「ion incident angle」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a device and a method wherein change of an incident angle of an ion beam is easy, and wherein deviation of an irradiation position and spread of an irradiation area can be suppressed to be small even in the case of making the incident angle small.例文帳に追加

イオンビームの入射角度の変更が容易であり、しかも入射角度を小さくする場合でも照射位置のずれおよび照射領域の広がりを小さく抑えることができる装置および方法を提供する。 - 特許庁

The gas ion beam from the unit 2 is emitted from a rear surface side of the sample 6 to the section at a predetermined incident angle.例文帳に追加

気体イオンビーム照射装置２からの気体イオンビームが、試料６の裏面側から上記断面に所定の入射角度で照射される。 - 特許庁

When the distribution in the depth direction of the group V element in the group IV semiconductor is measured by an SIMS (secondary ion mass spectrometry) method, a primary ion species, a primary ion acceleration energy, and a primary ion incident angle are limited in the range for reducing profile shift and sensitivity dependency in the depth direction.例文帳に追加

ＳＩＭＳ法によりＩＶ族半導体中のＶ族元素の深さ方向分布を測定する際に、一次イオン種、一次イオン加速エネルギー、及び、一次イオン入射角度をプロファイルシフト及び深さ方向の感度依存性を少なくする範囲に限定する。 - 特許庁

The well is formed in two times of first impurity ion implantation by the prescribed incident angle from a first direction, an acceleration voltage and a dosage; and second impurity ion implantation by the same incident angle, acceleration voltage and dosage as the first impurity ion implantation from a second direction different from the first direction by 180 degrees in plane view.例文帳に追加

ウェルの形成を、第１の方向からの所定の入射角度および加速電圧、ドーズ量による第１の不純物イオン注入と、第１の方向と平面視で１８０度異なる第２の方向からの、第１の不純物イオン注入と同じ入射角度および加速電圧、ドーズ量による第２の不純物イオン注入の２回に分けて行う。 - 特許庁

Its manufacturing method makes an incident angle time-controlled evaporation and an energy time-controlled evaporation to the object to process in an ion evaporation machine by using the ion flow drawn out from the ion source through the duct to a film forming chamber.例文帳に追加

また、その製造方法は、イオン蒸着装置において、イオン源からダクトを介して成膜室に引き出されるイオン流の被処理基板への入射角時間制御蒸着、エネルギー時間制御蒸着を特徴とする。 - 特許庁

Since the scattering plate 11 in the ion trap 9 has a corrugated plate shape, the incident angle of a part of the ions made incident on the scattering plate 11 is made shallow, and the scattering plate 11 is made hard to be sputtered.例文帳に追加

イオントラップ９の散乱板１１は波板状となっているので、散乱板１１に入射するイオンの一部はその入射角が浅くなり、散乱板１１はスパッタされにくくなる。 - 特許庁

After setting of irradiation energy of a primary ion is implemented (S104) and then setting of an incident angle of the primary ion is implemented (S106), the primary ion beam is irradiated with a sample to measure intensity in the depth direction of main metallic elements (S108) using the secondary ion discharged over the depth direction of the sample.例文帳に追加

一次イオンの照射エネルギーを設定し（Ｓ１０４）、次いで、一次イオン入射角度を設定して（Ｓ１０６）、一次イオンビームを試料に照射し、試料の深さ方向に亘って放出された２次イオンにより主要金属元素の深さ方向の強度測定を行う（Ｓ１０８）。 - 特許庁

Whether a variability in intensity of the main metallic elements obtained is within a predetermined domain is determined (S110), and when it is within the predetermined domain, the primary ion incident angle is decided as the primary ion incident angle for analyzing the element of analysis object (S114), and finally the depth direction analysis is implemented (S116) of the element of analysis object.例文帳に追加

得られた主要金属元素の強度の変動率が所定の範囲内か否かを判断し（Ｓ１１０）、所定の範囲内の場合はその一次イオン入射角度を分析対象の元素を分析するための一次イオン入射角度に決定し（Ｓ１１４）、分析対象の元素の深さ方向分析を行う（Ｓ１１６）。 - 特許庁

