「ion implantation system」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ION IMPLANTATION SYSTEM AND CONTROL METHOD例文帳に追加

イオン注入システム及び制御方法 - 特許庁

PATTERN INSPECTING METHOD, ION IMPLANTATION CONTROL METHOD, AND ION IMPLANTATION SYSTEM例文帳に追加

パターン検査方法、イオン注入制御方法及びイオン注入システム - 特許庁

EXTRACTION ELECTRODE MANIPULATOR SYSTEM, AND ION IMPLANTATION SYSTEM例文帳に追加

引出電極用マニピュレータ・システム及びイオン注入システム - 特許庁

ION IMPLANTATION METHOD BY SELF-DISCHARGE ELECTRODE SYSTEM例文帳に追加

自己放電電極方式によるイオン注入法 - 特許庁

CONTROL METHOD OF ION IMPLANTATION PROCESS AND SYSTEM THEREFOR例文帳に追加

イオン注入プロセスの制御方法及びそのシステム - 特許庁

ION-IMPLANTATION MACHINE CONTROL SYSTEM AND METHOD例文帳に追加

イオン注入機管理システムおよびイオン注入機管理方法 - 特許庁

To provide an ion implantation system utilizing detected ion induced luminescence as feedback.例文帳に追加

検出されたイオン励起発光をフィードバックとして用いるイオン注入システム。 - 特許庁

ION BEAM IMPLANTATION SYSTEM, ION BEAM ENERGY MEASURING DEVICE AND MEAN ION KINETIC ENERGY MEASURING DEVICE例文帳に追加

イオンビ—ム注入装置、イオンビ—ムのエネルギ—測定装置、及びイオンの平均運動エネルギ—の測定方法 - 特許庁

ION IMPLANTATION SYSTEM HAVING HYBRID JUNCTION AND DOUBLE MECHANICAL SCANNING STRUCTURE AND IMPLANTATION METHOD例文帳に追加

ハイブリッド結合及び二重機械式走査構造を有するイオン注入システム及び方法 - 特許庁

MAGNETIC/ELECTROSTATIC HYBRID DEFLECTOR FOR ION IMPLANTATION SYSTEM, AND DEFLECTION METHOD OF ION BEAM例文帳に追加

イオン注入システムのための磁気／静電式ハイブリッド偏向器およびイオンビームの偏向方法 - 特許庁

To enable an ion beam of a high beam current in low-energy in an ion implantation system by a ribbon form ion beam.例文帳に追加

リボン形イオンビームによるイオン注入システムにおいて、低エネルギーで高ビーム電流のイオンビームを可能にする。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR REMOVING CONTAMINATED SURFACE IN ION-IMPLANTATION SYSTEM例文帳に追加

イオン注入装置の汚染された表面を除去する装置および方法 - 特許庁

ALIGNMENT INSPECTION DEVICE FOR OBJECT BODY OF ION IMPLANTATION SYSTEM, AND ITS METHOD例文帳に追加

イオン注入設備の対象体整列検証装置及びその方法 - 特許庁

To provide an ion-implantation control system and an ion-implantation control method that can prevent variations in the electrical characteristics of a transistor or the like.例文帳に追加

トランジスタの電気的特性等のばらつきを抑制することが可能なイオン注入管理システムおよびイオン注入管理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optimum method for effectively utilizing ion beams in an ion implantation system of a single substrate.例文帳に追加

単一基板のイオン注入システムにおいて、イオンビームを有効に利用するために最適な方法を目的とする。 - 特許庁

To provide an ion implantation system and a method of manufacturing a semiconductor by the implantation of ion beams formed by N-type dopant cluster ions and the cluster of negatively charged cluster ion beams.例文帳に追加

イオン注入システムと、Ｎ型ドーパントクラスターイオン及び負に荷電したクラスターイオンビームのクラスターから形成されたイオンビームを注入する半導体製造方法とを提供する。 - 特許庁

To provide an ion implanting system capable of conducting uniform ion implantation, even with respect to a substrate of three-dimensional shape and is capable of conducting ion implantation at high energy, using a simple structure.例文帳に追加

三次元形状の基体に対してもほぼ均一なイオン注入が可能であり、構成が単純でしかも高エネルギーのイオン注入が行えるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

