「ion implantation damage」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide an ion beam implantation device capable of preventing damage of an ion beam current detection means and exactly implanting ion beam.例文帳に追加

本発明は、イオンビーム電流検出手段の損傷を防止して正確にイオンビームを注入できるイオンビーム注入装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion implantation apparatus and an ion implantation method, capable of preventing a charge-up damage from being easily generated on a substrate to be processed in implanting positive charge ions into the substrate to be processed.例文帳に追加

被処理基板に正電荷のイオン注入の際、被処理基板にチャージアップダメージが発生しにくいイオン注入装置およびイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

To provide a low-loss semiconductor device in which loss caused by ion implantation damage is suppressed.例文帳に追加

イオン注入ダメージにより生ずる損失が抑制された低損失な半導体装置を提供する。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted in the surface (major surface) of a single crystal Si substrate 10 at a dose of 1.5×101^7 atoms/cm^2 to form a hydrogen ion implantation layer (ion implantation damage layer) 11.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基１０の表面（主面）にドーズ量１．５×１０１^7ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2以上で水素イオンを注入し、水素イオン注入層（イオン注入ダメージ層）１１を形成する。 - 特許庁

To obtain a method and device for monitoring static damage, capable of readily testing the presence or absence of the static damage caused, when a processing is effected by use of ions of ion implantation, etc.例文帳に追加

イオン注入等のイオンを用いる加工を行う際に生ずる静電破壊の有無を容易に検査可能な静電破壊モニタリング方法および装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing damage or peeling of a gate electrode containing metal material when forming an oxide film for protecting against ion implantation damage.例文帳に追加

イオン注入損傷の保護用酸化膜の形成時に、金属材料を含むゲート電極の損傷や剥離を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Through the silicon oxide film 7 for protecting against ion implantation damage, ion is implanted on the entire surface of a p-well with the gate electrode 5 and a side wall 6 as implantation masks, to form n^+ diffusion layers 12 and 13 on the p-well.例文帳に追加

次に、このイオン注入損傷の保護用のシリコン酸化膜７を介すると共に、ゲート電極５およびサイドウォール６を注入マスクとして、ｐウェルの全面にイオン注入をし、ｐウエルにｎ^＋ 拡散層１２、１３を形成する。 - 特許庁

To enable crystal material to recover completely from damage caused by ion implantation.例文帳に追加

イオン注入による損傷が十分に回復された結晶材料の製造方法および半導体素子の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus preventing crystal defects caused by damage in ion implantation, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

イオン注入のダメージに起因する結晶欠陥の発生を防止することができる、半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a PN junction interface that prevents enhanced diffusion caused by an uneven stress during high temperature annealing for recovering from implantation damage after boron ion implantation into a wafer and achieves a superior flatness.例文帳に追加

ウェーハへのボロンのイオン注入後における、注入損傷回復の高温アニールにおいて、応力の不均一から生ずる増速拡散を防止し、平坦性の良いＰＮ接合界面の提供。 - 特許庁

First, the structure is manufactured by forming a damage region on the front surface of an Si content substrate by ion implantation of a light atom such as He.例文帳に追加

この構造体は、まず、Ｈｅなどの軽原子のイオン注入によりＳｉ含有基板の表面に損傷領域を形成することによって、製造される。 - 特許庁

A damage layer 32 is formed only in a region ranging from a depth of nearly 73 μm to that of nearly 78 μm inside each of the glass substrates 1, 21 by the hydrogen ion implantation.例文帳に追加

水素イオン注入により、ガラス基板１、２１内の約深さ７３μmから約７８μmまでの間の領域にのみ、ダメージ層３２が形成される。 - 特許庁

In the method for analyzing the depth direction profile of the ion implantation element measured by a secondary ion mass analyzing method, the change of the sputtering yield changed by the degree of damage formed at the time of ion implantation is calculated from the attenuation depth and the depth axis of a measuring profile is corrected on the basis of the change of the sputtering yield.例文帳に追加

