「ion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The ion beam 28 is reflected between a thin film 26 being an alignment layer on the substrate and the reflective surface 34 of the mask 20, and the alignment layer is formed by the ion beam with which the thin film 26 is finally irradiated.例文帳に追加

配向層となる基板上の薄膜２６とマスク２０の反射面３４との間でイオンビーム２８を反射させ、最終的に薄膜２６に照射されたイオンビームにより配向層を形成する。 - 特許庁

Preferably, a thin film amphoteric ion exchanger layer is installed on the side, facing the electrolyte of the air catalyst layer comprising the air catalyst which contains the amphoteric ion exchanger.例文帳に追加

また、上記両性イオン交換体を含有する空気極触媒で構成される空気極触媒層の電解質と対向する側には薄膜状の両性イオン交換体層を設けることが好ましい。 - 特許庁

Arsenic ion implantation 13 is conducted to a source-drain contact aperture of an N-channel MOS transistor, and ion implantation layers 14 are formed in an N^+ source layer 9 and an N^+ drain layer 10.例文帳に追加

本発明では、ＮｃｈＭＯＳトランジスタのソース・ドレインコンタクト開口部に砒素イオン注入１３を行い、Ｎ^＋ソース層９及びＮ^＋ドレイン層１０内にイオン注入層１４を形成する。 - 特許庁

Impurity ion concentration contained in the liquid crystal layer LQ in the display region is set to be lower than the impurity ion concentration contained in the liquid crystal layer LQ in the outside of the display region.例文帳に追加

表示領域において液晶層ＬＱに含まれる不純物イオン濃度は表示領域の外側において液晶層ＬＱに含まれる不純物イオン濃度よりも低く設定されている。 - 特許庁

A buffer layer is formed on the surface of a first semiconductor wafer, and an ion doping device irradiates the first semiconductor wafer with an H_3^+ ion to form a damaged region at a lower portion of the buffer layer.例文帳に追加

第１の半導体ウエハの表面上にバッファ層を形成し、イオンドーピング装置によりＨ_３^＋イオンを第１の半導体ウエハに照射してバッファ層の下方に損傷領域を形成する。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted in the surface (major surface) of a single crystal Si substrate 10 at a dose of 1.5×101^7 atoms/cm^2 to form a hydrogen ion implantation layer (ion implantation damage layer) 11.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基１０の表面（主面）にドーズ量１．５×１０１^7ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2以上で水素イオンを注入し、水素イオン注入層（イオン注入ダメージ層）１１を形成する。 - 特許庁

A second Si layer 23, a first SiGe layer 22 and a first Si layer 21 are formed in the order as a multi-layer epitaxial layer on a bond wafer 2, a hydrogen high concentration layer is formed inside the second Si layer 23 by hydrogen ion implantation, and bonding heat treatment and peeling are performed.例文帳に追加

ボンドウェーハ２上に多層エピタキシャル層として、第二のＳｉ層２３、第一のＳｉＧｅ層２２及び第一のＳｉ層２１をこの順序に形成し、水素イオン打ち込みにより第二のＳｉ層２３内に水素高濃度層を形成し、結合熱処理及び剥離を行う。 - 特許庁

In the lithium-ion battery having the electrolyte or the gel electrolyte including at least the ion liquid and the lithium salt, a positive electrode active material layer, and a negative electrode active material layer, an insulating layer 111 for intercepting ion conductivity is formed on an opposite section between an exposed section 104 of a positive electrode collector where the positive electrode active material layer is not formed and the negative electrode active material layer 101.例文帳に追加

少なくともイオン液体とリチウム塩とを含有する電解液またはゲル電解質と、正極活物質層と負極活物質層を有するリチウムイオン電池において、正極活物質層が形成されない正極集電体の露出部１０４と負極活物質層１０１との対向部にイオン導電性を遮断する絶縁層１１１を形成する。 - 特許庁

The electrolyte membrane has a first electrolyte layer having ion conductivity, a second electrolyte layer which has the ion conductivity, and which is thicker, or larger in the ion-exchange equivalent, or larger in the number average molecular weight than that the first electrolyte membrane has when methanol is brought into contact with the surface, and a porous layer into which an ion conductive electrolyte formed between the first electrode layer and the second electrode layer is impregnated.例文帳に追加