The ion implantation system (10) is described as to the implantation of cluster ions into semiconductor substrates for semiconductor device manufacturing.例文帳に追加

イオン注入システム（１０）は、半導体素子製造のための半導体基板内へのクラスターイオンの注入に関して説明される。 - 特許庁

To enable an ion source used for an ion implantation system to move from one output mode to the other output mode and from one ion source material to the other ion source material.例文帳に追加

イオン注入システムに使用されるイオン源を、一つの出力モードから他の出力モードへ、一つのイオン源材料から他のイオン源材料へ、移行可能とする。 - 特許庁

METHOD OF FABRICATING ELECTRONIC COMPONENT CAPABLE OF ADJUSTING THRESHOLD VOLTAGE, ION-IMPLANTATER CONTROLLER USED FOR SAME, AND ION IMPLANTATION SYSTEM例文帳に追加

スレッショルド電圧調節が可能な電子素子の製造方法とこれに使用されるイオン注入器調節器及びイオン注入システム - 特許庁

To provide an ion implantation system capable of implanting ions selectively in a specified area so as to implant ions of a variety of conditions into one semiconductor substrate, and an ion implantation method using the same.例文帳に追加

一つの半導体基板にいろいろな条件のイオンを注入できるように特定領域に選択的にイオン注入が可能なイオン注入システム及びこれを用いたイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

The ion implantation system comprises a wafer, a spectrometer, a photodetector, and an ion source generator, wherein the ion source generator is configured to implant the wafer with ions, and the photodetector is configured to detect ion induced luminescence both on and off the wafer.例文帳に追加

このイオン注入システムは、ウエハ、分光器、光検出器、イオン源発生器を含み、イオン源発生器は、ウエハにイオンを注入するように構成され、光検出器は、ウエハ上及びウエハ外の両方のイオン励起発光を検出するように構成されている。 - 特許庁

To provide an ion extraction electrode system and an ion implantation device for ensuring prevention of contamination during implanting impurities in a semiconductor substrate, even if it is used for a long time, permitting precise implantation of the impurities in a desired amount, and facilitating maintenance.例文帳に追加

半導体基板に不純物を打ち込む際、長期間使用してもコンタミネーションを確実に防止するとともに、不純物を所望量で精密に打ち込むことができ、また、メンテナンスが容易なイオン引き出し電極系及びイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

In the ion implantation system, a temporary temperature operation parameter is controlled based on mechanical rotation of 180° of a wafer during beam scanning fixed by a two-dimensional mechanical scanning.例文帳に追加

一時的な温度操作パラメータは、２次元の機械的スキャニングで固定されたビームスキャンの間でウエハの１８０度の機械的回転に基づいて制御される。 - 特許庁

To provide a system and a method using ion implantation, efficiently manufacturing a medical implant and providing efficient control of a radioactive amount.例文帳に追加

医療インプラントを効率的に作製し、放射性量の効率的な制御を提供する、イオン移植を使用したシステムおよび方法を提供すること。 - 特許庁

As a result of the ion implantation, the electro-negativity of the electrode can be regulated to meet the electrode-negativity of a toner material used in the developing system or can be made coincident therewith.例文帳に追加

イオン注入の結果、電極の電気陰性度を、現像システムで使用されるトナー材の電気陰性度に併せて調整またはこれと一致させることができる。 - 特許庁

In the ion implantation device parallelizing an ion beam scanned at a scanner 20 by an angle compensator 24, and implanting it in a semiconductor wafer 34, first, beam parallelism is measured by a measurement system 80, and then, the angle compensator 24 is controlled based on the result to adjust the ion beam to have a desired beam parallelism.例文帳に追加

スキャナー２０で走査されたイオンビームを角度補正器２４で平行化し、半導体ウエハ３４に注入するイオン注入装置において、先ず、測定システム８０でビーム平行度を測定し、その結果に基づいて角度補正器２４を制御して所望のビーム平行度になるよう調節する。 - 特許庁

A doping system has a shielding plate comprising a metal, a quartz, or the like provided in order to avoid ion implantation on the periphery section of the substrate.例文帳に追加

