「ion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

USE OF ION INJECTION FOR PREPARING NORMAL LAYER IN SUPERCONDUCTIVE-NORMAL-SUPERCONDUCTIVE JOSEPHSON JUNCTION例文帳に追加

超伝導−通常−超伝導ジョセフソン接合中に通常層を作製するためのイオン注入の使用 - 特許庁

When the mass of the ion conductive substance is made I (mg) and the mass of the positive electrode layer 5 is made P (mg), 0.05P<I<10P is satisfied.例文帳に追加

このイオン伝導性物質の質量をI（mg）、正極層5の質量をP（mg）としたとき、0.05P＜I＜10Pを満たす。 - 特許庁

ELECTRICALLY REGENERATIVE METHOD FOR MANUFACTURING DEIONIZED WATER, ITS MANUFACTURING APPARATUS AND ION EXCHANGE LAYER USED THEREFOR例文帳に追加

電気再生式脱イオン水の製造方法、その製造装置及びそれらに使用するイオン交換体層 - 特許庁

To prevent lowering of a nonlinear characteristic function by suppressing the evaporation of oxygen ion in a depletion layer.例文帳に追加

空乏層内の酸素イオンが気化することを抑制し、非線形特性機能の低下を未然に防止する。 - 特許庁

A first impurity region 22 constituting the floating diffusion layer 60 is formed by ion implantation.例文帳に追加

浮遊拡散層６０を構成する第１の不純物領域２２をイオン注入により形成する。 - 特許庁

The affinity of the surface layer of the resist with respect to resist stripper is deteriorated since the same is exposed to ion.例文帳に追加

このレジストの表層部は、イオンに晒されたために剥離液に対する親和性が低下している。 - 特許庁

Thereby, the density of the conductive material of the mixture layer 12 is improved and transfer of the lithium ion becomes easy.例文帳に追加

負極合材層１２の導電性物質の密度が向上し、リチウムイオンの授受が容易となる。 - 特許庁

The lower layer portion 3a of a p-type base region 3 is formed not by ion implantation but by epitaxial growth.例文帳に追加

ｐ型ベース領域３の下層部３ａをイオン注入ではなくエピタキシャル成長により形成する。 - 特許庁

A formation depth d1+tx from a first main surface J of an ion implantation layer 4 for peeling in a process for forming the ion implantation layer for peeling is adjusted by the energy of ion implantation, to adjust the thickness of a coupling silicon single crystal thin film 15 according to the thickness of the SOI layer 5 to be obtained.例文帳に追加

得るべきＳＯＩ層５の厚さに応じて結合シリコン単結晶薄膜１５の厚さを調整するために、剥離用イオン注入層形成工程における剥離用イオン注入層４の第一主表面Ｊからの形成深さｄ１＋ｔｘを、イオン注入のエネルギーにより調整する。 - 特許庁

As a gate insulating layer of a field-effect transistor, a liquid containing neither paste agent nor thickener, and the main component of which is an ion liquid, the liquid having a directivity in molecule (negative ion species when a hole is injected into a semiconductor layer or positive ion species when an electron is injected into the semiconductor layer) is used.例文帳に追加

電界効果トランジスタのゲート絶縁層として糊剤又は増粘剤を含まず液状であって、その主要成分がイオン液体であるものを用い、分子内に方向性を有するイオン液体（半導体層に正孔を注入する際は、陰イオン種、半導体層に電子を注入する際は、陽イオン種）を用いる。 - 特許庁

A silicon layer 10B of conductivity type opposite to that of a bulk is provided on the surface of a silicon substrate 100, and a hydrogen ion is implanted to prescribed depth L at a surface region via the silicon layer 10B to form a hydrogen ion implantation layer 11.例文帳に追加

シリコン基板１００の表面にバルクの導電型とは反対の導電型のシリコン層１０Ｂを設け、表面領域の所定の深さ（Ｌ）にシリコン層１０Ｂを介して水素イオンを注入して水素イオン注入層１１を形成する。 - 特許庁