イオン導電性を有する第１の電解質層と、イオン導電性を有し、表面にメタノールを接触させた場合に、前記第１の電解質層よりも厚いまたは、イオン交換当量の大きいまたは、数平均分子量が大きい第２の電解質層と、前記第１の電極層と前記第２の電極層の間に形成されるイオン導電性の電解質を含浸させた多孔質層とを有する電解質膜である。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display element with which desired ion density is actualized and the ion density is stabilized for a long period of time, to provide a liquid crystal alignment layer with which the desired ion density is actualized and the ion density is stabilized for a long period of time in the liquid crystal display element, and to provide a liquid crystal aligning agent with which the liquid crystal alignment layer is formed.例文帳に追加

所望のイオン密度の発現とその長期安定性とが達成される液晶表示素子、この液晶表示素子において所望のイオン密度の発現とその長期安定性とを達成させる液晶配向膜、及びそれを形成することができる液晶配向剤を提供する。 - 特許庁

After a thin film layer 14 having a predetermined shape is deposited on the ceramic layer 12 by using a focused ion beam system, the ceramic layer 12 is patterned by etching using the thin film layer 14 as a mask.例文帳に追加

このセラミック層１２上に、集束イオンビーム装置を用いて所定形状の薄膜層１４を堆積した後、この薄膜層１４をマスクとして、エッチングによりセラミック層１２をパターニングする。 - 特許庁

After forming a magnetized fixing layer or a magnetized free layer, an oxidized layer is formed by effecting the oxidization of a surface and, thereafter, the thickness of the oxidized layer is thinned by applying ion beam irradiation or plasma irradiation.例文帳に追加

磁化固着層あるいは磁化自由層作成後、表面の酸化を行うことで酸化層を形成した後、イオンビーム照射、あるいはプラズマ照射を施すことで酸化層を薄膜化する。 - 特許庁

In the storage element 1 where a lower electrode 10, a storage layer 20 and an upper electrode 30 are laminated in this order, the storage layer 20 has a resistance change layer 22 and an ion source layer 21 containing movable atoms.例文帳に追加

下部電極１０、記憶層２０および上部電極３０をこの順に積層した記憶素子１において、記憶層２０は抵抗変化層２２と可動原子を含むイオン源層２１とを有する。 - 特許庁

The lithium-ion secondary battery has a power generating element including at least one unit cell layer in which a positive electrode active material layer, an electrolyte layer, and a negative electrode active material layer are sequentially layered.例文帳に追加

、本発明のリチウムイオン二次電池は、正極活物質層と、電解質層と、負極活物質層と、が順次積層されてなる少なくとも１つの単電池層を含む発電要素を有する。 - 特許庁

In a memory element 1 laminated with a lower electrode 10, a memory layer 20, and an upper electrode 30 in this order, the memory layer 20 has a resistance changing layer 22, and an ion source layer 21 including moving atoms.例文帳に追加

下部電極１０、記憶層２０および上部電極３０をこの順に積層した記憶素子１において、記憶層２０は抵抗変化層２２と、可動原子を含むイオン源層２１とを有する。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element having at least one organic compound layer including a light emitting layer between a pair of electrodes, at least one layer of the organic compound layer contains a metal complex having 5 or 6 coordination sites where central metal ion is bivalent platinum ion or bivalent palladium ion.例文帳に追加

一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、前記有機化合物層の少なくもと一層が、中心金属イオンが２価の白金イオン又は２価のパラジウムイオンであり、且つ５座配位又は６座配位の金属錯体を含有することを特徴とする有機電界発光素子。 - 特許庁

A method for manufacturing the separator 1 for the fuel cell is that a coating layer 14 (a carbon layer as a corrosion resistant layer) is formed on a metallic substrate 12 by combining a filterless arc ion plating method with a vapor deposition method different from the filterless arc ion plating method, and a conductive part is formed on the carbon layer by the filterless arc ion plating method.例文帳に追加

燃料電池用セパレータ１の製造方法は、フィルターレスアークイオンプレーティング法及び前記フィルターレスアークイオンプレーティング法と異なる蒸着法を併用して、金属基板１２上に被覆層１４（耐食層としてのカーボン層）を形成すると共に、前記フィルターレスアークイオンプレーティング法により、前記カーボン層に導電部を形成する。 - 特許庁

