「ion drift」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In an ion mobility spectrometer, a linearity of a flying route of an ion is improved at a non-linear drift region by a reinforced electric field caused by extensions of guard rings to the non-linear drift region.例文帳に追加

非直線ドリフト領域への保護リングの延長による強化電界によって、非直線ドリフト領域でのイオンの飛行経路の直進性を改良したイオン移動度分光計。 - 特許庁

Further, in the case where m/z inherent to the ion component being the detection target substance is detected, the drift voltage is changed to drift voltage for dissociating the ion component being the detection target substance to judge whether a fragment ion of inherent m/z is detected.例文帳に追加

さらに、探知対象であるイオン成分の固有のｍ／ｚが検出された場合、その探知対象物質であるイオン成分を解離させるドリフト電圧に変化させて固有のｍ／ｚのフラグメントイオンの検出の有無を判定する。 - 特許庁

Since the initial drift current value io is overlapped on the ion current value Pi in the ion current detection value, a detection of misfire is carried out based on the current value AD (P/H) and the initial drift current value io.例文帳に追加

イオン電流検出値には、イオン電流値Ｐｉに初期ドリフト電流値ｉｏが重畳するため、電流値ＡＤ（Ｐ／Ｈ）と初期ドリフト電流値ｉｏとに基づいて失火検出を行う。 - 特許庁

An ion implantation layer 6 is formed by driving aluminum ion 5 into a part of an SiC layer with a smoothed surface or an n-type drift layer 2.例文帳に追加

表面が平滑化されているＳｉＣ層であるｎ型ドリフト層２の一部にアルミニウムイオン５を打ち込んで、イオン注入層６を形成する。 - 特許庁

The ion mobility spectrometer, in which a reaction ionizing chamber and/or an ion drift tube is structured with one or more single piece of glass tubes, is disclosed.例文帳に追加

反応イオン化チャンバー及び（又は）イオンドリフト管が一つ又はそれ以上のシングルピースのガラス管にて構成されたイオン移動度スペクトロメータが開示されている。 - 特許庁

The pulse-like ion group introduced into the drift chamber 21 moves with a temporal delay by being influenced by molecules of a drift gas introduced from a drift gas introduction tube 47 and reaches a collection electrode 45 along a nearly uniform electric field formed in the drift chamber 21.例文帳に追加

ドリフト室２１に導入されたパルス状のイオン群は、ドリフトガス導入管４７より導入されたドリフトガスの分子の影響を受けることで時間的遅れを持って移動し、ドリフト室２１内に形成されたほぼ均一の電界に沿って集電極４５に到達する。 - 特許庁

The time-of-flight mass spectrometer 1 provides a drift region 2, an ion packet generator 6, first and second ion reflectors 18, 19, and at least one ion detector 20.例文帳に追加

ドリフト領域２と、イオンパケット発生器６と、第１および第２のイオン反射器１８および１９と、少なくとも１つのイオンの検出器２０とを有した飛行時間型質量分析器１を開示する。 - 特許庁

A carbon film 7 is formed on the n-type drift layer 2 and the ion implantation layer 6 through spattering method, and then, activating anneal is effected under a condition that the n-type drift layer 2 and the ion implantation layer 6 are covered by the carbon film 7 to change the ion implantation layer 6 into a p-type well region 8.例文帳に追加

ｎ型ドリフト層２及びイオン注入層６の上に、スパッタ法によりカーボン膜７を形成し、カーボン膜７でｎ型ドリフト層２及びイオン注入層６を覆った状態で、活性化アニールを行なって、イオン注入層６をｐ型ウェル領域８に変化させる。 - 特許庁

To provide an IMS in which a linearity of an ion flying in a drift region is improved in order to improve a resolution.例文帳に追加

解像度を改善するために、ドリフト領域内を飛行するイオンの直線性を改善したＩＭＳを提供すること。 - 特許庁

To execute ion beam machining by allowing a reference object to be always recognized in process of the machining to carry out accurate drift correction even when a minute hole or a minute pattern is used as the reference object in correcting the drift of an irradiation position of an ion beam using the reference object.例文帳に追加

参照対象を用いてイオンビームの照射位置のドリフトを補正する際に、参照対象として微細穴や微細パターンを用いた場合でも、加工途中で参照対象を常に認識できるようにし、高精度のドリフト補正をし、イオンビーム加工を行なう。 - 特許庁

Drift voltage corresponding to an ion component being each of a plurality of detection target substances is applied to judge whether inherent m/z of ion component being the detection target substance is detected.例文帳に追加

