「ion energy distribution」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide an ion milling system that can obtain an ion beam having a desired facial distribution and energy distribution and can form a desired etched shape on a material to be worked.例文帳に追加

所望のイオンビーム面分布、エネルギー分布をもつイオンビームを得ることができ、被加工物に所望のエッチング形状を形成することが可能となる。 - 特許庁

To provide an ion analysis system for measuring an ion energy distribution at a number of points at a semiconductor circuit manufacturing process.例文帳に追加

半導体回路製造工程における多数の地点でのイオンエネルギー分布を測定するためのイオン分析システムを提供する。 - 特許庁

To provide a method of generating an ion implantation distribution and a simulation thereof which can accurately reproduce actual ion implantation distribution, over a range extending from an energy level of as low as 1 keV, to an energy level of as high as several MeVs.例文帳に追加

イオン注入分布発生方法及びシミュレータに関し、１ｋｅＶ程度の低エネルギー領域から数ＭｅＶの高エネルギー領域に渡って、実際のイオン注入分布を精度良く再現する。 - 特許庁

The system is provided with at least two ion flux sensors 331, 332 combined into one system for measuring an ion energy distribution function.例文帳に追加

イオンエネルギー分布関数を測定するために１つのシステムに組合わせた少なくとも２つのイオンフラックスセンサー３３１、３３２を具備する。 - 特許庁

The ion detector counts the incident recoil ions in every energy level to display the distribution of counted values hereinbefore with respect to the energy as energy spectra to a monitor.例文帳に追加

このイオン検出器３４は、エネルギーの大きさ毎に入射した反跳イオンを計数し、エネルギーに対する計数値の分布をエネルギースペクトルとして図示しないモニタに表示させる。 - 特許庁

Since the formation of an ion sheath in the wafer outer circumferential part can be controlled, it is possible to control the ion energy injected into a wafer 9 and the distribution of ion amount on a wafer surface, and as a result, distribution on a surface of etching treatment of the wafer 9 can be corrected.例文帳に追加

ウェハ外周部におけるイオンシースの形成を制御することができるため、ウェハに入射するイオンエネルギーおよびイオン量のウェハ面内分布を制御することができ、その結果ウェハのエッチング処理の面内分布を補正することができる。 - 特許庁

To provide a spectroscopic method and apparatus for an ion energy, capable of measuring a concentration distribution of an intended light element sensitively and precisely in the depth direction of an object to be measured, with a low incident ion energy of 1 MeV or less by using an incident ion heavier than He.例文帳に追加

Ｈｅよりも重い入射イオンを用いて、１ＭｅＶ以下の低い入射イオンエネルギーで、軽元素を対象として被測定物深さ方向の濃度分布を、高感度かつ高精度で計測できるイオンエネルギーの分光方法と装置を提供することである。 - 特許庁

A standard sample having a known In or Ga concentration distribution is prepared according to the irradiation angle and irradiation energy of the oxygen ion 3.例文帳に追加

酸素イオン３の照射角及び照射エネルギーにより、既知のＩｎ又はＧａ濃度分布を有する標準試料が作製される。 - 特許庁

To irradiate an ion beam having sufficiently uniform current density distribution against a semiconductor substrate even when energy reduction of the ion beam is advanced.例文帳に追加

イオンビームの低エネルギー化が進んだ場合においても、半導体基板に対して十分に均一な電流密度分布を有するイオンビームを照射することを主たる目的としている。 - 特許庁

About a process by a particle seed such as ion having a strong anisotropic for an entering, an ion angle energy distribution function (IAEDF) which is respectively the function of an angle θ and an energy E, and an etching yield energy component which is the coefficient of an action with respect to the surface, are numerically integrated to generate the weighted etching yield ion angle distribution function (EYIADF) in advance.例文帳に追加