In the ion exchange device, the most downstream layer of the ion exchange resin which fills the housing where water can be passed is formed as a cation exchange resin layer, and the cation exchange resin layer comprises an element the whole form of which is fixed.例文帳に追加

通水可能なハウジング内に充填されたイオン交換樹脂の最下流層をカチオン交換樹脂層に形成し、該カチオン交換樹脂層を、その全体形状が固定されたエレメントに構成したことを特徴とするイオン交換装置。 - 特許庁

By implanting hydrogen ions through the buried insulating film 2, a peeling ion implantation layer 21 is formed, and further, by implanting Ar ions, etc. on the buried insulating film 2 side than the ion implantation layer 21, an amorphous layer 22 is formed.例文帳に追加

そして、埋込絶縁膜２を通じて水素イオンを注入することで剥離用のイオン注入層２１を形成すると共に、イオン注入層２１よりも埋込絶縁膜２側にＡｒイオンなどを注入することでアモルファス層２２を形成する。 - 特許庁

In a memory element 1 having a lower electrode 10, a memory layer 20, and an upper electrode 30 laminated in this order, the memory layer 20 comprises an ion source layer 21, a variable resistance layer 22, and a barrier layer 23 exhibiting electrical conductivity higher than that of the variable resistance layer 22.例文帳に追加

下部電極１０、記憶層２０および上部電極３０をこの順に積層した記憶素子１において、記憶層２０はイオン源層２１と、抵抗変化層２２と、抵抗変化層２２よりも高い導電率を示すバリア層２３とを有する。 - 特許庁

The nonaqueous electrolyte battery is structured to include: a positive electrode layer 1; a negative electrode layer 2; and a sulfide system solid electrolyte layer 3 for mediating the movement of lithium ion between both layers, wherein the positive electrode layer 1, solid electrolyte layer 3, and negative electrode layer 2 are sequentially stacked.例文帳に追加

非水電解質電池は、正極層1と負極層2、及びこれら両層の間でリチウムイオンの移動を媒介する硫化物系固体電解質層3を備え、正極層1と固体電解質層3と負極層2とが順に積層された構造である。 - 特許庁

When oxygen is ion-implanted to a wafer 10 for an active layer, the hydrogen is ion-implanted inside an oxygen ion implantation peak area 10a thereafter and the oxygen ion implantation peak area 10a and a hydrogen ion implantation peak area 10d are matched, the hydrogen and the oxygen react inside the wafer 10 for the active layer at the time of the exfoliation heat treatment at 1,100°C and steam bubbles are generated.例文帳に追加

活性層用ウェーハ１０に酸素をイオン注入し、その後、酸素イオン注入ピーク領域１０ａ内に水素をイオン注入し、酸素イオン注入ピーク領域１０ａと水素イオン注入ピーク領域１０ｄとを合致させれば、１１００℃での剥離熱処理時、活性層用ウェーハ１０内で水素と酸素とが反応し、水蒸気バブルが発生する。 - 特許庁

A second ion implanting process (c1) implants the additional function layer 4 with ions at its surface as much as the total dose in the first and second planting processes exceeding the critical dose at the same deposition depth position as that in the first ion implanting process, thus making the peel-expected ion implanted layer 3 into a peeling ion implanted layer 3'.例文帳に追加

第２のイオン注入工程（ｃ１）で、付加機能層４の表面側から第１のイオン注入工程でイオン注入されたのと同じ深さ位置となるように、第１のイオン注入工程でイオン注入されたドーズ量と合わせて臨界ドーズ量以上となるドーズ量のイオンを打ち込むことにより剥離予定イオン注入層３を剥離用イオン注入層３’とする。 - 特許庁

A negative electrode is manufactured by forming an alkali metal ion occluding/releasing layer capable of occluding and releasing an alkali metal ion on a current collector, forming an alkali metal film on the surface of the alkali metal ion occluding/releasing layer under a reduced pressure, and ionizing the alkali metal film and simultaneously impregnating the alkali metal ion occluding/releasing layer with the ionized alkali metal.例文帳に追加

