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「ion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索
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ion layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2615



例文

The first multi-layer structure has an ionizer or an electronic type ion detector.例文帳に追加

第1の多層構造はイオナイザまたは電子式イオン検出器を有する。 - 特許庁

Besides, the threshold voltage change layer is formed by the ion implantation of impurities.例文帳に追加

また、閾値電圧変更層は、不純物のイオン注入により形成する。 - 特許庁

The ion layer not only serves as an ion provider, but also acts as an electrochromic material of an accessory color change layer for improving the derivation of the optical transmittance.例文帳に追加

イオン層はイオンを提供者であるほか、自らは電気変色材料の一種であり、補助変色層として、光透過度の偏差値を向上できる。 - 特許庁

A first body layer 17A' is formed by this first ion implantation.例文帳に追加

この第1のイオン注入により、第1のボディ層17A’が形成される。 - 特許庁

例文

(b) An opening 5 is formed in the sacrificial layer 4 and the gate electrode layer 3 by applying a focused ion beam thereto.例文帳に追加

(b)集束イオンビームを照射して、犠牲層4とゲート電極層3とに開口部5を形成する。 - 特許庁


例文

Impurity ions are ion-implanted thereafter to form an N-type semiconductor layer 8 serving as an emitter layer or the like.例文帳に追加

その後に不純物イオンをイオン注入してエミッタ層等となるN型半導体層8を形成する。 - 特許庁

The storage element includes a high-resistance layer 4 and an ion source layer 5 between an lower electrode 3 and an upper electrode 6.例文帳に追加

下部電極3と上部電極6の間に高抵抗層4とイオン源層5とを備える。 - 特許庁

The vapor permeable membrane is a complexified vapor permeable membrane which has an ion-exchange layer on the surface of a surface-treated porous substrate and is characterized in that the counter ion of the ion-exchange group in the ion-exchange resin is an ammonium ion and/or metal ion.例文帳に追加

表面処理された多孔質基体の表面にイオン交換樹脂の層を有する複合化された水蒸気透過膜であって、該イオン交換樹脂中のイオン交換基の対イオンが、アンモニウムイオン及び/又は金属イオンであることを特徴とする水蒸気透過膜。 - 特許庁

A number of very small holes 22c are formed in the ion selection layer 22, and a growth accelerator is provided in an adhesive portion with a nerve, which is positioned between the conductive layer 20b and the ion selection layer 22.例文帳に追加

該イオン選別層22には多数の微細孔22cを形成し、導通層20bとイオン選別層22との間に位置する神経との癒着部に成長促進剤を設ける。 - 特許庁

例文

(a) An insulating layer 12 is formed on a single crystal Si substrate 11, and (b) an ion implanted layer 13 is formed by implanting the substrate 11 with ion through the insulating layer 12.例文帳に追加

単結晶Si基板11の上に絶縁層12を形成し(a)、絶縁層12を通して基板11中にイオンを注入してイオン注入層13を形成する(b)。 - 特許庁

例文

This chemical filter unit is constituted by using the filter medium obtained by laminating a physical adsorption layer for adsorbing contaminants to be generated from an ion exchange resin layer on the downstream side of the ion exchange resin layer.例文帳に追加

イオン交換樹脂層の下流に、該イオン交換樹脂層より発生する汚染物質を吸着する物理吸着層を積層したケミカルフィルタ用濾材を用いてケミカルフィルタユニットとする。 - 特許庁

More specifically, TFSI or FSI is used as the ion liquid (negative ion species) when injecting the hole into the semiconductor layer.例文帳に追加

具体的には、半導体層に正孔を注入する際イオン液体(陰イオン種)としてTFSIやFSIを用いる。 - 特許庁

After forming a collector layer 7, a base layer 8, an etching stopper layer 12 for forming an opening in an ion transmission suppressing layer 14, and the ion transmission suppressing layer 14 on the etching stopper layer 12 in order; impurity ions 38 of a first conductivity type are injected into the collector layer 7 through the opening 14a formed in the ion transmission suppressing film to form an SIC region 21.例文帳に追加