二次イオン質量分析法で測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを分析する方法であって、イオン注入時に形成されたダメージの度合いにより変化するスパッタ収率の変化を減衰深さから求め、そのスパッタ収率の変化に依って測定プロファイルの深さ軸を補正する。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor wherein the device characteristics of the transistor are not deteriorated, while impurity diffusion in the layers in the transistor is inhibited, and moreover by the generation of damage to the transistor due to an ion implantation into the layers or the like.例文帳に追加

不純物拡散を抑制しつつ、しかもイオン注入に基づくダメージの発生などによりデバイス特性が劣化しないバイポーラトランジスタを提供することを目的とする。 - 特許庁

For example, the single crystallinity of the edge 1A of a wafer 1 is destroyed through ion implantation or sand blasting to form a damage layer 11 on the surfacial layer of the wafer edge 1A.例文帳に追加

例えばイオン注入法やサンドブラスト法によってウェーハ１のエッジ部１Ａの単結晶性を崩すことにより、当該ウェーハエッジ部１Ａの表層にダメージ層１１を形成する。 - 特許庁

After forming a thick silicon oxide film 3 uniformly inside the trench 11, an ion-implanted damage region 31 is selectively introduced into the silicon oxide film on the side wall of the trench using shadowing by inclined ion implantation of ions such as Ar ions.例文帳に追加

トレンチ１１内に均一に厚いシリコン酸化膜３を形成させた後、Ａｒなどのイオンを斜めイオン注入によるシャドーイングを利用してトレンチ側壁のシリコン酸化膜に選択的に注入ダメージ領域３１を導入する。 - 特許庁

The single crystal Si substrate 10 and a quartz substrate 20 having carbon concentration of 100 ppm or above are stuck and an external impact is applied to the vicinity of the ion implantation damage layer 11 thus exfoliating an Si crystal film along the hydrogen ion implantation interface 12 of the single crystal Si substrate 10 in the substrates stuck together.例文帳に追加

この単結晶Ｓｉ基板１０と炭素濃度１００ｐｐｍ以上を含有する石英基板２０を貼り合わせ、イオン注入ダメージ層１１近傍に外部衝撃を付与することで、貼り合せ基板の単結晶Ｓｉ基板１０の水素イオン注入界面１２に沿ってＳｉ結晶膜を剥離する。 - 特許庁

Further, an external impact is applied onto a bonding interface, the SiGe epitaxial film is separated along a hydrogen ion implantation interface 13 to obtain an SiGe thin film 14, and further a surface of the SiGe thin film 14 is subjected to final surface treatment (CMP polishing, or the like) to remove damage caused by hydrogen ion implantation.例文帳に追加

更に、貼り合わせ界面に外部衝撃を加え、水素イオン注入界面１３に沿ってＳｉＧｅエピタキシャル膜の剥離を行ってＳｉＧｅ薄膜１４を得、さらにこのＳｉＧｅ薄膜１４の表面に最終表面処理（ＣＭＰ研磨等）を施して水素イオン注入起因のダメージを除去する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing overlap of a doped region by cell channel ion implantation with a junction region by source/drain ion implantation and damage of a substrate in isotropic etching for formation of a valve pattern of a valve-shaped recess, improving refreshing characteristics of the element, and stabilizing a process.例文帳に追加

セルチャネルイオン注入によるドーピング領域とソース／ドレインイオン注入による接合領域とのオーバーラップ、及び、バルブ型リセスのバルブパターン形成のための等方性エチング時の基板の損傷を防止し、素子のリフレッシュ特性の改善及び工程の安定化が可能な半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To suppress the deterioration of a gate oxide film due to threshold ion implantation damage in a semiconductor device incorporating a mask ROM that is composed by two kinds MOS transistors with high and low thresholds.例文帳に追加