集電体の表面にアルカリ金属イオンの吸蔵及び放出が可能な層であるアルカリ金属イオン吸蔵放出層を形成し、アルカリ金属イオン吸蔵放出層の表面にアルカリ金属膜を減圧下で形成し、アルカリ金属膜をイオン化させつつ、イオン化されたアルカリ金属をアルカリ金属イオン吸蔵放出層に含浸させることにより負極を作製する。 - 特許庁

This multi-layer ion exchange membrane comprises a composite layer having 1 to 99 wt.% inorganic matter, 1 to 99 wt.% ion exchange resin, and 0.001 to 8 μm surface roughness and an ion exchange resin layer having ion exchange resin of 50 to 100 wt.%.例文帳に追加

無機物を１質量％以上９９質量％以下、かつ、イオン交換樹脂を１質量％以上９９質量％以下の範囲で含有し、表面粗さが０．００１μｍ以上８μｍ以下である複合層と、イオン交換樹脂を５０質量％以上１００質量％以下の範囲で含有するイオン交換樹脂層を含むことを特徴とする多層イオン交換膜。 - 特許庁

This ion-generating sheet has the fibrous layer which is formed on one side or both sides of the ion-generating layer capable of generating a negative ion and also has fibers partially penetrating the ion-generating layer.例文帳に追加

その中で特に、放射線を発生する放射線発生層と放射線によって物質をイオン化する導電性の金属層からなるイオン発生層に繊維層を設けることによって、この繊維層に合成樹脂を含浸させることができ、それによって強度の向上が図られ、他の構造物との接着も可能な合成樹脂構成のイオン発生部材を提供するものである。 - 特許庁

The ion exchanger 1 has an exchanger body 10, which is arranged in a cooling medium circulation system and through which the cooling medium is circulated, and an ion exchange resin 15 through whose layer the cooling medium is made to pass to remove an ion in the cooling medium.例文帳に追加

イオン交換器１は、冷媒循環系に設けられ冷媒が流通する交換器本体１０と、冷媒を通過させることにより冷媒のイオンを除去するイオン交換樹脂１５と、を有する。 - 特許庁

After completion of screen printing, the ion exchange membrane is placed on a heating plate and heated to 70°C to 80°C and by recovering the ion exchange membrane to flat, a uniform catalyst layer is formed on the ion exchange membrane.例文帳に追加

スクリーン印刷完成後に、イオン交換膜を加熱板上に置いて摂氏７０度から８０度に加熱し、イオン交換膜を平坦に回復させてイオン交換膜上に均一な触媒層を形成する。 - 特許庁

To provide a lithium ion secondary battery having a current collector with an active material layer stacked thereon, in which the exfoliation of the active material layer from the current collector is suppressed.例文帳に追加

集電体に活物質層を積層したリチウムイオン二次電池において、集電体からの活物質層の剥離を抑制可能とする。 - 特許庁

Magnetic fine particles are manufactured by irradiating a high energy ion to a ferromagnetic thin film or a laminate film of nonmagnetic layer/ferromagnetic layer.例文帳に追加

強磁性薄膜，若しくは非磁性層/ 強磁性層の積層薄膜に高エネルギーイオンを照射することにより磁性微粒子を作製する。 - 特許庁

The magnetic body layer 30 is worked by ion milling by using a hard mask 34a and then wet etching is performed to the non-magnetic body layer 29.例文帳に追加

ハードマスク３４ａを使って磁性体層３０をイオンミリングにより加工してから、非磁性体層２９に対してウェットエッチングを行う。 - 特許庁

The laser device comprises a laser slab (10) having ion layer (12) and a nonion layer (14) coupled through an optical interface (16).例文帳に追加

