「ion gun」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The interval of respective apertures 61 and 62 of an ion gun 60 is set to N (N is an integer 2 or more) times of column direction interval d of the array.例文帳に追加

イオンガン６０の各開口部６１,６２の間隔は前記配列の行方向間隔ｄのＮ倍（Ｎは２以上の整数）に設定してある。 - 特許庁

After the MgO film is formed, oxygen ions are implanted into the film surface with an oxygen ion gun 34 to cause the loss of oxygen in the MgO film.例文帳に追加

ＭｇＯ膜の成膜後、膜表面に対して、酸素イオン銃３４により酸素イオンを注入して、ＭｇＯ膜内に酸素欠損を生じさせる。 - 特許庁

To provide an ion emission device capable of delivering ions over a wide range with low power consumption and with a simple structure using an air gun.例文帳に追加

イオンを空気砲を用いた簡単な構成で、低消費電力で広い範囲までイオン送出することができるイオン放出装置を提供する。 - 特許庁

A target 22 is disposed in the upper part near the central part of a chamber 21, and an ion gun 24 for irradiating the target 22 with ions is provided.例文帳に追加

チャンバー２１の中央部に近い部分の上部にはターゲット２２が配置されており、ターゲット２２にイオンを照射するためのイオンガン２４が設けられている。 - 特許庁

A microwave is introduced from a waveguide 16 into the ion gun chamber 13 to ionize the reactive etching gas, and the etalon substrate 11 is etched for a prescribed time.例文帳に追加

そして、導波管１６よりイオン銃室１３内にマイクロ波導入し、反応性エッチングガスをイオン化して、エタロン基板１１を所定時間だけエッチングする。 - 特許庁

To provide a charged particle beam device capable of carrying out vacuum starting of an electron gun chamber or an ion gun chamber with a non-evaporating getter pump in a short time, and maintaining a high vacuum degree for a long time, as well as a technology of its vacuum starting method.例文帳に追加

非蒸発ゲッターポンプを有する電子銃室あるいはイオン銃室の真空立上げを短時間に行え、かつ高い真空度を長時間維持可能な荷電粒子線装置と、その真空立上げ技術を提供する。 - 特許庁

The cold joining device 1 includes a substrate holding part 44 for attracting and holding an upper substrate SA, an ion gun 32 for cleaning the upper substrate SA attracted by the substrate holding part 44, the detection sensor 50 disposed on the substrate holding part 44, and a control part 4 for controlling the ion gun 32 by the detection result of the detection sensor 50.例文帳に追加

常温接合装置１は、上側基板ＳＡを吸着して保持する基板保持部４４と、基板保持部４４に吸着された上側基板ＳＡを浄化するイオンガン３２と、基板保持部４４に設けられる検知センサ５０と、検知センサ５０の検知結果によりイオンガン３２を制御する制御部４と、を備える。 - 特許庁

The crystalline substrate 11 is set in a specimen chamber 12 of an ion beam irradiator, and a mixture gas of a CHF_3 gas and an Ar gas mixed at a ratio in a range of 1:10 to 1:2 is introduced from a gas inlet pipe 15 into an ion gun chamber 13 as a reactive etching gas.例文帳に追加

この結晶基板１１をイオンビーム照射装置の試料室１２に設置し、ガス導入管１５よりCHF_3ガスとArガスとを1:10〜1:2の範囲で混合したガスを反応性エッチングガスとしてイオン銃室１３内に導入する。 - 特許庁

To provide a milling device which can observe a section of an interface between different materials of a memory chip having the big size of a sample, by using a small and simple ion gun.例文帳に追加

小型で簡易なイオンガンを用いた装置で大きな試料サイズのメモリチップの材質の異なる界面の断面観察を可能とするミリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion gun having a half-pipe grid which is superior in reproducibility of output characteristics at the time of grid exchange, shape stability accompanying temperature change, and storage performance.例文帳に追加

グリッド交換時の出力特性の再現性、温度変化に伴う形状安定性、及び保管性に優れるハーフパイプ型グリッドを備えるイオンガンを提供する。 - 特許庁

To provide a high-vacuum electron beam apparatus in which an ion pump is fitted in the chamber installed with an electron gun and a baking device is provided, and the exhaust capacity is made a maximum level.例文帳に追加