複数の探知対象物質のイオン成分に対応するドリフト電圧を変化させて印加し、探知対象物質であるイオン成分の固有のｍ／ｚの検出の有無を判定する。 - 特許庁

The formed ions 13 move toward an ion electric current detection electrode 7 including the upper side electrode and the lower side electrode, and is detected as ion electric current by the ion electric current detection electrode 7 in a short drift time.例文帳に追加

生成されたイオン１３は上側電極と下側電極を含むイオン電流検出電極７に向かって移動し、短いドリフト時間で当該イオン電流検出電極７よりイオン電流として検出される。 - 特許庁

With the He-Cd laser, the shallow region of the strong field drift layer is excited, and with argon ion laser, a deeper region is excited.例文帳に追加

Ｈｅ−Ｃｄレーザでは強電界ドリフト層の浅い領域が励起され、アルゴンイオンレーザではより深い領域まで励起される。 - 特許庁

A drift region and a source/drain ion implanted region are formed on the surface part of a substrate, a trench is made deeper than the drift region in the substrate and a channel 36 is formed along the bottom face part of the trench.例文帳に追加

本発明は、基板表面部にドリフト領域とソース／ドレインイオン注入領域とを形成させ、その基板にドリフト領域より深くトレンチを形成させ、そのトレンチの底面部分に沿ってチャネル３６を形成させる。 - 特許庁

To provide a simple and high-accuracy drift correction mechanism in a cross-section processing and an TEM sample processing with the use of a focused ion beam device.例文帳に追加

集束イオンビーム装置を使った断面加工やＴＥＭ試料加工における簡便且つ高精度なドリフト補正機構の実現する。 - 特許庁

To satisfy a demand of high electric field intensity that is perpendicular to the ion drift direction for improving the skirting of the generation of a short pulse of an ion segment, and satisfy a demand of a parallel electric field so as to make the same ion trajectory to obtain a high resolution.例文帳に追加

高分解能を実現するために必要なイオン切り出しの短パルス化において裾切れを良くするためにイオンのドリフト方向に対して垂直な高電界強度及びイオン軌道を同じくするために平行電界が要求される。 - 特許庁

To prevent the drift of an ion discharging time from an ion trap by preventing a slight variation in the amplitude of rectangular wave voltage to be applied to a ring electrode when starting analysis from a standby condition.例文帳に追加

待機状態から分析を開始するに際し、リング電極へ印加する矩形波電圧の振幅の僅かな変動を防止することにより、イオントラップからのイオン排出の時間ドリフトを軽減する。 - 特許庁

Further, a second inductive impurity is ion-implanted to a deep region 4B, deeper than the region 4A and to the depth where C, is ion-implanted in the surface layer of the n-type drift region 2.例文帳に追加

そして、ｎ型ドリフト領域２の表層部のうち、Ｃが注入された領域４Ａ及び該Ｃが注入された深さよりも深い領域４Ｂまで第２導電型不純物をイオン注入する。 - 特許庁

The ion mobility meter 1 is provided with an ionization device 2 to ionize the sample molecules and a drift chamber 11 to measure mobility of the sample molecule ionized.例文帳に追加

イオン移動度計１は、試料分子をイオン化するイオン化装置２と、イオン化された試料分子の移動度を計測するドリフト室１１とを備える。 - 特許庁

Then, phosphor etc. is ion-doped using the gate electrode 7a and the spacer 8a as masks to form an N+ type drain layer 11 is formed in the N type embedded drift layer 5.例文帳に追加

次に、ゲート電極７ａ及びスペーサー８ａをマスクとしてリン等をイオン注入しＮ型埋め込みドリフト層５内にＮ＋型ドレイン層１１を形成する。 - 特許庁

To provide a deflection electromagnet which suppresses dispersion of ion beams by improving trapping of electrons in magnetic pole spacing by reducing loss of electrons by E×B drift from the magnetic pole spacing and neutralizing efficiently space charges of ion beams by the trapped electrons.例文帳に追加

磁極間空間からのＥ×Ｂドリフトによる電子の損失を軽減して磁極間空間における電子の閉じ込めを良くして、閉じ込めた電子によってイオンビームの空間電荷を効率良く中和して、イオンビームの発散を抑制する。 - 特許庁

A trench is formed in an n^- type drift layer (1) and embedded by crystal growth, by forming a p-type surf layer (4) by ion injection from oblique direction, and thus a 2nd n^- drift layer (5) is formed to form a longitudinal resurf structure, thereby forming a power MOSFET having low ON- resistance.例文帳に追加

ｎ^−型ドリフト層（１）にトレンチを形成し、斜め方向からのイオン注入によりｐ型リサーフ層（４）を形成し、トレンチを結晶成長により埋め込むことで第２のｎ^−ドリフト層（５）を形成することにより縦型リサーフ構造を形成し、低オン抵抗のパワーＭＯＳＦＥＴを形成する。 - 特許庁