レーザー装置は光学質のインターフェース（１６）を介して結合されたイオン層（１２）及びノンイオン層（１４）を有するレーザースラブ（１０）を使用する。 - 特許庁

Impurities can be ion-doped to a portion to be used as a source region 12 and a drain region 13 of the polysilicon layer 61 without allowing the impurities to permeate the silicon oxide layer 62.例文帳に追加

酸化シリコン層62を透過させずにポリシリコン層61のソース領域12およびドレイン領域13となる部分に不純物をイオンドーピングできる。 - 特許庁

The damaged layer such as a layer having a lattice defect is formed in the cut end face of the thin sample piece 30 by the sputtering- etching with a gallium ion beam.例文帳に追加

薄片試料（３０）の切削端面にはガリウムイオンビームによるスパッタエッチングによって格子欠陥等のダメージ層が形成されている。 - 特許庁

The elastic layer 2 contains an ultraviolet hardening type resin and an ion conductor and the glass transition point Tg in the elastic layer 2 is -28°C or less.例文帳に追加

弾性層２が紫外線硬化型樹脂およびイオン導電剤を含有し、かつ、弾性層２のガラス転移点Ｔｇが−２８℃以下である。 - 特許庁

At least a part of the functional layer 5 is formed by adding an inorganic ion exchange material to a functional material composing the functional layer 5.例文帳に追加

機能層５の少なくとも一部が、機能層５を構成する機能性材料に無機イオン交換材料が添加されて形成されている。 - 特許庁

The contact areas 210, 211 are an n+ type GaN layer which is formed by implanting an n type impurity into the semiconductor layer 203 through an ion implantation method.例文帳に追加

コンタクト領域２１０,２１１は、半導体層２０３にn型不純物をイオン注入法により注入して形成したn+型GaN層である。 - 特許庁

In the first alkali tempered glass substrate, a compression stress layer is formed on the surface of a glass base material (tensile stress layer) by an ion-exchange method.例文帳に追加

第１のアルカリ強化ガラス基板は、イオン交換法によりガラス基材（引張り応力層）の表面に圧縮応力層が形成されてなる。 - 特許庁

A surface-emitting semiconductor laser 100 oscillating at a wavelength λ includes an ion-implanted current narrowing layer 14 near an active layer 13.例文帳に追加

面発光半導体レーザ１００は、発振波長がλであり、活性層１３の近傍にイオン注入型の電流狭窄層１４を有する。 - 特許庁

The device has a high resistance layer 6b which is formed by ion implantation of V(vanadium) between a second gate region 6 and a channel layer 4.例文帳に追加

第２ゲート領域６とチャネル層４との間に、Ｖ（バナジウム）をイオン注入することによって形成した高抵抗層６ｂを備える。 - 特許庁

In the packing material for lithium ion batteries comprising at least a sealant layer 1, an adhesive layer 2, an aluminum foil layer 3, an adhesive layer 4, and a base material layer 10 stacked, in this order, the base material layer 10 comprises a first base material layer 6, a thermoplastic adhesive resin layer 7, and a second base material layer 8; and the base material layer is formed by coextrusion of the three layers.例文帳に追加

少なくともシーラント層１、接着層２、アルミニウム箔層３、接着層４、基材層１０をこの順で積層したリチウムイオン電池用包装材において、該基材層１０が、第一の基材層６、熱可塑性接着樹脂層７および第二の基材層８からなり、該基材層が３層の共押出しで形成されていることを特徴とするリチウムイオン電池用包装材。 - 特許庁

Accordingly, as the amount of the fuel passing into respective cases 4 is decreased and also the path length of a layer of the ion exchanger 5 is shortened, the pressure loss generated when the fuel passes the layer of the ion exchanger 5 is reduced.例文帳に追加

これにより、各充填ケース４内を通過する燃料の量が少なくなり、また、イオン交換体５の層の通路長が短くなるため、イオン交換体５の層を燃料が通過する際の圧損が低減される。 - 特許庁

Because conductive particles absorbing the electrolytic ion are finely dispersed in sulfide solid electrolyte of the electrode layer, the area where the electrolytic ion in the electrode layer can be adsorbed is large.例文帳に追加