According to the fabricating method of the solid-state imaging device of the present invention, the impurity diffusion region is formed by performing multiple times ion implantation using the same impurity ion in the same incident direction by changing a tilt angle.例文帳に追加

本発明の固体撮像素子の製造方法は、同一の不純物イオンを用いて、同一の入射方向で、且つ、チルト角度を変えてイオン注入を複数回行うことで、不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

To suppress the degradation of an effective isolation width between a well and a diffusion layer due to impurity ion implantation at the time of well formation at a prescribed incident angle.例文帳に追加

ウェル形成の際の不純物イオン注入を所定の入射角度をもって行うことに起因するウェルと拡散層間の実効的分離幅の劣化を抑える。 - 特許庁

The opening 3a of the shielding plate 3 is opened only at a region on which cluster ions emitted from a cluster ion source 1 are made incident to the lens 4 at an incidence angle of ≤30°.例文帳に追加

遮蔽板３の開口３ａは、クラスターイオン源１から照射されるクラスターイオンが３０度以下の入射角でレンズ４に入射する領域にのみ開口する。 - 特許庁

To provide an incident angle monitor element of charged particles in an ion beam device using a silicon plate with an opening formed and a silicon plate with a line-space pattern formed.例文帳に追加

開口が形成されたシリコン板とライン・スペースパターンが形成されたシリコン板とを用いた、イオンビーム装置における荷電粒子の入射角モニタ素子を提供する。 - 特許庁

A half of the height of an end surface of a pole piece of a 90° sector magnet is cut off at an angle of 30° to enlarge components in incident and outgoing directions of an ion beam in a magnetic field in the vicinity of the outer edge of the magnetic field to preset an oblique incident and outgoing angle at 20°.例文帳に追加

９０°セクターマグネットのポールピースの端面の高さの１／２を３０°の角度で削ぎ落として磁場端縁外部近傍の磁場のイオンビームの入射方向及び出射方向の成分を大きくし、斜め入出射角度を２０°に設定するように構成される。 - 特許庁

Ion energy, ion incident angle to the surface of material, temperature of silicon layer, forming depth of the vertical portion, height of vertical portion and ion passing range to silicon are all determined with reference to the wavelength of the selected waving (vertical) portion in the range of 9 nm to 120 nm.例文帳に追加

イオンエネルギー、前記材料の表面へのイオン入射角、シリコン層の温度、波状起伏の形成深さ、前記波状起伏の高さ、及びシリコンへのイオン貫通範囲は全て、９ｎｍ〜１２０ｎｍの範囲における波状起伏の選択された波長を基準として決定される。 - 特許庁

The raw material of a thin film is deposited on the surface of a substrate in irradiating an ion beam so that at least a part of it is incident on the surface of the substrate 21 with an angle of ≤10°.例文帳に追加

イオンビームを、少なくともその一部が基板２１の表面に対して10°以下の角度でその基板表面に入射するように照射しつつ、薄膜の原料を基板表面に堆積させる。 - 特許庁

To provide a secondary ion mass spectrometer capable of changing the incident angle of primary ions with respect to a sample without changing a desired detection condition between the sample and a detector.例文帳に追加

試料と検出器とにおける所望の検出条件を変えることなく、試料に対する一次イオンの入射角度を変更することが可能となる二次イオン質量分析装置を提供する。 - 特許庁

A single laser beam, emitted from argon ion laser 6, is adjusted in a plane of polarization, and the irradiation light 1 condensed by a condensing lens 10 is allowed to be incident on the surface of the sample 3 at an incident angle which minimizes reflected light and generating only scattered light.例文帳に追加

アルゴンイオンレーザー６から射出させた単一レーザー光を、偏光面調整させ、ついで集光レンズ１０で集光させた照射光１を、反射光を最小限に抑え、散乱光のみを発生させる入射角度で、試料３表面に照射させる。 - 特許庁

When the β iron silicide region is manufactured on the silicon substrate by using a sputtering method, the conditions of the type of ion and its accelerating voltage, a pressure in an apparatus, an incident angle of ion or their combination are set to set a sputtering yield to 2.4 or more.例文帳に追加

シリコン基板にβ鉄シリサイド領域をスパッタ法を用いて作製する際、スパッタリング収率を２．４以上に設定するような、イオンの種類及びその加速電圧、装置内の圧力、イオンの入射角、またはその組み合わせの条件を設定する。 - 特許庁