本発明のドーピング装置は、基板の外周部にイオンが注入されないように、金属又は石英などの絶縁材で形成される遮蔽板を設けることに特徴を有している。 - 特許庁

To provide a method and a system for fabricating a thin film transistor in which excess dopant component or products remaining on the surface of a substrate immediately after ion implantation can be removed.例文帳に追加

イオン注入処理直後に基板表面に残留する余剰なドーパント成分あるいは生成物を除去することができる薄膜トランジスタの製造方法及び装置を提供する。 - 特許庁

An ion implantation system (10) for the implantation of cluster ions into semiconductor substrates for semiconductor device manufacturing and a method of manufacturing a semiconductor device in which clusters of N- and P-type dopants are implanted to form the transistor in CMOS devices.例文帳に追加

半導体素子製造に対する半導体基板内へのクラスターイオンの注入のためのイオン注入システム（１０）、及びＣＭＯＳ素子内のトランジスタを形成するためにＮ及びＰ型ドーパントのクラスターが注入される半導体素子を製造する方法。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus which has significant advantages over other methods, such as plasma and electron showers and plasma flood system, for neutralizing excess charge due to ion implantation.例文帳に追加

本発明は、プラズマ・電子シャワー及びプラズマフラッド法のような他の方法より優れた特異な利点を有する、イオン注入に起因する過剰電荷を中和させるための方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To prevent the generation of a charge potential between an electrode wire and a developing material as far as possible when both are brought into frictional contact with each other by treating a developing electrode for a scavengeless or hybrid scavengeless developing system by using an ion implantation process.例文帳に追加

スカベンジレスまたはハイブリッドスカベンジレス現像システム用現像電極を、イオン注入法を使って処理し、電極ワイヤと現像材とが摩擦接触する際、それらの間に電荷ポテンシャルがなるべく発生しないようにする。 - 特許庁

To provide an LINAC improved by utilizing direct digital synthesis (DDS) techniques to obtain precise frequency and phase control and automated electrode voltage phase calibration; and to provide an HE ion implantation system using it.例文帳に追加

ダイレクトデジタル合成（ＤＤＳ）技術を使用して、高精度な周波数および位相の制御並びに自動化された電極電圧の位相較正を達成することにより改善されたＬＩＮＡＣとこれを使用したＨＥイオン注入システムを開示する。 - 特許庁

The hybrid deflector 500 for an ion implantation system is composed of a magnetic deflection module 350 which works to deflect ion beam from a beam axis, an electrostatic deflection module 504 which works to deflect the ion beam from the beam axis, and a controller 304 which, based on one or a plurality of input controlling signals, operates either the magnetic deflection module or the electrostatic deflection module selectively.例文帳に追加

本発明に係るイオン注入システムのためのハイブリッド偏向器５００は、イオンビームをビーム軸から偏向するように動作する磁気偏向モジュール３５０と、前記イオンビームを前記ビーム軸から偏向するように動作する静電偏向モジュール５０４と、１つまたは複数の入力制御信号に基づいて、前記磁気偏向モジュールと前記静電偏向モジュールの１つを選択的に動作させるコントローラー３０４とを含む。 - 特許庁

To provide an object body alignment inspection device of an ion implantation system for aligning and disposing an object body, by inspecting whether inclination and a rotation angle of an object body are in the range of a set value for preventing channeling phenomenon, wherein impurity ion to be implanted to an object body is implanted to a set depth or more, and its method.例文帳に追加

対象体に注入される不純物イオンが設定された深さ以上に注入されるチャネリング現象を防止するため、対象体の傾きと回転角が設定値の範囲にあるかどうかを検証し、これを通じて対象体が整列配置されるようにするイオン注入設備の対象体整列検証装置及びその方法を提供する。 - 特許庁

To provide a transfer mask data correction system to obtain a transfer mask suitable to eliminate the troubles caused by the physical phenomenon which follows the etching or ion implantation and the electron beam lithography when manufacturing a mask pattern.例文帳に追加

