「ionization ratio」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The Fourier-ratio method only deconvolves inner-shell ionization edges from the influence of low-loss electrons. 例文帳に追加

フーリエ比法は、内殻イオン化エッジを、低(エネルギー)損失電子の影響から畳み込みを解いて得る(デコンボリューションする)だけである。 - 科学技術論文動詞集

The inside of a film deposition chamber 2 is fed with gaseous helium together with gaseous ethylene as a gaseous material, by which the ionization ratio of the gaseous ethylene can be promoted.例文帳に追加

成膜室２内に、材料ガスであるエチレンガスとともにヘリウムガスを供給することによりエチレンガスのイオン化率が促進される。 - 特許庁

To increase the ratio of the sputtering ionization of a non-SSS material and thereby to promote the filling of a deep hole by a pedestal of an external bias or a self-bias.例文帳に追加

非ＳＳＳ材料のスパッタリングイオン化の割合を増大させ、これにより外部バイアスあるいはセルフバイアスのぺデスタルによって深いホール充填を促進する。 - 特許庁

To provide a catheter wherein an ionization radiation with minimum ratio is absorbed while it moves from a radiation source to a part of a vessel to be cured passing through an expanding balloon.例文帳に追加

線源から膨張バルーンを通過した治療されるべき脈管の部分までの移動中に可能な限り小さい割合の電離放射線が吸収されるカテーテルを提供する。 - 特許庁

Using a pressure gradient in the cylinder with a high aspect ratio, gas and liquid are efficiently ionized by the voltage applied to both ends of the cylinder, and the ions generated by ionization are accelerated by the same voltage.例文帳に追加

また、筒周辺にイオンのみが存在することによって、絶縁体である筒の内壁にイオンの付着による正の電荷が蓄積され、動作の不安定性を引き起こす。 - 特許庁

A pulse transformer 22 is made parallel to reduce an inductance after saturation and to increase a pulse compression ratio, and an reverse voltage generating after the pulse transformer is saturated is used to start spark gap preliminary ionization.例文帳に追加

パルストランス２２を並列化することで飽和後のインダクタンスを低減し、パルス圧縮比を大きくすると共に、パルストランス飽和後に発生する逆電圧を利用してスパークギャップ予備電離を開始させる。 - 特許庁

To provide a mass spectrometer wherein a liquid sample is ionized, and a mass-charge ratio of generated ion is analyzed, which is a mass spectrometer capable of improving ionization efficiency, and performing highly sensitive analysis.例文帳に追加

液体試料をイオン化し、発生したイオンの質量電荷比を分析する質量分析装置であり、イオン化効率を向上させ、高感度な分析が可能な質量分析装置を提供すること。 - 特許庁

To quantify each individual concentration ratio requires either a knowledge of the relevant ionization cross sections or the use of one or more standard specimens which contain all of the elements to be analyzed. 例文帳に追加

それぞれの個々の濃度比を定量化することは、(それぞれに)相応するイオン化断面積の知識か、分析される元素のすべてを含む1個以上の「標準」試料の使用のいずれかを、必要とする。 - 科学技術論文動詞集

In the formula (1), X(n) represents a content ratio of the charge transport material having the n-th highest ionization potential, X(n-1) represents a content ratio of the charge transport material having the (n-1)th highest ionization potential, and n represents an integer equal to or more than two and lower than the number of kinds of the charge transport materials in the surface layer.例文帳に追加

Ｘ（ｎ）≧Ｘ（ｎ−１） （１）Ｘ（Ｌ）＞Ｘ（Ｈ） （２）〔Ｘ（ｎ）はｎ番目にイオン化ポテンシャルが高い電荷輸送材料の含有比、Ｘ（ｎ−１）はｎ−１番目にイオン化ポテンシャルが高い電荷輸送材料の含有比、ｎは２以上且つ表面層の電荷輸送材料の種類の数以下の整数、Ｘ（Ｌ）は最もイオン化ポテンシャルが低い電荷輸送材料の含有比、Ｘ（Ｈ）は最もイオン化ポテンシャルが高い電荷輸送材料の含有比を表す。 - 特許庁

When a standard sample contains the same element, similarly, the intensities of the neutral atomic beam and ion beam are determined and the intensity ratio is calculated (S5 and S6), and the degree of the influence of the physical interference or ionization interference is evaluated based on the difference between both intensity ratios (S7).例文帳に追加

また、標準試料が同じ元素を含む場合には、同様に中性原子線とイオン線との強度を求めてその強度比を算出し（Ｓ５、Ｓ６）、両者の強度比の差に基づいて物理干渉やイオン化干渉の影響の程度を評価する（Ｓ７）。 - 特許庁

To provide a photodiode that increases efficiency of detection with a high S/N ratio even at a low luminous intensity by applying a high field to a chalcopyrite semiconductor to generate charge multiplied by impact ionization, and improving dark current characteristics, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

カルコパイライト型半導体に高電界を印加することで、衝突電離による電荷の増倍を発生させ、かつ暗電流特性を改善することにより、低照度でも検出効率を高め、Ｓ／Ｎ比が高いフォトダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

It is possible to lower a ratio of pressure of out gas in a resist and reduce the effect of ion neutralization (or ionization) even when ion implantation on a wafer 2 having the resist is carried out by holding the pressure more than 1×10-4 Torr within a chamber 1 of the ion implantation apparatus.例文帳に追加

イオン注入装置のチャンバ１内の圧力を１×１０^−４Ｔｏｒｒ以上にすることにより、レジスト付きウエーハ２にイオン注入を行っても、レジストからのアウトガスの圧力の割合を低くすることができ、イオンビームの中性化（又はイオン化）に対する影響を少なく抑えることを特徴とする。 - 特許庁