The information recording medium 19 has the plastic base body 20, the surface reforming layer 21 reformed by ion radiation on the base body 20, the recording medium layer 22 formed on the surface reforming layer 21 and the surface protective layer 23 formed on the recording medium layer 22 by the ion radiation.例文帳に追加

情報記録媒体１９は、プラスチックスの基体２０と、基体２０上にイオン照射により改質された表面改質層２１と、表面改質層２１上に形成された記録媒体層２２と、記録媒体層２２上にイオン照射により形成された表面保護層２４とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

Thereafter, the first photoresist layer 6 is removed, a second photoresist layer 7 having an opening on the n-type well 3 is formed by using the n-type well mask, and the polysilicon layer 5 is set to a p-type by implanting the ion of a p-type impurity, such as the boron etc., into the layer 5 by using the second photoresist layer 7 as an ion implanting mask.例文帳に追加

次に、第１のフォトレジスト層６を除去し、Ｎウエルマスクを用いて、Ｎウエル３上に開口部を有する第２のフォトレジスト層７を形成し、この第１のフォトレジスト層６をイオン注入マスクとしてボロン等のＰ型不純物をポリシリコン層５内にイオン注入し、これをＰ型化する。 - 特許庁

The optical compensation sheet has an alignment layer and an optically anisotropic layer which is adjacent to the alignment layer and which is formed of a composition containing at least a liquid crystalline compound and further at least one among the alignment layer and the optically anisotropic layer contains at least one kind among cesium ion and rubidium ion.例文帳に追加

配向膜、及び該配向膜に隣接し、少なくとも液晶性化合物を含有する組成物から形成された光学異方性層を有し、前記配向膜及び前記光学異方性層の少なくともいずれか一方に、セシウムイオン及びルビジウムイオンの少なくとも一種を含有する光学補償シートである。 - 特許庁

A current collector for a secondary battery includes the resin layer having conductivity and an ion shielding layer arranged on a surface of the resin layer, and the ion shielding layer includes a flat conductive filler, a long side of the flat conductive filler being arranged in a surface direction of the resin layer.例文帳に追加

導電性を有する樹脂層と、前記樹脂層の表面に配置されるイオン遮断層と、を含む二次電池用集電体であって、前記イオン遮断層は扁平状の導電性フィラーを含み、前記扁平状の導電性フィラーの長辺方向が前記樹脂層の面方向に配置される、二次電池用集電体である。 - 特許庁

After a defect-introduced layer 3 is formed in a substrate by injecting Si or an inert gas into the substrate through ion implantation IPI, an impurity-injected layer 4 is formed by injecting impurity into the layer 3 through ion implantation IP2, and the impurity in the layer 4 is thermally diffused along the defect-introduced layer 3.例文帳に追加

Ｓｉまたは不活性ガスのイオン注入ＩＰ１を行うことにより、欠陥導入層３を形成した後、不純物のイオン注入ＩＰ２を行うことにより、不純物注入層４を形成し、不純物注入層４の不純物を欠陥導入層３に沿うようにして熱拡散させる。 - 特許庁

The laminate is prepared by successively disposing a first layer 2 made of a heat-resistant rubber, a second layer 3 made of an adhesive resin primarily comprising fluorinated resin and a third layer 4 made of fluororesin on the base 1, wherein the second layer is obtained by compounding at least one among pyridinium ion liquid, imidazolium ion liquid, alicyclic ion liquid and aliphatic amine ion liquid into the adhesive resin.例文帳に追加

基体上１に、耐熱性ゴムからなる第１の層２、フッ素樹脂を主成分とする接着樹脂からなる第２の層３、及びフッ素系樹脂からなる第３の層４が順次設けられた積層体であって、前記第２の層は接着樹脂中にピリジニウム系イオン液体、イミダゾリウム系イオン液体、脂環式イオン液体、及び脂肪族アミン系イオン液体のうちの少なくとも１種を配合して得られる。 - 特許庁

A photoelectric conversion element layer, an oxygen ion implantation layer acting as an element isolation layer, and a circuit layer such as pixel transistor are sequentially formed, from a silicon substrate (surface) side, on the semiconductor substrate, for example, such as an SOI substrate in which a silicon layer is provided on a support substrate part (insulator layer), and then, a wiring layer is formed on the silicon layer.例文帳に追加