電子銃が設けられたチャンバにイオンポンプが取付けられ、ベーキング装置を設け、排気能力を最大限にするようにした高真空電子線装置を提供する。 - 特許庁

A plurality of grid apertures 20a of the ion gun are disposed approximately in a diamond shape as a whole, and a planar shape of each of the grid apertures 20a is made elliptic.例文帳に追加

イオンガンの複数のグリッド開口２０ａは全体として略菱形状に配置された構成で、各グリッド開口２０ａはその平面形状が楕円形状となっている。 - 特許庁

To prevent deterioration in the work function of an electron gun chip due to hydrogen ion bombardment and to repair the deformed shape of the chip (field emission cold cathode) efficiently.例文帳に追加

水素イオン衝撃に起因する電子銃チップの仕事関数の悪化を防止するとともに、長時間使用後に変化した電子銃チップの形状を効率よく修復する。 - 特許庁

A microcomputer 30 controls the current density of the argon ions emitted by the ion gun 20, based on the current density of transmitted electrons measured by a current detector 40.例文帳に追加

また、マイコン３０は、電流検出器４０が測定した透過電子の電流密度を基にして、イオン銃２０が放出するアルゴンイオンの電流密度を制御する。 - 特許庁

The vapor deposition device includes: a substrate holding member 2 holding the plurality of substrates 3; a vapor deposition source 4 holding a vapor deposition material to be deposited onto the plurality of substrates 3; an ion gun 5 for radiating gas ions to the faces of the substrates 3; and a correcting plate 6 for rectifying the radiation direction D1 of the gas ions emitted from the ion gun 5.例文帳に追加

この蒸着装置は、複数の基板３を保持する基板保持部材２と、基板３上に成膜される蒸着物質を保持する蒸着源４と、基板３面にガスイオンを放射するためのイオン銃５と、イオン銃５から照射されるガスイオンの放射方向Ｄ１を整流するための補正板６とを有している。 - 特許庁

A radiation area of ion beams radiated from one ion beam radiation source (ion gun 10) which performs frequency adjustment upon piezoelectric vibrators 17 carried in a specific direction while being aligned and arranged, is utilized in said method to simultaneously adjust frequencies of a plurality of proximate piezoelectric vibrators 17.例文帳に追加

本発明では前記方法において、整列配置されて規定の方向へ搬送される圧電振動子１７の周波数調整を行う１のイオンビーム照射源（イオンガン１０）から照射されるイオンビームの放射領域を利用して、近接する複数の圧電振動子１７の周波数調整を同時に行うようにした。 - 特許庁

A magnetic field generation part 4 for generating a magnetic field to change the direction of an ion beam IB and a magnetic field control part 5 for controlling the direction and strength of the magnetic field to irradiate an optional irradiation area IBA of a material source 6 with the ion beam IB are arranged between an ion gun 3 and the material source (a target 6).例文帳に追加

イオンガン３と材料源（ターゲット６）との間には、イオンビームＩＢの方向を変化させる磁界を発生する磁界発生部４が設けられ、磁界の向き及び強さを制御してイオンビームＩＢを材料源６の任意の照射領域ＩＢＡに照射させる磁界制御部５を備える。 - 特許庁

To realize an electron gun for electron beam machining preventing wear/break of a filament due to ion flow generated by an electron beam and unstable output voltage from a high-voltage power source and requiring no consumable part for coping with the ion flow.例文帳に追加

電子ビームにより発生するイオン流によるフィラメントの損耗・断線と高電圧電源からの出力電圧の不安定化を防ぎ、かつ、イオン流に対処するための消耗品を必要としない電子ビーム加工用電子銃を実現する。 - 特許庁

To provide a liquid metal ion gun which is able to stably maintain emission over a long period, by prolonging the lifetime of a beam restricting aperture and can recover to a stable state, with proper reproducibility.例文帳に追加

ビーム制限アパーチャの寿命を延ばし、エミッションを長時間安定に維持することができ、再現良く安定な状態に回復することができる液体金属イオン銃を提供する。 - 特許庁

When ion irradiation is carried out onto the beam limit (GUN) aperture 2-3, Ga of the irradiation region 7-1 is melt to disperse Ga on the surface of the beam irradiation region of the W aperture.例文帳に追加