高低2種類のしきい値のＭＯＳトランジスタで構成するマスクＲＯＭを内蔵した半導体装置においてしきい値イオン注入ダメージによるゲート酸化膜の信頼性劣化を抑制する。 - 特許庁

To provide a transistor substrate for a liquid crystal display device preventing damage of a gate electrode when carrying out ion implantation in source/drain are of an active layer, and carrying out activation by irradiation of a laser beam.例文帳に追加

アクティブ層のソース／ドレイン領域にイオン注入を行い、レーザビームの照射による活性化を行う際に、ゲート電極の損傷を防止する液晶表示装置用トランジスタ基板を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate treatment method and a substrate treatment device capable of satisfactorily removing an organic material such as a resist used as a mask at the time of ion implantation without giving damage to a substrate.例文帳に追加

基板にダメージを与えることなく、イオン注入時にマスクとして用いられたレジストなどの有機物を良好に除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

To improve yields in an active matrix substrate, its manufacturing method, an optoelectronic device and its manufacturing method by reducing initial defects and damage on an insulation layer caused by an ion implantation.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板とその製造方法、及び電気光学装置とその製造方法において、イオン注入に起因する絶縁膜の初期欠陥やダメージを低減させて歩留まりを向上させること。 - 特許庁

To effectively lower an interface level in an interface between an Si substrate and a gate insulating film while suppressing the damage of the Si substrate or a mixture of F in the gate insulating film and a gate oxide film due to an F ion implantation.例文帳に追加

Ｆイオン注入によるＳｉ基板へのダメージや、ゲート絶縁膜、ゲート酸化膜へのＦの混入を抑えつつ、効果的に、Ｓｉ基板と、ゲート絶縁膜との界面における界面準位を低下させる。 - 特許庁

To suppress a crystal defect caused by damage by ion implantation and preventing the fluctuation of an operation threshold Vt of a semiconductor device when the density of a contact region inserted into a lower part of a source region is increased.例文帳に追加

ソース領域の下部に入り込ませるコンタクト領域の濃度を濃くする場合に、イオン注入のダメージによる結晶欠陥を抑制できるようにすると共に、半導体装置の動作しきい値Ｖｔが変動することを防止する。 - 特許庁

To provide a means for removing the surface part of an ion implantation layer in a semiconductor layer without causing new damage in a method for manufacturing a semiconductor device possessed of the semiconductor layer containing Si and C and serving as an active region.例文帳に追加

ＳｉとＣとを含む半導体層を活性領域とする半導体素子を製造する方法において、半導体層内へのイオン注入層の表面部を新たなダメージを与えずに除去する手段を提供する。 - 特許庁

Thus, the abnormal discharge in ion implantation and the damage or the like of the resist pattern on the wafer by falling are reduced.例文帳に追加

本発明においては、レジストからのアウト・ガス成分が沈着しない程度に、加速電極を加熱しながらイオン注入を実行するので、イオン注入の際の異常放電や脱落遺物によるウエハ上レジストパターンの損傷等を低減することができる。 - 特許庁

To provide a photoresist release agent causing little damage to the surface of a silicon substrate and having excellent striping performance for a photoresist subjected to a dry etching process or an ion implantation process or for a residue produced after the oxygen plasma treatment of a photoresist.例文帳に追加

シリコン基板の表面へのダメージが少なく、しかもドライエッチング工程やイオン注入工程を経たフォトレジスト、フォトレジストを酸素プラズマで処理した後に生じる残渣物の剥離性能に優れたフォトレジスト剥離剤を提供する。 - 特許庁

Since the silicon oxide film 7 for protecting against ion implantation damage and for forming source and drain regions is formed by the low-temperature normal pressure CVD method at 400-500°C, the no molybdenum constituting the gate electrode 5 is oxidized or sublimated when forming the silicon oxide film 7, to prevent the damage or peeling of the gate electrode 5.例文帳に追加