コレクタ層7、ベース層8、イオン透過抑制層14開口のためのエッチングストッパ層12、エッチングストッパ層12の上にイオン透過抑制層14を順に形成した後、イオン透過抑制膜の開口14aを通じて第1の導電型の不純物のイオン38をコレクタ層7に注入して、SIC領域21を形成する。 - 特許庁

At the time of forming the switching element having a laminated structure of an ion conduction layer and an ion supply layer, and a paired electrode applying voltage to the laminated structure; the ion supply layer is formed as a layer comprising copper or silver and a metal forming alloy with copper.例文帳に追加

イオン伝導層とイオン供給層の積層構造と、この積層構造に電圧を印加する電極対を有するスイッチング素子を形成する際に、イオン供給層を、銅または銀と、銅と合金を形成し得る金属と、と含んでなる層として形成する。 - 特許庁

The resistance change element 10 includes: an ion conductive layer 14 in which a metal ion can be conducted; and a first electrode 12, a second electrode 16 and a third electrode 17 that are in contact with the ion conductive layer 14.例文帳に追加

抵抗変化素子10は、金属イオンが伝導可能なイオン伝導層14と、イオン伝導層14と接する第1電極12、第2電極16および第3電極17と、を備えている。 - 特許庁

The improved ionic conductor layer 23 comprises at least two ion transport layers 31, 33 and a buffer layer 32, wherein the at least two ion transport layers 31, 33 and the buffer layer 32 alternate within the ion conductor layer 23 such that the ion transport layers 31, 33 are in communication with a first and a second electrodes.例文帳に追加

改善されたイオン伝導体層23は少なくとも2つのイオン輸送層31、33及び緩衝層32を含み、少なくとも2つのイオン輸送層31、33及び緩衝層32は、イオン輸送層31、33が第1及び第2の電極と連絡するようにイオン伝導体層23内で互い違いになっている。 - 特許庁

This composite ion-exchange membrane comprises a composite layer in which an ion-exchange resin made of polyarylene ether-based copolymer is impregnated in a porous base material, a surface layer of an ion-exchange resin made of polyarylene ether-based copolymer formed on one surface of the composite layer, and a surface layer of a fluoride ion-exchange resin formed on another surface of the composite layer.例文帳に追加

多孔性基材にポリアリーレンエーテル系共重合体からなるイオン交換樹脂が含浸されてなる複合層、該複合層の一方の表面にポリアリーレンエーテル系共重合体からなるイオン交換樹脂の表面層と他方の表面にフッ素系イオン交換樹脂からなる表面層を形成した複合イオン交換膜である。 - 特許庁

In addition, a first photoresist layer 6 is formed by using the p-type well mask, and the polysilicon layer 5 is set to an n-type by implanting the ion of an n-type impurity, such as the arsenic etc., into the layer 5 by using the photoresist layer 6 as an ion implanting mask.例文帳に追加

そして、Pウエルマスクを用いて、第1のフォトレジスト層6を形成し、これをイオン注入マスクとして、ヒ素等のN型不純物をポリシリコン層5内にイオン注入し、これをN型化する。 - 特許庁

The ion-implantation is carried out at 0.05-50 μA/cm^2 ion current and the thickness of the ion implanted layer is changed by continuously changing the acceleration voltage in the ion-implantation.例文帳に追加

また、注入電流が0.05μA/cm^2〜50μA/cm^2の範囲でイオン注入を行い、イオン注入時の加速電圧を連続的に変化させて、イオン注入層の厚みを変える。 - 特許庁

The catalyst layer 30 has platinum-cobalt supporting carbon particles and an ion conductor.例文帳に追加

触媒層30は、白金コバルト担持炭素粒子とイオン伝導体とを有する。 - 特許庁

After an insulating layer 108 is formed on a substrate 100, and is subjected to an ion-implantation step.例文帳に追加

基板上に絶縁層を形成した後、イオン注入ステップを実施する。 - 特許庁

Consequently, the image quality deterioration by the ion contamination of the liquid crystal layer 17 is suppressed.例文帳に追加

従って、液晶層17のイオン汚染による画質劣化が抑制される。 - 特許庁

The ceramic substrate 7 is an oxygen ion-permeable solid electrolyte layer.例文帳に追加