ビーム制限(ＧＵＮ)アパーチャ２−３にイオン照射すると、照射領域７−１のＧａが溶融してＷアパーチャのビーム照射領域の表面にＧａが拡散する。 - 特許庁

To provide a vapor deposition system where the phenomenon that vapor 10 of a vapor deposition material 5 in a crucible 6 and an ion 13 ionized by an electron beam 8 reach an electron gun 7 is prevented.例文帳に追加

ルツボ６内の蒸着材料５の蒸気１０や、電子ビーム８でイオン化されたイオン１３が、電子銃７に到達することを防止した蒸着装置を提供する。 - 特許庁

In the ion gun, firstly, a structure is adopted which makes gas introduction only to the portion where ionization is intended and prevents gas leakage on the way so as to prevent gas glow discharge at the unnecessary portion in the vacuum.例文帳に追加

真空中の不必要な部分でのグロー放電を防ぐため、第一にイオン化を目的とした部分にのみガスが導入されるようにし、中途でのガス漏れを防ぐ構造にした。 - 特許庁

Microwaves are guided from a waveguide 16 into the ion gun chamber 13 to ionize the mixture gas and to etch the crystalline substrate 11 for the required time found from the above calculation.例文帳に追加

そして、導波管１６よりイオン銃室１３内にマイクロ波を導入し上記混合ガスをイオン化して、結晶基板１１を上記計算で求めた所要時間だけエッチングする。 - 特許庁

A sputtering apparatus 10 for depositing a metal thin film on a PET film 4 and an ion gun 11 for emitting oxygen ions are arranged on a film deposition stage in a vacuum tank 3.例文帳に追加

真空槽３内の成膜ステージには、ＰＥＴフィルム４上に金属薄膜を形成するスパッタリング装置１０と、酸素イオンを放出するイオン銃１１とが配されている。 - 特許庁

A driving means 31, a driving means 32 and a driving means 33 by which the angle of irradiation of an ion beam emitted from an ion gun 23 is fixed and by which a stage 3 used to hold a sample 4 is moved along the vertical direction (Z-direction) and the horizontal direction (X-direction and Y-direction) are installed.例文帳に追加

イオン銃２３から照射されるイオンビームの照射角を固定するとともに、鉛直方向（Ｚ方向）および水平方向（ＸおよびＹ方向）に沿って、試料４を保持するステージ３を移動させる駆動手段３１、３２、３３を設ける。 - 特許庁

An ion gun 11 introduces Ar gas from a gas introduction part 114 into a body 111, and generates D.C. hot cathode discharge between a filament 113 and an anode 112 to generate plasma of Ar.例文帳に追加

イオンガン１１は、ガス導入部１１４よりＡｒガスを本体１１１内に導入し、フィラメント１１３とアノード１１２との間で直流熱陰極放電をおこし、Ａｒのプラズマを生成する。 - 特許庁

The electron gun tip 3 covered with a film of materials resistant to hydrogen ion bombardment such as aluminum or carbon, etc., is spot-welded to a tungsten filament 4 and brazed with gold.例文帳に追加

電子銃チップ３はその表面に、アルミニウムや炭素等の水素イオン衝撃に対する耐性を有する材料の薄膜が形成されて、タングステンフィラメント４にスポット溶接後、金でロウ付けされいる。 - 特許庁

While the PET film 4 is continuously conveyed, the metal thin film is deposited by the sputtering apparatus 10, and the metal thin film is oxidized immediately thereafter by the oxygen ions from the ion gun 11.例文帳に追加

ＰＥＴフィルム４が連続的に搬送されている間に、スパッタリング装置１０で金属薄膜の形成が行われ、その直後にイオン源１１にからの酸素イオンで金属薄膜が酸化される。 - 特許庁

The composite target materials are successively sputtered by using a common ion gun 2 so that vitreous films with the refractive index varying stepwise can be successively deposited on the surface of a substrate 3 with high accuracy.例文帳に追加

共通のイオンガン２で、前記複合ターゲット材料毎に順にスパッタすることで、基板３の表面に、屈折率が段階的に変化するガラス質の膜を高精度な膜厚で順次積層できる。 - 特許庁

To provide an axial adjustment device of an ion source/electron gun device with a long life aimed at by receiving vacuum with tensile force with a movable part as a flexible plate in place of bellows and preventing generation of abnormal stress through restraint of movement of the flexible plate.例文帳に追加

