams 2.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、イオンビーム２のＸ方向側の側面に対向する位置に設けられた電極２０ａを備えている。 - 特許庁

To provide an ion implanting device capable of measuring a degree of parallelism of ion beams at incidence on a substrate and easily adjusting the degree of parallelism.例文帳に追加

基板に入射する際のイオンビームの平行度測定が可能で平行度の調整が容易なイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

Energy is given to ions 2 (B+ beams) having plus charges from the ion generation source of the ion injection device 1, and a wafer 3 is irradiated with the beam.例文帳に追加

イオン注入装置１のイオン発生源よりプラスの電荷を持ったイオン２（Ｂ^+ ビーム）にエネルギーを与え、ウエハ３に照射する。 - 特許庁

The present invention controls a substrate rotation mechanism 70 after one round trip of ion beam irradiation processing, inputs a substrate 2 into an ion beam irradiation device 100 again after rotating the substrate by 180 degrees, and irradiates a range where ion beam irradiation processing has not yet been completed with ion beams to irradiate the whole surface of the substrate with ion beams.例文帳に追加

イオンビーム照射処理を１往復行った後、基板回転機構７０を制御し、基板２を１８０度回転させた後、イオンビーム照射装置１００に再投入し、イオンビーム照射処理未完了の範囲をイオンビーム照射し、基板の全面にイオンビーム照射させることを特徴としたイオンビーム照射方法。 - 特許庁

To make the rotary drive device of a rotary gantry compact by improving the irradiation position accuracy of ion beams.例文帳に追加

イオンビームの照射位置精度を向上させ、回転ガントリーの回転駆動装置を小型化する。 - 特許庁

This relates to an electromagnetic control unit for generating a continuous magnetic field impressed on the continuous ion beams.例文帳に追加

連続イオンビームに加えられる連続磁場を生成するための電磁制御体が記載される。 - 特許庁

To provide a negative ion beam forming method efficiently forming negative ion beams at a low cost, a negative ion beam forming device utilizing the method, a negative ion beam implanting device, and a propulsion unit for space movement.例文帳に追加

低コストで、かつ、効率よく負イオンビームを生成できる負イオンビーム生成方法及びその方法を利用した、負イオンビーム生成装置、負イオンビーム打込み装置及び宇宙空間移動用推進装置を提供する。 - 特許庁

The device for processing the sample by irradiating ion beams from an ion source (an ion gun) on the rear side of the sample is provided with a monitoring means (for instance, a camera and an ion current detector) for monitoring a processing state.例文帳に追加

本発明は、イオン源（イオン銃）から試料の裏面にイオンビームを照射して試料を加工するものであり、加工の状態を監視するための監視手段（例えば、カメラ、イオン電流検出器）を備える。 - 特許庁

A substrate is irradiated with the focused ion beams with raw material gas supplied onto it to form the microstructure made of diamond like carbon on a part irradiated with the focused ion beams (step S101).例文帳に追加

基板の上に原料ガスを供給した状態で集束イオンビームを照射し、集束イオンビームの照射箇所にダイアモンドライクカーボンからなる微小構造体を形成する（ステップＳ１０１）。 - 特許庁

By irradiating ion beams to a region wider than the area of the wafer 20 in order to sufficiently implant impurity ions to the edge part of the wafer 20, ion beams are irradiated even to the platen 10.例文帳に追加

ウエハ２０の端部まで充分に不純物イオンを注入するためにウエハ２０の面積より広い領域にイオンビーム照射することによって、プラテン１０にもイオンビームが照射される。 - 特許庁

A gas cluster ion beam irradiation part 20 ionizes and accelerated the gas cluster generated, and gas cluster ion beams G are irradiated on the surface of a substrate W.例文帳に追加