このうち、セラミック基板7は、酸素イオンが透過可能な固体電解質層である。 - 特許庁

The silicon germanium layer is formed through a separation method or an ion implantation method.例文帳に追加

シリコンゲルマニウム層は、析出もしくはイオン注入プロセスによって形成される。 - 特許庁

A material of the buffer layer 108 is lithium ion conductive polymer electrolyte.例文帳に追加

緩衝層108の材質は、リチウムイオン導電性のポリマー電解質である。 - 特許庁

The free magnetic layer 28 is not damaged greatly by the ion milling.例文帳に追加

従って、フリー磁性層28はイオンミリングによって大きなダメージを受けなくなる。 - 特許庁

It is preferable that the short circuit preventive layer is an ion conductive gelatinous substance.例文帳に追加

前記短絡防止層は、イオン伝導性ゲル状体であることが好ましい。 - 特許庁

At this point, ion implantation for a base diffusion layer has not been carried out yet.例文帳に追加

この時点で、ベース拡散層のためのイオン注入は、まだ、行われていない。 - 特許庁

METHOD FOR PURIFYING WATER USING POWDER ION EXCHANGE RESIN INCLUSION ADSORBER AS FILTRATION LAYER例文帳に追加

粉末イオン交換樹脂包含吸着体を濾過層とする水の浄化法。 - 特許庁

PHOTOSENSITIVE DRY FILM RESIST HAVING ION SCAVENGER LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

イオン捕捉剤層を有する感光性ドライフィルムレジストおよびその製造方法 - 特許庁

To provide an improved lead layer by diagonal ion beam sputtering and annealing.例文帳に追加

斜めイオンビームスパッタリングとアニーリングにより、改善されたリード層を提供すること。 - 特許庁

Ion beam etching is used as the dry etching method of a continuous recording layer 20.例文帳に追加

又、連続記録層20のドライエッチング手法としてイオンビームエッチングを用いる。 - 特許庁

A p-type deep layer 10 is divided into a lower layer part 10a and an upper layer part 10b, and they are formed by twice an ion implantation.例文帳に追加

p型ディープ層10を下層部分10aと上層部分10bとに分け、これらを2度のイオン注入によって形成する。 - 特許庁

The battery is provided with a positive electrode layer 20, a negative electrode layer 50, and an electrolyte layer 40 carrying out ion conduction between the both electrode layers.例文帳に追加

本発明の電池は、正極層20と、負極層50と、両電極層間でイオンの伝導を行う電解質層40とを有する。 - 特許庁

Further, the electron conductive part 32 of the ion and electron conductive layer 21 transmits O^2- of the NO_x reduction layer 23 to the PM oxidation layer 22.例文帳に追加

また、イオン電子伝導層21の電子伝導部32は、NO_x還元層23のO^2−をPM酸化層22へと伝達する。 - 特許庁

The dielectric layer, which is exposed to the ion beam, has a refractive index which can be adjusted on the basis of the parameters of the ion source, and the ion source can be a linear source.例文帳に追加

イオンビームに曝露された誘電体層がイオン源のパラメータに基づいて調整できる屈折率を有し、前記イオン源が線状源であることができる。 - 特許庁

A first conductivity ion is poured into a part for forming a well-contact layer 4 to form the well-contact layer 4.例文帳に追加

ウェルコンタクト層4を形成する部分に、第1導電型のイオンを注入し、ウェルコンタクト層4を形成する。 - 特許庁

An ion implantation to the second metallic layer 3 in the case of the over-etching of the second metallic layer 3 can be inhibited.例文帳に追加

第2の金属層3のオーバーエッチングの際における第2の金属層3へのイオン入射を抑制できる。 - 特許庁

The doped glass layer 30 formed by ion implantation can reduce dislocation density of the silicon layer 32.例文帳に追加

イオン注入により形成されたドープ・ガラス層30は、シリコン層32の転位密度を減少させることができる。 - 特許庁

ELECTROCHROMIC ASSEMBLY BASED ON POLY(3,4-ETHYLENE DIOXYTHIOPHENE) DERIVATIVE IN ELECTROCHROMIC LAYER AND ION STORAGE LAYER例文帳に追加