C(carbon) is ion-implanted to a predetermined depth, deeper than an n-type source region 3 at a reserved portion to form a p-type gate region 4 in a surface layer of an n-type drift region 2.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域２の表層部のうち、ｐ型ゲート領域４の形成予定部分に、ｎ型ソース領域３よりも深い所定深さまでＣ（炭素）をイオン注入する。 - 特許庁

To execute drift correction correctly, even if a sample surface shape is changed by ion sputtering onto a sample at the time of analysis of the sample.例文帳に追加

試料分析時に試料がイオンスパッタされて、試料表面形状が変化しても、ドリフト補正が正しく行われる試料分析方法および電子線分析装置を提供すること。 - 特許庁

On an n^+ substrate as an n^+ drain region 11; an n^- drift region 12, a p^- body region 41, and an n^+ source region 31 are formed by epitaxial growth and ion injection.例文帳に追加

まず，Ｎ^+ ドレイン領域１１となるＮ^+ 基板上にエピタキシャル成長およびイオン注入によりＮ^- ドリフト領域１２，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^+ ソース領域３１を形成する。 - 特許庁

Metastable parent ions which spontaneously fragment by Post Source Decay whilst passing through the field free or drift region 5 are arranged to enter the ion mirror 7, and reflected by the reflectron towards an ion detector 8 when the reflectron is maintained at a certain voltage.例文帳に追加

ポストソース分解により自然に分解し、フィールドフリー又はドリフト領域５を通り抜ける準安定親イオンは、イオンミラー７に入るよう準備され、リフレクトロンがある一定の電圧で保たれているとき、リフレクトロンでイオン検出器８に向かって反射される。 - 特許庁

The LCD driver chip includes a first conductivity well formed in a substrate, a second conductivity drift region formed in the first conductivity well, a first element isolation film formed in the second conductivity drift region, a gate formed at a first side of the first element isolation film, and a second conductivity first ion implantation region formed in the second conductivity drift region between the first element isolation film and the gate.例文帳に追加

基板に形成された第１導電型ウェルと、前記第１導電型ウェルに形成された第２導電型ドリフト領域と、前記第２導電型ドリフト領域内に形成された第１素子分離膜と、前記第１素子分離膜の一側に形成されたゲートと、前記第１素子分離膜と前記ゲートの間の第２導電型ドリフト領域内に形成された第２導電型第１イオン注入領域を含む。 - 特許庁

At least one of n drift 22a and a p partition 22b, for example, the p partition 22b in which a current flows in an on-state while being depleted in an off-state is formed by ion implantation, more particularly, by ion implantation in which an accelerating voltage is continuously changed.例文帳に追加

オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化するｎドリフト領域２２ａ、ｐ仕切り領域２２ｂのうち少なくとも一方、例えばｐ仕切り領域２２ｂを、イオン注入、特に加速電圧を連続的に変えたイオン注入で形成する。 - 特許庁

In this manufacturing method, in an on-state, a current flows, and in an off-state, at least one of a depleting n drift region 22a and p partition region 22b, for example, the p partition region 22b is formed with ion implantation, in particular, ion implantation in which an accelerating voltage continuously changes.例文帳に追加

オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化するｎドリフト領域２２ａ、ｐ仕切り領域２２ｂのうち少なくとも一方、例えばｐ仕切り領域２２ｂを、イオン注入、特に加速電圧を連続的に変えたイオン注入で形成する。 - 特許庁

To provide a DMOS device and a method for manufacturing the same which can reduce the number of ion implantation processes, by simultaneously forming well regions and drift diffusion regions, in a low-voltage transistor region.例文帳に追加

低電圧領域のウェル領域とドリフト拡散領域とを同時に形成してイオン注入工程の数を短縮することで、工程の単純化を達成できるＤＭＯＳ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrostatic lens capable of suppressing reduction of electrons in a drift space and as a result, suppressing dispersion of ion beams due to space charge effect even in the case an intermediate electrode is kept in positive potential.例文帳に追加

中間電極が正電位に保たれるものであっても、ドリフト空間での電子量の減少の抑制、ひいてはイオンビームの空間電荷効果による発散の抑制を行うことができる電界レンズを提供する。 - 特許庁

To provide a producing method of a micro-optical element capable of suppressing the generation of drift of a ion beam due to steep change in charging and accurately machining a micro opening portion, in machining by a focusing ion beam (FIB machining), a micro optical element by the producing method, and an optical device using the element.例文帳に追加