ガスクラスターイオンビーム照射部２０は、生成したガスクラスターをイオン化して加速し、ガスクラスターイオンビームＧを基板Ｗの表面に照射する。 - 特許庁

Ion beams B generated from an ion beam source 3 are radiated toward a sputter target 2 to generate film deposition particles toward a substrate W.例文帳に追加

イオンビーム源３から発生されたイオンビームＢをスパッタターゲット２に向かって放射し、基板Ｗに向かって成膜粒子を発生させる。 - 特許庁

This manufacturing method for semiconductor element includes a step for scanning a plurality of regions of a semiconductor substrate with ion beams with ion implantation conditions different from one another for each region.例文帳に追加

半導体基板の複数の領域に各領域ごとに相異なるイオン注入条件でイオンビームを走査するステップを有する。 - 特許庁

The ion beam irradiation device is of a structure in which ion beams 100 scanned in an X direction are irradiated on the substrate 90 held by a holder 2.例文帳に追加

Ｘ方向に走査されるイオンビーム１００をホルダ２に保持された基板９０に照射する構成のイオンビーム照射装置に関する。 - 特許庁

While amplitude-modulating a draw-out voltage in a draw-out voltage modulation part 12a, ions are drawn out from an ion source 1, and ion beams drawn out from the ion source 1 are driven into a wafer W.例文帳に追加

引き出し電圧変調部１２ａにて引き出し電圧を振幅変調しながらイオン源１からイオンを引き出し、イオン源１から引き出されたイオンビームをウェハＷに打ち込む。 - 特許庁

The ion injecting device includes an ion radiating section 4 for radiating ion beams where respective injection angles to a plurality of arbitrary regions of a treatment substrate 16 have set values.例文帳に追加

イオン注入装置は、処理基板１６の任意の複数の領域に対するそれぞれの注入角度が設定値を有するイオンビームを照射するイオン照射部４を含む。 - 特許庁

The molecule beam device generates ion beams using the polynuclear metal molecules.例文帳に追加

本発明による分子ビーム装置は、多核金属分子を用いてイオンビームを生成することを特徴とする。 - 特許庁

Another process includes using low energy beams for ion beam lithography to make the nanopores.例文帳に追加

別のプロセスは、ナノ孔を作るためイオンビームリソグラフィーのための低エネルギーイオンビームを使用する工程を備える。 - 特許庁

To efficiently adjust a current density distribution of beams of respective ribbon-like ion beams in an ion implanter for at least partially overlapping irradiation regions on a glass substrate by m (m is an integer equal to or larger than 2) lines of ribbon-like ion beams and realizing a predetermined implantation amount distribution.例文帳に追加

ｍ（ｍは２以上の整数）本のリボン状イオンビームによるガラス基板上での照射領域を少なくとも部分的に重ね合わせて、ガラス基板上に所定の注入量分布を実現するイオン注入装置において、各リボン状イオンビームのビームの電流密度分布を効率的に調整する。 - 特許庁

To automatically detect the damaged site of a reticle in a charged-particle beam exposure device, regarding the device conducting an exposure by using charged-particle beams such as electron beams, ion beams or the like.例文帳に追加

本発明は、電子線、イオンビーム等の荷電粒子線を用いて露光を行う荷電粒子線露光装置に関し、レチクルの破損部位を装置内で自動的に検出することを目的とする。 - 特許庁

2. Equipment designed to be capable of manufacturing masks, semiconductor devices or integrated circuits, among those using electron beams, ion beams or laser beams, those that fall under any of the following 例文帳に追加

（二）　マスク、半導体素子又は集積回路の製造をすることができるように設計した装置であって、電子ビーム、イオンビーム又はレーザー光を用いた装置のうち、次のいずれかに該当するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

In the ion beam sputtering apparatus for depositing an insulating thin film on a substrate by irradiating a target with ion beams from an ion gun, a conductive target 31 is arranged at the position where a part of the ion beams are emitted, and a conductive film is deposited on a grid 22 of the ion gun 13 by particles sputtered out from the conductive target 31.例文帳に追加