入射に関する異方性の強いイオンなどの粒子種によるプロセスに関して、それぞれ角度θおよびエネルギーＥの関数であるイオン角度エネルギー分布関数（ＩＡＥＤＦ）と、表面との作用の係数としてのエッチング・イールドのエネルギー成分とを数値積分して、エッチング・イールドの重み付けのついたイオン角度分布関数（ＥＹＩＡＤＦ）をあらかじめ作成する。 - 特許庁

To realize a uniform plasma processing (such as etching) within a wafer plane by increasing the uniformity of an incident ion energy distribution function within the wafer plane.例文帳に追加

ウエハ面内における入射イオンエネルギーの分布関数の均一性を高め、ウエハ面内で均一なプラズマ処理（エッチング等）を実現する。 - 特許庁

When the distribution in the depth direction of the group V element in the group IV semiconductor is measured by an SIMS (secondary ion mass spectrometry) method, a primary ion species, a primary ion acceleration energy, and a primary ion incident angle are limited in the range for reducing profile shift and sensitivity dependency in the depth direction.例文帳に追加

ＳＩＭＳ法によりＩＶ族半導体中のＶ族元素の深さ方向分布を測定する際に、一次イオン種、一次イオン加速エネルギー、及び、一次イオン入射角度をプロファイルシフト及び深さ方向の感度依存性を少なくする範囲に限定する。 - 特許庁

Accordingly, the concentration distribution of the light element can be measured sensitively and precisely in a zone of the low incident ion energy of 1 MeV or less.例文帳に追加

それにより、１ＭｅＶ以下の低い入射イオンエネルギーの領域で、軽元素の濃度分布を高感度かつ高精度で計測することが可能となる。 - 特許庁

The asymmetrical energy distribution of ions from an ion source allows chromatic aberration to be reduced by filtering ions in the low energy beam tail without significantly reducing processing time.例文帳に追加

イオン源からのイオンの非対称エネルギー分布によって、処理時間をあまり短縮することなく、低エネルギー・ビーム・テール中のイオンをフィルタによって除去することによって色収差を低減させることが可能になる。 - 特許庁

To provide a plasma treatment apparatus capable of forming an appropriate ion energy distribution according to plasma treatment, as well as a plasma treatment method and a plasma treatment bias voltage determination method.例文帳に追加

プラズマ処理に応じて、適切なイオンエネルギー分布を形成できるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びにプラズマ処理のバイアス電圧決定方法の提供。 - 特許庁

Accordingly, two conditions are fulfilled that energy distribution stays within a limited range and there is a region having spatially low density in the energy distribution, and even in a mass analysis in a minute range, the high ion generation efficiency can be achieved, and the sufficient detection sensitivity can be secured.例文帳に追加

したがって、エネルギー分布が有限な範囲に収まること、及びエネルギー分布の中で空間的に密度の低い領域が存在する、という２つの条件を満たし、微小範囲の質量分析においても高いイオン生成効率が達成でき、十分な検出感度を確保できる。 - 特許庁

To easily control the ion energy density distribution in a plane with a plurality of high frequencies and enable the control with minimum high-frequency power needed, thereby contributing to elongation of the life.例文帳に追加

複数の高周波による面内のイオンエネルギー密度分布の制御を容易に行えるようにし、その制御を必要最小限の高周波電力で運用可能とし、長寿命化に寄与すること。 - 特許庁

By using a two-dimensional scattered ion detector 8, the energy spectrum is measured on the basis of a detection position of the scattered ions, the crystal axis of the sample is detected on the basis of a detection amount distribution of the scattered ions, and the crystal axis and the beam axis of the ion beam are aligned.例文帳に追加

また，２次元の散乱イオン検出器８を用いて，散乱イオンの検出位置に基づくエネルギースペクトル測定や，散乱イオンの検出量分布に基づく試料の結晶軸検出及び該結晶軸とイオンビームのビーム軸との軸合わせを行う。 - 特許庁