電極層の硫化物固体電解質中に、電解質イオンを吸着する導電微粒子が微細に分散しているので、電極層における電解質イオンを吸着させることができる面積が大きい。 - 特許庁

Since the ions 15 are ion species of an element having enhanced oxidation action, the implantation of the ions 15 causes conversion from the polycrystalline silicon layer 3 to the ion-implanted polycrystalline silicon layer 16 having a higher oxidation rate.例文帳に追加

イオン１５は増速酸化作用のある元素のイオン種であるため、イオン１５の注入によって多結晶シリコン層３から、より酸化レートが高い性質のイオン注入多結晶シリコン層１６に変換される。 - 特許庁

Subsequently, a hydrogen ion implantation layer is formed in the first amorphous silicon thin film in the vicinity of the boundary region to the glass substrate which is then separated from a strained part formed by heating the hydrogen ion implantation layer.例文帳に追加

その後、ガラス基板との境界領域近傍の第１のアモルファスシリコン薄膜内に水素イオン注入層を形成し、この水素イオン注入層を加熱して形成した歪み部から絶縁基板を分離する。 - 特許庁

A p-well region 12, a source region 13, and a p^+ contact region 15 are formed as the ion implanting layer by conducting the ion implantation after growth of an epitaxial growth layer 11 on a 4H-SiC substrate 10.例文帳に追加

４Ｈ−ＳｉＣ基板１０の上にエピタキシャル成長層１１を成長させた後、イオン注入を行なって、イオン注入層であるｐウェル領域１２，ソース領域１３，ｐ^＋コンタクト領域１５を形成する。 - 特許庁

Kind and density of the ion to be implanted are selected such that it compensates for a dopant in a ground layer material to cause the ground layer material to be insulative in an area where the implanted ion of substantial density develops.例文帳に追加

注入されるイオンは、グランド層物質内のドーパントを補償して、十分な濃度の注入イオンが生じる領域内において、グランド層物質を絶縁性にするように、種類と濃度が選択される。 - 特許庁

An ion orbit rotating six times in a spinal shape is formed by arranging the respective multilayer cylindrical electric fields so that an ion successively passes through the cylindrical electric fields of six layers of the respective multilayer cylindrical electric fields up to a sixth layer from a first layer.例文帳に追加

イオンが、各多層円筒電場の５層の円筒電場を１層目から５層目まで順次通過するように各多層円筒電場を配置することにより、渦巻き型に５回転するイオン軌道が形成される。 - 特許庁

The cell volume is regulated by formulating a chelating agent for a Ca^2+ ion to reduce the Ca^2+ ion concentration on the surface layer of the cell, and specifically reducing the Ca^2+ concentration on the surface layer of the cell.例文帳に追加

細胞表層上のＣａ^2+イオン濃度を減少せしめるべくＣａ^2+イオン用キレ−ト剤を配合せしめ、細胞表層上のＣａ^2+イオン濃度を特異的に減少せしめて細胞容積を調整せしめる。 - 特許庁

A high resistance layer 3A consisting of an oxide of a metal element, and an ion source layer 3B containing metal elements (Cu, Ag, Zn) becoming an ion source are formed in this order between a lower electrode 2 and an upper electrode 4.例文帳に追加

下部電極２と上部電極４との間に、金属元素の酸化物からなる高抵抗層３Ａ、イオン源となる金属元素（Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎ）を含有するイオン源層３Ｂをこの順に有する。 - 特許庁

The improved ion conductor layer 23 colors more deeply by virtue of an increased voltage developed across the ion conductor layer 23 prior to electric breakdown while reducing the amount of electronic leakage and showing high thermal stability.例文帳に追加

このような改善されたイオン伝導体層２３は、電気的絶縁破壊前にイオン伝導体層２３に形成される電圧の増加により発色が深いと同時に、電子の漏洩量を低下し、熱安定性も高い。 - 特許庁