イオンガンよりイオンビームをターゲットに照射して絶縁性の薄膜を基板上に成膜するイオンビームスパッタ装置において、イオンビームの一部が照射される位置に導電材ターゲット３１を配置し、その導電材ターゲット３１よりスパッタアウトされた粒子によってイオンガン１３のグリッド２２に導電膜が堆積される構成とする。 - 特許庁

Ions within the second plasma chamber 12a are drawn out outside by a drawing-out electrode 20a via an ion drawing-out hole 14a, to be emitted as ion beams.例文帳に追加

第二のプラズマ室１２ａ内のイオンは引出電極２０ａによりイオン引出孔１４ａを通して外部に引き出され、イオンビームとして放出される。 - 特許庁

When the temperature of the refrigerant becomes a predetermined operating temperature range or less, operation of the freezer is stopped and generation of ion beams by the gas field ionization ion source is started.例文帳に追加

冷媒の温度が所定の作動温度範囲以下になったら、冷凍機の運転を停止し、ガス電界電離イオン源によるイオンビームの生成を開始する。 - 特許庁

When the temperature of the refrigerant becomes a predetermined operating temperature range or more, generation of ion beams by the gas field ionization ion source is stopped, and the freezer is operated.例文帳に追加

冷媒の温度が所定の作動温度範囲以上になったら、ガス電界電離イオン源によるイオンビームの生成を停止し、冷凍機の運転を行う。 - 特許庁

To provide a processing method of focusing ion beams that minimizes the damages to a sample in processing, by irradiating an ion beam on the surface of the sample.例文帳に追加

試料の表面にイオンビームを照射して加工する際に、試料の損傷を最小限とする集束イオンビームの加工方法を提供する。 - 特許庁

In the ion beam path control device 10 having a reflection section 11 wherein ion beams L are incident, the reflection section 11 has a reflecting surface 110 for reflecting the ion beams L, and the reflecting surface 110 is a surface of a dielectric wherein the outermost surface is formed of atoms having the atomic numbers greater than that of the ions of the ion beam L.例文帳に追加

イオンビームＬが入射する反射部１１を備えたイオンビーム軌道制御装置１０であって、反射部１１がイオンビームＬを反射する反射面１１０を有し、その反射面１１０が、イオンビームＬのイオンより原子番号の大きい原子により最表面が構成されている誘電体表面である。 - 特許庁

An ion beam irradiation apparatus 10 can be regarded as a structure made by combining an ion/electron generator 20 of a laser-actuated type with an ion transporter 30, and guides ion beams of low directivity generated by the ion/electron generator 20 to the end by enhancing the directivity of them or focusing them in the ion transporter 30.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置１０は、レーザー駆動型のイオン・電子発生装置２０と、イオン輸送装置３０とを組み合わせた構成と考えることができ、イオン・電子発生装置２０から発した指向性の低いイオンビームを、イオン輸送装置３０において指向性を高め、あるいは集束して末端まで導く。 - 特許庁

A characteristic control means for each ion beam is provided in the running path of the plurality of the impurity ion types of the ion beams 4 and 5 emitted from the emission part of the mass spectrometry part 3.例文帳に追加

質量分析部３の出射部から出射せしめられた複数の不純物イオン種のイオンビーム４，５の走行経路中に、当該イオンビームのための特性制御手段が配置されている。 - 特許庁

Positive ion beam generated by a positive ion source 1 and negative ion beam generated by negative ion source 2 are accelerated together at the same time in front stage accelerators 4, 5, and then the accelerated positive and negative ion beams are commonly utilized in irradiation equipment for RI manufacturing and an accelerator system 9.例文帳に追加

正イオン源１により生成した正イオンビームと負イオン源２により生成した負イオンビームとを前段加速器４，５において同時に加速し、前段加速器４，５によって加速された正イオンビーム及び負イオンビームをＲＩ製造用照射装置８と加速器システム９とで共用する。 - 特許庁