The diffused layer can be formed in a high throughput while the advantages of easily controlling the distribution of the impurity of a method for injecting a high energy are utilized by continuously injecting an acceleration energy in an ion implanting step while the acceleration energy is changed steplessly or in multiple steps.例文帳に追加

本発明は上記目的を達成するために、イオン注入工程で加速エネルギーを無段階あるいは多段階で変化させながら連続注入を行うことにより、高エネルギー注入による方法の不純物の分布を制御しやすいという利点を活かしつつ、ハイスループットに拡散層を形成することが可能になる。 - 特許庁

Since the impulse radiation is prompt, extraordinarily larger than nuclear reaction in reaction probability and detected, for example, as a continuous energy spectrum distribution strongly correlated with ion energy, the data related to the behavior of the particle beam can be monitored in a real time.例文帳に追加

制動輻射は、即発性であり、反応確率が原子核反応よりも桁違いに大きく、例えば、イオンエネルギーに強い相関を持つ連続エネルギースペクトル分布として検出されるため、粒子線の挙動に関する情報をリアルタイムにモニタリングすることを可能とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same capable of controlling a working shape with more high precision by reducing charge-up induced by positive ions and controlling ion energy distribution.例文帳に追加

イオンエネルギー分布の制御に加えて正イオンによるチャージアップの緩和を行うことで、加工形状の制御をさらに高精度に行うことができる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

A first sample is irradiated with cesiums ion on the condition that an incidence angle is zero, and that an acceleration energy is 250 eV, and then secondary ions emitted by the first sample is subjected to a mass spectrometry, thereby measuring a distribution of an impurity element.例文帳に追加

入射角が０度、加速エネルギーが２５０ｅＶの条件でセシウムイオンを第１の試料に照射し、第１の試料から放出される二次イオンを質量分析して不純物元素の分布を測定する。 - 特許庁

RF powers from at least RF power sources of three respective frequencies are coupled to plasma in a reactor; the ion energy distribution shape is set by selecting a ratio between the power levels of a first pair of the at least three RF power sources; and the ion dissociation and the ion density are set by selecting a ratio between the power levels of a second pair of the at least three RF power sources.例文帳に追加

３つの各周波数の少なくとも３つのＲＦ電源からのＲＦ電力をリアクタ内のプラズマに結合し、少なくとも３つのＲＦ電源の第１対の電源レベル間の比を設定することによりイオンエネルギー分布形状を設定し、少なくとも３つのＲＦ電源の第２対の電源レベル間の比を選択することによりイオン解離及びイオン密度を設定する。 - 特許庁

Two-dimensional distribution previously specified for energy imparted depending on a distance from a primary ion injection point in a region where it exceeds the desorption energy of sample molecules is used as a blurring function for restoring an image to reduce the image blur of the mass spectrometry microscopic image which is formed by two-dimensionally displaying signal intensity with respect to each mass/charge ratio from an obtained two-dimensional mass spectrum.例文帳に追加

得られた二次元の質量スペクトルから質量/電荷比ごとに信号強度を二次元表示した質量分析顕微鏡像の像ボケを、一次イオンの入射点からの距離に応じた付与エネルギーについて試料分子の脱離エネルギーを超える領域で予め規定した二次元分布をボケ関数として用いて、画像復元により像ボケを低減する。 - 特許庁

In this state, by actuating an electron gun 130 or an ion gun 140, electrons or positive ions of inactive gas is irradiated onto an MgO membrane surface of the measurement sample, energy distribution of the emitted secondary electrons is measured with an electronic spectroscope 150, and the measured data of the secondary electron spectra are sent to an analysis device 200.例文帳に追加

この状態で、電子銃１３０或はイオン銃１４０を作動させて電子或は不活性ガスの正イオンを測定試料のＭｇＯ膜表面に照射すると共に、電子分光器１５０で、その放出された二次電子のエネルギー分布を測定し、測定した二次電子スペクトルのデータを解析装置２００に送る。 - 特許庁