As a result, the disk 24 is tilted in a prescribed direction while keeping the incident angle of the ion beam 28, and the ion beam 28 is made to impinge on the semiconductor wafer 22 from different directions, so that ions are continuously implanted into the semiconductor wafers 22.例文帳に追加

これにより、ディスク２４をイオンビーム２８の入射角度を保持しつつ所定の方向に傾斜させて、半導体ウエハ２２に対して複数方向からイオンビーム２８を入射させて、半導体ウエハ２２へのイオン注入工程を連続的に行えるようにした。 - 特許庁

The reflective mask blank substrate is obtained by polishing the principal surface of a light-transmitting substrate essentially comprising glass to a predetermined surface roughness and then subjecting the substrate to ion beam irradiation while the substrate is placed to allow the ion beam to be incident to the principal surface of the substrate at an incident angle of 20° or more and less than 90° and the substrate is rotated.例文帳に追加

ガラスを主成分とする透光性基板の主表面を所定の表面粗さとなるように研磨した後、イオンビームが透光性基板の主表面に対して入射角度２０度以上９０度未満で入射するように配置し、且つ、透光性基板を回転させながらイオンビーム照射を行い、反射型マスクブランク用基板を得る。 - 特許庁

A sample surface roughness and/or an attenuation depth are measured by changing a primary ion incident angle by using incidence energy as a parameter, and, in a range of a domain wherein an incidence energy is high, an incident angle range wherein the sample surface roughness and/or the attenuation depth have each minimal value is found out in the range, and SIMS measurement is performed under this condition.例文帳に追加

入射エネルギーをパラメータとして試料表面粗さ、および／または減衰深さを、一次イオン入射角度を変化させて測定し、入射エネルギー領域が高い領域の範囲において、かつその範囲で試料表面粗さ、および／または減衰深さが極小値をもつ入射角度範囲を見出し、その条件下でＳＩＭＳの測定を行う。 - 特許庁

The field-emission electron source 10 is so arranged that the incident angle of the electron 12 formed from the direction parallel to the advancing direction of the ion beam 2 and emitted from it is in the range of -15° to +45°(inward direction of ion beam 2 as positive and outward one as negative).例文帳に追加

電界放出型電子源１０は、それから放出するときの電子１２の、イオンビーム２の進行方向に平行な方向からの角度である入射角度が、−１５度から＋４５度（イオンビーム２の内向きが＋、外向きが−）の範囲内の角度を成す向きに配置されている。 - 特許庁

An ion beam transport part 5, a conversion electrode 6, and a secondary electron detecting system 7 are arranged so that the incident direction of ion beams incoming in the conversion electrode 6 and a line 75 connecting the center 64 of a secondary electron outgoing opening 63 and the center 73 of a scintillator 71 form an acute angle.例文帳に追加

変換電極６に入射するイオンビームの入射方向と、二次電子出射口６３の中心６４とシンチレータ７１の中心７３とを結ぶ線７５とが、鋭角をなすように、イオンビーム輸送部５，変換電極６および二次電子検出系７は設置されている。 - 特許庁

To provide an ion optical system of a time-of-flight type mass spectroscope having converging capability in the axial direction of cylindrical electric fields, easy to adjust its incident angle and of capable of surely circulating ions by a predetermined number of times.例文帳に追加

円筒電場の軸方向の収束性を持ち、入射角の調整が容易で、イオンを所定回数だけ確実に周回させることができる飛行時間型質量分析計のイオン光学系を提供する。 - 特許庁

The energy of ion beams used for finishing processing is reduced, and an incident angle to the sample is optimized to its shape, thus monitoring a change in elements being noticed in a STEM image and detecting the completion point in time in processing.例文帳に追加

仕上げ加工に使用するイオンビームのエネルギーを低くすると共に、試料への入射角度を試料形状に合わせて最適化し、ＳＴＥＭ像の着目する要素の変化をモニタして加工の終了時点を検出する。 - 特許庁

In this analyzer, scattered ions are discriminated by using a pair of cylindrical members arranged at a predetermined interval along the beam axis of an ion beam, so that the permeability of the scattered ions incident at a small angle can be improved.例文帳に追加