イオン源・電子銃装置の軸調整装置に使用されているベローズを廃し該装置の真空部分の容積を縮小し且つ全長を短縮し、且つ調整を容易にする。 - 特許庁

In this state, by actuating an electron gun 130 or an ion gun 140, electrons or positive ions of inactive gas is irradiated onto an MgO membrane surface of the measurement sample, energy distribution of the emitted secondary electrons is measured with an electronic spectroscope 150, and the measured data of the secondary electron spectra are sent to an analysis device 200.例文帳に追加

この状態で、電子銃１３０或はイオン銃１４０を作動させて電子或は不活性ガスの正イオンを測定試料のＭｇＯ膜表面に照射すると共に、電子分光器１５０で、その放出された二次電子のエネルギー分布を測定し、測定した二次電子スペクトルのデータを解析装置２００に送る。 - 特許庁

Based on a distribution of etching grade of the ion gun 11 and a distribution of etched amount of the substrate 31, an intermediate target thickness of the thickness of the substrate 31 in the measuring point is preliminarily set based on the position of etching center.例文帳に追加

予めイオンガン１１のエッチングレートの分布と、基板３１の被エッチング量の分布とに基づいて、エッチング中心の位置に応じて測定点における基板３１の厚みの中間目標厚みが設定される。 - 特許庁

The method for manufacturing the inkjet head using a piezoelectric element is characterized in that after a piezoelectric material substrate 1 in which a plurality of side walls and channels 11 being paths for ink are alternately arranged side by side is plasma-treated, an electrode 6 is formed by vapor deposition without ion irradiation by an ion gun.例文帳に追加

圧電素子を使用するインクジェットヘッドの製造方法において、複数の側壁とインクの通路となるチャネル１１とが交互に並設された圧電材料基板１をプラズマ処理した後、イオン銃によるイオン照射なしに蒸着により電極６を形成することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。 - 特許庁

When the upper substrate SA is attracted by the substrate holding part 44, the detection sensor 50 is shielded from the outside by the upper substrate SA, and therefore, the detection sensor 50 is not influenced by the impurities caused by irradiation of the ion gun 32.例文帳に追加

基板保持部４４に上側基板ＳＡが吸着されると、上側基板ＳＡにより検知センサ５０が外部から遮蔽されるため、検知センサ５０は、イオンガン３２の照射に起因する不純物の影響を受けない。 - 特許庁

In the film deposition method, the base body is delivered from the rolls, subjected to the treatment on the surface opposite to the film deposition surface by the ion gun, and introduced into the cooling can when depositing the hard film mainly consisting of carbon on the continuously running long base body.例文帳に追加

連続的に走行する長尺状の基体上に炭素を主成分とする硬質膜を成膜するにあたり、基体を、ロールから繰り出した後、成膜面とは反対側の面にイオンガンによる処理を行ってから、冷却キャンに導入する成膜方法である。 - 特許庁

The ion beam machining system, where the focused ion beam 2 is radiated onto the semiconductor device 9 to be machined in its predetermined region, while preventing charge-up with the electron shower 19 supplied from an electron shower gun 20 comprises a controllable power supply 21 for applying a bias to the sample stage 10 and an ammeter 22 for detecting the sample current, without being affected by the electron shower 19.例文帳に追加

集束されたイオンビーム２を半導体装置９上に照射し、電子シャワー銃２０から供給される電子シャワー１９によりチャージアップを防止しつつ、所定の領域を加工するイオンビーム加工装置において、調整電源２１により試料ステージ１０にバイアス印加を行い、電子シャワー１９による影響を受けずに電流計２２で試料電流を検出する。 - 特許庁

In this slice sample fixing method, deposition by focused ion beam irradiation is applied to a predetermined position of the slice sample placed on the sample base or the fixing base such as a mesh while gas is jetted by means of a gas gun, and consequently, the slice sample is fixed to the fixing base.例文帳に追加

本発明の薄片試料の固定方法は試料台若しくはメッシュなどの固定台上に載置された薄片試料の所定個所に、ガス銃によってガスを噴射しつつ集束イオンビームを照射するデポジションを施し、これによって、前記固定台に薄片試料を固定するようにした。 - 特許庁

During ion implantation, secondary electrons generated from an electron gun 12 for preventing charge-up are efficiently supplied to a semiconductor wafer W and prevent charge-up, because the electrons are hardly absorbed into the insulating film ZM formed on the internal wall surface of the cup 10.例文帳に追加