Then, it is confirmed that the leaf becomes a predetermined thickness to complete the processing using the converged ion beams.例文帳に追加

そして、薄片の厚さが所定の厚さになったことを確認して、集束イオンビームによる加工を終了する。 - 特許庁

Then, a sample portion 41 projected from an edge portion 42 of a shielding material 40 is etched by ion beams.例文帳に追加

そして、遮蔽材４０のエッジ部４２から突出した試料部分４１がイオンビームによってエッチングされる。 - 特許庁

Draw-out electrodes 107a, 107b are provided for drawing out ion beams 106 from the plasma 101.例文帳に追加

また、プラズマ１０１からイオンビーム１０６を引き出すための引き出し電極１０７ａ，１０７ｂが設けられている。 - 特許庁

To provide a frequency adjusting apparatus, for a piezoelectric resonator, sing efficient and stable ion beams.例文帳に追加

効率的で安定したイオンビームを用いた圧電振動子の周波数調整装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Ion beams include impurity ions to be implanted, and are accelerated with energy which is not higher than acceleration energy 5 keV.例文帳に追加

注入すべき不純物のイオンを含み、加速エネルギ５ｋｅＶ以下のエネルギで加速されたイオンビームを得る。 - 特許庁

The charge up restraint device 20 has an electron supply member 22 which is installed so as to surround ion beams B.例文帳に追加

チャージアップ抑制装置２０は、イオンビームＢを包囲するように設けられた電子供給部材２２を有している。 - 特許庁

To restrain secondary particles generated by irradiation of ion beams from adhering again to a processing area.例文帳に追加

イオンビームを照射することによって生成された二次粒子が加工領域に再付着することを抑制する。 - 特許庁

The focused ion beams are emitted to make the transmission type electron microscope plane-observed semiconductor thin sample.例文帳に追加

集束イオンビームを照射して透過型電子顕微鏡平面観察用半導体薄片試料を作製する。 - 特許庁

The ion implantation method of implanting ion by irradiating ion beams IB on a semiconductor substrate W through a deflector consists of a process of slanting a beam irradiation face 14a of the deflector 14 against the semiconductor substrate in a stationary state, and a process of irradiating the ion beams IB from the slanted beam irradiation face 14a and implanting ion into the semiconductor substrate W.例文帳に追加

イオンビームＩＢを偏向器１４を介して半導体基板Ｗに照射しイオンを注入するイオン注入方法において、静止させた半導体基板Ｗに対して偏向器１４のビーム出射面１４ａを傾斜させる工程と、傾斜させたビーム出射面１４ａからイオンビームＩＢを照射し、半導体基板Ｗへイオンを注入する工程とを有する。 - 特許庁

Further, the device is provided with a plurality of ion beam supply units 50 each to supply ion beams 54 of a ribbon shape to each treatment chamber 10, and to irradiate ion beams 54 on a whole surface of each substrate 2 in collaboration with the transfer of the substrates 2, and a plurality of ion beam irradiations are carried out on the whole surface of each substrate 2 by the plurality of the ion beam supply units 50.例文帳に追加

更に、各処理室１０にリボン状のイオンビーム５４をそれぞれ供給して、基板２の搬送と協働して、各基板２の全面にイオンビーム５４をそれぞれ照射する複数のイオンビーム供給装置５０を備えていて、各基板２の全面に対して複数のイオンビーム供給装置５０による複数のイオンビーム照射をそれぞれ行うよう構成されている。 - 特許庁

An image acquired by charged particle beams other than ion beams, or an image prepared as external data are used as a peripheral image including the specified region for a sample, and an ion beam scanning prohibition region is set onto the sample.例文帳に追加

試料をうち指定領域を含む周辺画像として、イオンビーム以外の荷電粒子線で取得された画像又は外部データとして用意された画像を使用し、イオンビーム走査禁止領域を試料上に設定する。 - 特許庁