エッチングやイオン注入等に伴う物理現象に起因した不都合、および、マスクパターンを製作する際の電子線描画に伴う物理現象に起因した不都合を解消に適した転写用マスクを得るための転写用マスクデータ補正装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing system and manufacturing method for a semiconductor device that can suppress variation in final electric characteristics in a wafer surface by making corrections in an ion implantation step even when a structure obtained in an inspection step of manufacture of the semiconductor device deviates from management specifications to improve the product yield.例文帳に追加

半導体装置の製造の検査工程で得られた構造が管理スペックから離れている場合でも、イオン注入工程において、補正することにより、最終的な電気特性のばらつきをウェハ面内で抑制でき、製品歩留まりを向上することが可能な半導体装置の製造システムと製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a removing a treatment liquid, a treatment method and a removing device of an organic system fouling on a substrate surface capable of removing even a resist film hardened and denaturalized by high-concentration ion implantation at room temperature and provided with a multi-repeatable treatment capacity using environment-friendliness and ozone regeneration at almost the same level of ethylene carbonate (EC) treatment.例文帳に追加

高濃度イオン注入で硬化変質したレジスト膜すら室温で除去することができ、炭酸エチレン（ＥＣ）処理並みの環境へのやさしさとオゾン再生を用いた多数回繰返し処理能力とを備えた、基板表面上の有機系付着物の除去用処理液と処理方法と除去装置とを提供する。 - 特許庁

To provide a method for cleaning an ion implanter, capable of cleaning using a raw material gas without additionally providing a complicated parameter setup or mechanism and a cleaning gas introduction system, for removing a W deposit between slits of extraction electrodes comprising tungsten W after performing ion implantation using BF_3 as a raw material gas, and to provide a cleaning device having a mechanism for the method.例文帳に追加

ＢＦ_３を原料ガスとするイオン注入を実施した後に、タングステンＷで構成される引き出し電極のスリット間のＷ堆積物を除去するため、複雑なパラメータ設定あるいは機構、クリーニング用ガスの導入系を別途設けることなく、原料ガスを用いたクリーニングを可能とするイオン注入装置のクリーニング方法及びそのための機構を有するクリーニング装置を提供する。 - 特許庁

An alignment marker used for patterning in repeatedly performing epitaxial growth and ion implantation on a low resistance arsenic-doped silicon substrate by using the multistage epitaxial system is formed as a projection or recess having a level difference which is formed by selectively reducing the thickness of an oxide film provided on a back side opposite to an epitaxial growth side.例文帳に追加

低抵抗砒素ドープシリコン基板に多段エピタキシャル方式によるエピタキシャル成長とイオン注入を繰り返し実施する際にパターニングに用いられるアライメントマーカーを、前記エピタキシャル成長面とは反対側の裏面に設けた酸化膜の膜厚を選択的に減厚して形成した段差からなる凸部又は凹部として形成する。 - 特許庁

There is provided a beam stop 100 for ion implantation system 10, provided with a charge collecting device having a surface made into segments to be exposed to ion beams 34, wherein a surface is divided into at least two segments, so that one of the segments spreads around the other segment, and each segment of the two segments operates to provide one or more signals showing an electrical charge collected by each segment.例文帳に追加

イオンビーム３４を受ける、セグメント化された表面が提供された電荷収集装置を備える、イオン打ち込み装置１０用ビームストップ１００であって、表面は、少なくとも２つのセグメントに分割され、一方のセグメントが他方のセグメントの周囲に広がり、２つのセグメントの各セグメントは、イオンビームが各セグメントに入射したときに、各セグメントによって収集された電荷を表す１つ以上の信号を提供するように動作する、ビームストップが提供される。 - 特許庁

This gas detection system has a plurality of types of gas detectors 300 corresponding to types of gases of used gases monitoring the presence or absence of a leakage of used gas, an output signal 102 indicating type of used gas during use outputted from an ion implantation device 100 using a plurality of types of gases, and a monitor switching unit 200 switching monitoring gas detectors 300 by the output signal 102.例文帳に追加

使用ガス漏洩の有無をモニターする使用ガスのガス種に対応した複数種類のガス検知器３００と、複数種類の使用ガスを使用するイオン注入装置１００から出力された使用中の使用ガスのガス種を示す出力信号１０２と、出力信号１０２によりモニターするガス検知器３００を切り替えるモニター切替ユニット２００とを有する。 - 特許庁