電気着色層中のポリ(3,4—エチレンジオキシチオフェン)誘導体及びイオン貯蔵層に基づいた電気着色アセンブリ - 特許庁

Thereafter, the SiC layer 9 is patterned by applying reactive ion etching by a SF_6 gas to the SiC layer 9.例文帳に追加

次に、SiC層9に対してSF_6ガスにより反応性イオンエッチングを施し、SiC層9をパターニングする。 - 特許庁

Thereafter, a p-type second gate layer 7 is formed on the surface of the channel layer 6 by an ion implanting method.例文帳に追加

その後、このチャネル層6の表面にイオン注入法によってP型の第2のゲート層7を形成する。 - 特許庁

There are provided a process of forming ion implantation control openings 13-14 which mutually align diffusion layer formation regions 7-9, an ion implantation mask layer forming process for forming ion implantation openings 29 and 30 for each diffusion layer; and a diffusion layer forming process in which an impurity element is ion-implanted through the ion implantation openings to form diffusion layers.例文帳に追加

各拡散層形成領域7〜9を相互に位置決めするイオン注入制御開口部13〜14を形成する工程を施した後に、各拡散層毎にイオン注入開口部29,30を形成するイオン注入マスク層形成工程と、各イオン注入開口部から不純物元素をイオン注入して各拡散層を形成する拡散層形成工程を実施する。 - 特許庁

To provide a detection device for an ion exchange resin layer capable of detecting a transparent ion exchange resin at a high accuracy, performing detecting at a high accuracy even when the ion exchange resin layer is detected using a photographing means having an AGC mechanism and discriminating the transparent ion exchange resin layer and a transparent liquid even when the transparent ion exchange resin layer exists in the transparent liquid, and a method.例文帳に追加

透明イオン交換樹脂を高精度で検出でき、AGC機構を有する撮像手段を用いてイオン交換樹脂層を検出する場合でも高精度で検出でき、また透明イオン交換樹脂層が透明液体中にある場合でも透明イオン交換樹脂層と透明液体とを識別することができるイオン交換樹脂層の検出装置および方法を提案する。 - 特許庁

The ion barrier layer 112 serves to protect the photoelectric transfer film 113 from an alkali ion eluted from the glass substrate 111.例文帳に追加

イオンバリア層112は、ガラス基板111から溶出するアルカリイオンから光電変換膜113を保護する役割を果たす。 - 特許庁

Subsequently, ion injection is performed by a second acceleration voltage higher than the first acceleration voltage, thereby to form a second ion layer 320.例文帳に追加

続いて第1の加速電圧より高い第2の加速電圧でイオン注入を行い第2イオン層320を形成する。 - 特許庁

To form a conductive layer for setting etching species of an ion free at the time of making a through hole on a substrate by reactive ion etching.例文帳に追加

反応性イオンエッチングにより基板に貫通孔を開ける際、イオン等のエッチング種を逃がすための導電層を形成する。 - 特許庁

The intermediate layer is comprised of a pyrrolidinium-based ion liquid unit or rubber material containing pyrrolidinium-based ion liquid.例文帳に追加

中間層としてはピロリジニウム系イオン液体単体または、ピロリジニウム系イオン液体を含有するゴム材料よりなる構成とした。 - 特許庁

The photosensitive dry film resist has the ion scavenger layer in addition to at least a photosensitive film layer, in which the ion scavenger included in the ion scavenger layer preferably has capability to make coordinate bonding with metal ions.例文帳に追加

本発明にかかる感光性ドライフィルムレジストは、少なくとも、感光性フィルム層に加えて、イオン捕捉剤層を有しており、このイオン捕捉剤層に含まれるイオン捕捉剤が、金属イオンに対して配位結合する能力を有することが好ましい。 - 特許庁

例文

Then, a high-concentration p-type diffusion layer 108 is formed by ion implantation, and a high-concentration n-type diffusion layer 109 is formed at the upper portion of the high-concentration p-type diffusion layer 108 by ion implantation.例文帳に追加

その後、高濃度P型拡散層108をイオン注入により形成した後、高濃度P型拡散層108の上方に高濃度N型拡散層109をイオン注入により形成する。 - 特許庁




  
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