本発明は，イオンビームのビーム軸に沿って所定の間隙を設けて配置された対の円筒状部材を用いて散乱イオンを弁別することにより，前記入射角が小さな散乱イオンの通過率を向上させることを図ったものである。 - 特許庁

At this time, the substrate S is etched with an ion beam, while controlling the tilt angle of the substrate so that the incident direction of the beam at the previously-found position on the element becomes parallel to a pattern sidewall for obtaining a pattern for the optical element having the pattern sidewall parallel with respect to the incident beam to the element.例文帳に追加

このとき、先に求めた回折光学素子上の任意の位置における光線の入射方向とパターン側壁とが平行になるように、基板Ｓのチルト角度を制御しながらイオンビームエッチングを行うことにより、回折光学素子に対する入射光線と回折光学素子パターン側壁が平行な回折光学素子用パターンを得る。 - 特許庁

The thin film can be manufactured by irradiating a surface of a substrate S with ion beams IB so as to be incident at an angle α which exceeds 10° and smaller than or equal to 40°, while depositing a material M having the wurtzite crystal structure on the surface of the substrate S.例文帳に追加

この薄膜は、ウルツ鉱型の結晶構造を有する材料Ｍを基板Ｓの表面に堆積させつつ、基板Ｓの表面に対して10°を超え40°以下の角度αで入射するようにイオンビームＩＢを照射することにより製造することができる。 - 特許庁

The film is adhered and aligned in a single step with a method containing a step to shoot an ion-beam at the substrate with a specified incident angle and simultaneously to adhere the film to the substrate (a) and to align an atomic structure of the film in at least a specified aligning direction (b).例文帳に追加

基板をイオン・ビームで指定の入射角で衝撃して、同時に（ａ）基板上に膜を付着しながら、（ｂ）膜の原子構造を少なくとも１つの所定の配向方向に配列するステップを含んでいる方法によって、膜を単一のステップで付着させ配向させる。 - 特許庁

On the other hand, the ions whose incident angle to the scattering plate 11 is deep sputter the scattering plate 11, but, the direction of a substrate 5 in the ion trap 9 is close, and the sputtered particles are not scattered to the direction of the substrate 5, thus they are not taken into a multilayer film deposited on the substrate 5.例文帳に追加

一方、散乱板１１に対する入射角が深いイオンは散乱板１１をスパッタするが、イオントラップ９の基板５の方向は閉じていて、スパッタされた粒子は基板５の方向には飛散しないため、基板５に成膜される多層膜中に取り込まれることはない。 - 特許庁

An amorphous silicon film 14 whose top 14b is flattened is made by subjecting it to ion implantation shown by the arrow 13, with 0 degrees for incident angle, 20 keV of implantation energy, and 8×1015 atom/cm2, using a large current machine, to the topside of the amorphous silicon film having a recess made in an upper side 8b of an interlayer oxide film 8.例文帳に追加

層間酸化膜８の上面８ｂに形成された凹凸を有する非晶質シリコン膜１１の上面１１ｂに対して、大電流機を用いて注入量８×１０^15ａｔｏｍ／ｃｍ^2 、注入エネルギー２０Ｋｅｖ、入射角０度で矢印１３で示すイオン注入を行うことにより、上面１４ｂが平坦化された非晶質シリコン膜１４を形成する。 - 特許庁

A single laser beam emitted from an argon ion laser 6 passes successively through an extinction filter 8, a 1/2 wave plate 9, a scanning X-Y scanner 7 and a condensing lens 10, and then becomes irradiation light 1 having an adjusted plane of polarization, and enters the silicon wafer sample 3 surface at an incident angle by which reflected light is suppressed minimally and only scattered light is generated effectively.例文帳に追加

アルゴンイオンレーザー６から射出された単一レーザー光は、順次減光フィルター８、１／２波長板９、走査用Ｘ−Ｙスキャナー７、集光レンズ１０を経た後、偏光面調整された照射光１となり、シリコンウェーハ試料３表面に対して、反射光を最小限に抑え、散乱光をのみを効果的に発生させる入射角度で入射される。 - 特許庁