集束イオンビームによる加工（ＦＩＢ加工）において、帯電の急激な変化によるイオンビームのドリフトの発生を抑制することができ、微小開口部を高精度に加工をすることが可能となる微小光学素子の作製方法、及び該作製方法による微小光学素子、該素子を用いた光学装置を提供する。 - 特許庁

To provide drift correction method and apparatus in FIB (Focused Ion Beam) automatic processing, which can quickly perform positioning and FIB processing of a test piece.例文帳に追加

本発明はＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置に関し、試料の位置決めとＦＩＢ加工を速やかに行なうことができるＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

The drift layer 2, first gate layer 3, source layer 4, channel layer 7, and second gate layer 8 are formed in an epitaxial layer, and at the same time an n^+ source layer 5 by ion implantation is formed at the surface layer section of the epitaxial layer 4 as a source layer.例文帳に追加

ドリフト層２と第１のゲート層３とソース層４とチャネル層７と第２のゲート層８はエピタキシャル層で形成されるとともに、ソース層とするためのエピタキシャル層４の表層部にはイオン注入によるｎ^+ソース層５が形成されている。 - 特許庁

To further improve response speed by shortening a drift hour of ions, to raise efficiency in gas amplification caused by an electron avalanche, to improve the efficiency of ion detection, and to improve the image quality of a low-vaccum secondary electron image.例文帳に追加

本発明が解決しようとする問題は、イオンのドリフト時間の短縮による更なる応答速度の向上、電子なだれによるガス増幅の高効率化とイオン検出効率の向上、および低真空二次電子像の像質改善である。 - 特許庁

When the engine operating region is the ignition generating region, the device determines that "smolder occurs" when the current detection signal (drift voltage value) after the annihilation of an ion current is the predetermined value or larger, and determines that "no smolder occurs" when it is smaller than the predetermined value.例文帳に追加

エンジン運転領域が飛火発生領域である場合、イオン電流消滅後における電流検出信号（ドリフト電圧値）が所定値以上である場合には「燻り有り」と判定し、所定値未満である場合には「燻り無し」と判定する。 - 特許庁

Then a second drain region 16 used also for a drift region is formed in a way of self-alignment to the gate electrode 19 along the side wall of the trench through ion implantation of n-type impurities while using the gate electrode 19 for part of a mask.例文帳に追加

そして、このトレンチの側壁に沿って、ドリフト領域を兼ねる第２のドレイン領域１６を、ゲート電極１９をマスクの一部に用いたｎ型不純物のイオン注入により、ゲート電極１９に対して自己整合的に形成する。 - 特許庁

To provide drift correction method and apparatus in FIB (Focused Ion Beam) automatic processing, which can make accurate correction for rotation even if the rotation happens in an irradiation position of a test piece.例文帳に追加

本発明はＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置に関し、試料照射位置に回転が生じた場合でもこの回転の補正を正確に行なうことができるＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

The region 24 including the hole formed in process of machining is scanned to detect the position 26 of the hole by detecting the secondary ion signal of the same atomic species as the entered ions again, and the moving distance of the position of the hole is found by comparing the hole position at the previous time with the hole position at this time to consider it as a drift amount.例文帳に追加

加工の途中で形成した穴を含む領域２４を走査し、再び入射イオンと同じ原子種の二次イオン信号を検出して穴の位置２６を検出し、前回の穴の位置と今回の穴の位置を比較して穴の位置の移動量を求め、これをドリフト量と見なす。 - 特許庁

Gold plating is applied to the inside surfaces facing to an ion beam R of a quadrupole electrode 13 of this accelerator 10 for irradiating a target 20 with protons by accelerating them by an RFQ 12a and a DTL 12b, and drift tubes 14, the inside surface of a beam transmission duct 15, and a surface of a collimator electrode 15b.例文帳に追加

陽子をＲＦＱ１２ａ、ＤＴＬ１２ｂで加速してターゲット２０に照射する加速器１０の四重極電極１３及びドリフトチューブ１４のイオンビームＲに対向する内面、ビーム伝送ダクト１５の内面、コリメータ電極１５ｂの表面に、金メッキを施す。 - 特許庁

Air flow is generated inside a drift tube 5 headed from a detector 18 side toward an ion source side, and a first area a1 with a flow speed increasing in a flowing direction, a second area a2 with a constant flow, and a third area a3 with a flow speed decreasing are arranged in turn from an upstream side toward a downstream side of the air flow.例文帳に追加

ドリフトチューブ５内部に検出器１８側からイオン源側に向かう気流を生成し、流れ方向に流速が増加する第一の領域ａ１、一定である第二の領域ａ２及び減少する第三の領域ａ３を、気流の上流側から下流側に向かって順に配置する。 - 特許庁