このように、４００〜５００℃の低温の常圧ＣＶＤ法によって、ソース、ドレイン領域形成のためのイオン注入損傷の保護用のシリコン酸化膜７を形成するので、シリコン酸化膜７の形成時にゲート電極５を構成するモリブデンが酸化または昇華せず、ゲート電極５の損傷や剥離を防止できる。 - 特許庁

To obtain a field effect semiconductor device which contains a HENT and is excellent in high-frequency characteristics and high-speed operating characteristics by reducing the device in damage by ion implantation for controlling Vth and keeping it high in channel mobility.例文帳に追加

電界効果半導体装置に関し、Ｖ_th制御の為のイオン注入に依る損傷を低減し、高いチャネル移動度を維持できるようにして、高周波特性及び高速動作性が良好なＨＥＭＴを含む電界効果半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

After filling the insulating film in the trench, alternatively, the method includes the steps of implanting impurity ions to the whole surface from the top of the semiconductor substrate and by heat treatment removing damage generated on the insulating film surface filled in the trench by the ion implantation.例文帳に追加

あるいは、溝内に絶縁膜を充填した後、上記半導体基板上から全面に不純物をイオン注入する工程と、上記イオン注入により溝を充填する絶縁膜表面に生じた損傷を熱処理で除去する工程とを含む。 - 特許庁

To improve yields in an active matrix substrate, its manufacturing method, an optoelectronic device and its manufacturing method by reducing damage on an insulation layer of storage capacitance caused by an ion implantation while maintaining necessary specific resistance on the lower electrode of the storage capacitance.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板とその製造方法、及び電気光学装置とその製造方法において、蓄積容量の下部電極において必要な比抵抗値を確保しながらイオン注入に起因する蓄積容量の絶縁膜へのダメージを低減させて歩留まりを向上させること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where a single crystal silicon integrated circuit is made on an insulating substrate without an adhesive, an active area does not receive damage due to a hydrogen ion implantation etc., and the proper characteristic of the device can be sufficiently shown.例文帳に追加

絶縁性基板上に、接着剤を用いないで単結晶シリコン集積回路を作製すると共に、単結晶シリコン集積回路の活性領域が水素イオン注入等のダメージを受けず、素子本来の特性を十分に発揮することのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of dislodging an organic coating and a remover which can remove a photoresist which does not receive deterioration even if it is the organic coating in which managements, such as photoresist, did deterioration curing in response to a damage with an ion implantation, etc. in a manufacturing process, which is no problem in an environmental side, and is economically cheap.例文帳に追加

製造工程中でイオン注入等で損傷を受けてフォトレジスト等の上層部が変質硬化した有機被膜であっても、変質を受けていないフォトレジスト共々、大きな剥離速度で除去でき、環境面でも問題なく、経済的にも安価な、有機被膜の除去方法及び除去剤を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element which minimizes TED (Transient Enhanced Diffusion) phenomenon of impurities which is generated in heat treatment process and other successive heat treatment processes for relaxing damage due to ion implantation and prevents lowering of upper film quality caused by outgassing.例文帳に追加

イオン注入による損傷を緩和させるための熱処理工程やその他後続の熱処理工程の際に発生する不純物のＴＥＤ（Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）現象を最大限抑え、アウトガス（ガス抜け）による上部膜質の低下を防止することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Even if a part of an N-diffusion layer 6 is overetched and the P well 1 is exposed due to pattern displacement of contact pads, no etching damage is left on the border between the N-diffusion layer 6 and the P well 1, since the exposed surface is covered with an N-diffusion layer 11 by ion implantation or solid phase diffusion of phosphorus.例文帳に追加

コンタクト用パッド９の目ずれが原因でＮ−拡散層６の一部がオーバーエッチングされてＰウェル１が露出しても、その露出面をイオン注入或いはリンの固相拡散によりＮ−拡散層１１で覆うため、Ｎ−拡散層６とＰウェル１との境界のエッチングダメージを残すことはない。 - 特許庁