イオン注入中において、チャージアップ防止用電子銃１２が生成した二次電子はファラデーカップ１０に形成された絶縁膜ＺＭにより吸収されにくくなり、生成された二次電子が半導体ウエハＷに効率よく供給され、チャージアップを防止する。 - 特許庁

As a transparent film substrate, the one in which thermal conductivity at 30°C is ≤1.5×10-3 [cal/cm.sec.K] is used, furthermore, a pressure gradient type plasma gun is used in a reaction ion plating method, and an ITO conductive layer crystallized by controlling the voltage and electric current to be applied is formed on the transparent film substrate.例文帳に追加

透明フィルム基板の３０℃における熱伝導率を１．５×１０^-3［ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・Ｋ］以下のものを用い、さらに反応性イオンプレーティング法に圧力勾配型プラズマガンを用いて、投入電圧、投入電流を制御することで結晶化したＩＴＯ導電層を透明フィルム基板上に形成する。 - 特許庁

The film deposition apparatus comprises a plurality of guide rolls 6 to allow a long base body to run, a film deposition unit 3 of a hard film consisting mainly of carbon, and a cooling can 4 which is installed close to the film deposition unit 3 to cool a base body 10 during the film deposition, and an ion gun 7 is disposed on the upstream side of the cooling can 4.例文帳に追加

長尺状の基体を走行させるための複数のガイドロール６と、炭素を主成分とする硬質膜の成膜部３と、成膜部３に近接して設置され、成膜時に基体１０を冷却する冷却キャン４とを備え、冷却キャン４の上流側にイオンガン７が配置されてなる成膜装置である。 - 特許庁

A device for implementing a frequency control method for the quartz resonator has an ion gun having an anode and a hot cathode inside a vacuum container and is configured by having a mechanism for monitoring a discharge current between these anode and hot cathode and a mechanism for controlling the power of the hot cathode to keep constant the discharge current.例文帳に追加

本発明の水晶振動子の周波数調整方法を実施する装置は、真空容器内に、陽極と熱陰極を有するイオンガンを有し、この陽極と熱陰極の間の放電電流をモニタする機構と、この放電電流を一定に保つ様に、熱陰極の電力を制御する機構を持つ装置構成とした。 - 特許庁

In this manufacturing method of a field emission electron gun provided with multiply divided emitter electrodes for emitting electron beams, by removing and processing a tip part 28 of the emitter electrode 21 by irradiating the tip part 28 with a focused ion beam I, a plurality of needle-like parts 30 independent of one another and extending in the emitting direction of the electron beams are formed at the tip part 28.例文帳に追加

電子ビームの出射のための複数分割エミッタ電極を備える電界放出型電子銃の製造方法であって、エミッタ電極（２１）の先端部２８に集束イオンビームＩを照射して先端部２８を除去加工することにより、先端部２８に互いに独立しかつ電子ビームの出射方向に伸長する複数の針状部３０を形成する。 - 特許庁

The forming method is provided with a film-forming process forming a transparent conductive film 12 on the substrate 5, a crystallization process to crystallize the transparent conductive film 12 by irradiating assist gas ionized from an ion gun 11 towards the transparent conductive film 12 after the film-forming process is completed, and a repetition process repeating the film-forming process and the crystallization process alternatively after the crystallization process is completed.例文帳に追加

基板５上に透明導電膜１２を成膜する成膜工程と、前記成膜工程が終了した後に、イオンガン１１からイオン化したアシストガスを透明導電膜１２に向かって照射することにより、透明導電膜１２を結晶化させる結晶化工程と、前記結晶化工程が終了した後に、前記成膜工程と前記結晶化工程を交互に繰り返す繰り返し工程と、を備えたこと。 - 特許庁

This thin film of anatase-type titanium oxide is obtained by film-forming metallic titanium or titanium oxide on a substrately, an arc- discharge ion plating by using a pressure-inclined type plasma gun.例文帳に追加

本発明により、金属チタン又は酸化チタンを圧力勾配型プラズマガンによるアーク放電イオンプレーティングを用い基板上に成膜するアナターゼ型酸化チタン薄膜の製造方法としたことで、低基板温度での成膜が可能となり、基板の種類の制限が少なくなるとともに、真空プロセスによる成膜であるため、多層構造のデバイスを製造するに他の層を形成する装置と同様なものが使用できるため、製造の効率を上げることができるものとし、課題を解決するものである。 - 特許庁