例えばＳＯＩ基板のような支持基板部（絶縁体層）の上にシリコン層を設けた半導体基板に対し、シリコン基板（表面）側から光電変換素子層、素子分離層としての酸素イオン注入層、画素トランジスタ等の回路層を順次形成し、その後、シリコン層上に配線層を形成する。 - 特許庁

An MTJ lamination structure is obtained by sequentially, selectively etching the region other than the element region by ion milling etc., after laminating an anti-ferromagnetic layer 12, a pinned layer 13, an insulating tunnel layer 14, a free layer 15, and a cap layer 16 in this order.例文帳に追加

反強磁性層１２、ピンド層１３、絶縁トンネル層１４、フリー層１５およびキャップ層１６を順次積層したのち、素子領域以外の領域をイオンミリング等によって選択エッチングし、ＭＴＪ積層構造を得る。 - 特許庁

The ion plating layer is soundly developed by the presence of the vapor deposited metallic layer and the molded goods are securely coated with this layer and therefore the layer of the metal or metallic compound which is the extreme surface layer exhibits the corrosion resistance and scratching resistance.例文帳に追加

金属蒸着膜層の存在によりイオンプレーティング層が健全に発達し、強固に成形品を被覆するので、最表面層である金属または金属化合物の層が、耐食性や耐擦傷性を発揮する。 - 特許庁

An N^+ layer 15 is formed by activating the arsenic ion implantation layer 14, and an N^+ layer 17 is also formed by diffusing phosphorus (P) from the phosphorus-doped polycrystalline silicon film by heat treatment in the N^+ source layer 9 and N^+ drain layer 10.例文帳に追加

そして、熱処理により、Ｎ^＋ソース層９及びＮ^＋ドレイン層１０内に砒素イオン注入層１４を活性化したＮ^＋層１５、リンドープ多結晶シリコン膜からリン（Ｐ）が拡散したＮ^＋層１７が形成される。 - 特許庁

In the packaging material for the lithium ion battery, at least an adhesive layer 12, an aluminum foil layer 13, an aluminum protection later 14, the adhesive resin layer 15 and the sealant layer 16 are laminated, in sequence, on one face of a substrate layer 11.例文帳に追加

基材層１１の一方の面に対し、少なくとも、接着剤層１２、アルミニウム箔層１３、アルミニウム保護層１４、接着樹脂層１５、シーラント層１６をこの順番で積層したリチウムイオン電池用外装材である。 - 特許庁

An n+ cathode layer 2 is formed in a surface layer on one main surface of an n-type semiconductor substrate 100, and a p+ anode layer 3 where p+ layer 3a is overlapped in a horizontal direction by ion implantation and heat diffusion is formed in the surface layer on the other.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１００の一方の主面の表面層に、ｎ^+ カソード層２を形成し、他方の主面の表面層に、イオン注入と熱拡散でｐ^+ 層３ａが横方向で重なったｐ^+ アノード層３を形成する。 - 特許庁

The first filter layer 9 is a filter layer for softening water introduced from the water filling port 2 and the second filter layer 11 is a filter layer for applying a negative ion and a magnetic field to the water softened by the first filter layer 9.例文帳に追加

第１フィルタ層９は、注水口２から導入される水を軟水化するフィルタ層であり、第２フィルタ層１１は、第１フィルタ層９で軟水化された水に対して、マイナスイオンと磁場とを作用させるフィルタ層である。 - 特許庁

A hydrogen ion or a helium ion is implanted in a boundary or in the vicinity of the boundary between an insulating layer and the Si layer, and then the substrate is heated at 950°C or higher in an oxidizing atmosphere or an inert gas atmosphere to melt the SiGe mixed crystal layer 14 and diffuse Ge in a part of the Si layer 13.例文帳に追加

絶縁層とＳｉ層の界面又は界面近傍に水素又はヘリウムをイオン注入した後、基板を酸化性雰囲気下又は不活性ガス雰囲気下、９５０℃以上で熱処理してＳｉＧｅ混晶層１４を溶融するとともにＳｉ層１３の一部にＧｅを拡散する。 - 特許庁

The power storage device is structured such that discharge capacity of a negative electrode layer on a lithium ion capacitor side is set larger than that of a positive electrode layer on the lithium ion capacitor side, and discharge capacity of a negative electrode layer on a lithium battery side is set larger than that of a positive electrode layer on the lithium battery side.例文帳に追加

リチウムイオンキャパシタ側の負極電極層の放電容量がリチウムイオンキャパシタ側の正極電極層の放電容量よりも大きく、リチウム電池側の負極電極層の放電容量がリチウム電池側の正極電極層の放電容量よりも大きくなるように構成した。 - 特許庁

Consequently, the semiconductor device having superior electrical characteristics can be manufactured by using the SiC substrate 11, because a largely damaged upper ion-implanted layer 12b containing the impurity ion at a low concentration of the ion-implanted layer 12 can be removed simultaneously when the annealing is performed.例文帳に追加

これにより、アニールを行うと同時に注入層１２のうち不純物濃度が低く、損傷の大きい上部注入層１２ｂを除去できるので、ＳｉＣ基板１１を用いて優れた電気的性能を有する半導体装置を製造することができる。 - 特許庁

A minus ion generation layer consisting of an unsaturated polyester resin material containing a minus ion powder is integrally bonded to the back side of a button body consisting of an unsaturated polyester resin material, so that minus ions are regularly generated from the minus ion generation layer.例文帳に追加

不飽和ポリエステル樹脂材料から成るボタン本体の背面側に、マイナスイオンパウダーを混入した不飽和ポリエステル樹脂材料から成るマイナスイオン発生層を一体に結合して、このマイナスイオン発生層からマイナスイオンを常時発生させるようにした。 - 特許庁

In this case, the opening for exposing a part of the substrate is provided at the insulating layer, before being subjected to ion-implantation.例文帳に追加

この場合、基板の一部を露出する開口を絶縁層に設けた後イオン注入を実施する。 - 特許庁

CONDUCTIVE UNDERLYING COATING MATERIAL FOR CAPACITOR, ELECTRODE FOR CAPACITOR, ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR AND LITHIUM ION CAPACITOR例文帳に追加

キャパシタ用導電下地塗料、キャパシタ用電極、並びに電気二重層キャパシタ及びリチウムイオンキャパシタ - 特許庁

In this case, the carbon layer 4 is formed while the plus ion of the inert gas is colliding with the separator substrate 1.例文帳に追加

この場合、不活性ガスのプラスイオンがセパレータ基板（１）に衝突しつつ炭素層（４）が形成される。 - 特許庁

To improve film thickness uniformity of an SOI layer by paying attention to temperature unevenness of a wafer during oxygen ion implantation.例文帳に追加

酸素イオン注入時のウェーハ温度むらに着目し、ＳＯＩ層の膜厚均一性を向上させる。 - 特許庁

A support is then bonded to the insulating film, and the piezoelectric substrate with the ion implantation layer formed thereon is heated.例文帳に追加

そして、この絶縁膜に支持体を接合し、イオン注入層が形成された圧電基板を加熱する。 - 特許庁

Then, ion injection into the n--type region 11 is carried out, so that a p-type well layer 12 can be formed.例文帳に追加

そして、ｎ^-型領域１１にイオン注入等を行うことで、ｐ型ウェル層１２を形成する。 - 特許庁

After being stripped bordering on the ion implantation layer, the SOI wafer is oxidized in oxidizing atmosphere.例文帳に追加

このイオン注入層を境界として剥離した後、ＳＯＩウェーハを酸化性雰囲気で酸化処理する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film lithium ion battery which is improved in quality of a cathode layer made of LiTiOS.例文帳に追加

LiTiOSのカソード層の品質が改善された薄膜リチウムイオン電池を作製する方法を提供する。 - 特許庁

During the following charging and discharging cycle, only the metallic lithium layer gets involved in movement of the Li-ion.例文帳に追加

それに続く充電及び放電サイクルの間、金属リチウム層のみが、Ｌｉイオンの移動に関与する。 - 特許庁

A P-type dopant is ion-implanted into a surface (N-type layer) of an SOI substrate to form piezo resistance.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の表面（Ｎ型層）にＰ型ドーパントをイオン注入することで、ピエゾ抵抗を形成する。 - 特許庁

Consequently, the amorphous silicon film 21 is formed in a hydrogen ion implantation layer 41.例文帳に追加

水素イオン４０のイオン注入により、水素イオン注入層４１がアモルファスシリコン膜２１内に形成される。 - 特許庁