「junction s」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

By s movement control means 170 such as these parts, the movement control starting time of either one of the upper and lower junction parts is arranged so as to shift with respect to another one.例文帳に追加

これら移動制御手段１７０によって、上下のジャンクションポートのうちいずれか一方に対して他方の移動制御開始時刻をずらす。 - 特許庁

A junction substrate 10 is inserted across a printed board T comprising a fitting pad Tp, at a position corresponding to an LGA type substrate S, comprising a fitting pad Tp for connection between the substrate S and the board T.例文帳に追加

中継基板１０は、接続パッドＳｐを有するＬＧＡ型基板Ｓと対応する位置に取付パッドＴｐを有するプリント基板Ｔとの間に介在させ、基板Ｓと基板Ｔとを接続させるものである。 - 特許庁

A annular recess 21 communicated with a space S between the inner circumferential surface 13y of a circumferential step 13s and the outer circumferential surface 14y of the cover member 14 is formed in at least one of the junction surface 13x of the bearing sleeve 13 and the junction surface 14x of the cover member 14.例文帳に追加

軸受スリーブ１３の接合面１３ｘと蓋部材１４の接合面１４ｘの少なくとも一方に、円周段部１３ｓの内周面１３ｙと蓋部材１４の外周面１４ｙの間のすき間Ｓに連通する環状凹部２１を形成する。 - 特許庁

A stacked matter S, which contains a p-n junction structure via a buffer layer 2 (or directly) and is formed of a GaN material is grown on a crystal substrate 1, and a light reception element is obtained.例文帳に追加

結晶基板１上に、バッファ層２を介して（または直接的に）ｐｎ接合構造を含みＧａＮ系材料からなる積層体Ｓを成長させて受光素子とする。 - 特許庁

The working implement-mounted machine is such that a junction frame 6 is joined to the rear end of a directly mounted hitch mechanism 5 whose front part is joined to a tractor body 2, and mounted with a working implement S.例文帳に追加

前部がトラクタ車体２に連結された直装ヒッチ機構５の後端に連結枠６を連結し、この連結枠６に作業機Ｓを装着した作業機装着装置である。 - 特許庁

To provide a superconducting element in which its manufacturing cost is low and a miniaturization of a junction area S of a Josephson junction is easy without increasing the number of processes and complicating any manufacturing process, and also to provide a superconducting integrated circuit using this superconducting element and a method of manufacturing the superconducting element.例文帳に追加

工程数の増大や製造プロセスの複雑化を伴わず、製造コストが低く、且つジョセフソン接合の接合面積Ｓの微小化が容易な超伝導素子、この超伝導素子を用いた超伝導集積回路及び超伝導素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for evaluating the fatigue of a solder junction containing Sn as a main component includes the steps of enlarging a cut section of the junction by an electron microscope, measuring a phase size (d) of an Sn phase 20 and an Ag_3Sn phase 22, and biquadrating the measured value (d) to a phase growth evaluating parameter S.例文帳に追加

Ｓｎを主成分とするはんだの接合部の疲労評価方法において、はんだ接合部の切断面を電子顕微鏡により拡大して、Ｓｎ相２０やＡｇ_３Ｓｎ相２２の相寸法ｄを測定し、この測定値ｄを４乗して相成長評価パラメータＳとする。 - 特許庁

Thereby, even though the junction area between the cover 60 and the frame body 20 is made large, the vacuum level in the sealed space S is kept high, and at the same time the cover 60 can be secured firmly on the frame body 20.例文帳に追加

これにより、ガラス蓋６０と枠体２０との接合面積を大きくしても、密閉空間Ｓの真空度を高く保つとともにガラス蓋６０を枠体２０に堅固に固着することができる。 - 特許庁

Thereby, electric charges accumulated in the parasitic capacitance 26 are discharged gradually by junction leak of the selection transistor 12, a final potential of a node S is reduced toward a substrate potential Vs of the transistor.例文帳に追加

そのため、寄生容量２６に蓄積された電荷は選択トランジスタ１２の接合リークによって徐々に放電され、ノードＳの最終的な電位はトランジスタの基板電位Ｖｓに向かって低下する。 - 特許庁

To provide a junction modular jack terminal strip for multi-media ports, which enables to make a star wiring for of ISDN S/T points and wiring of analog telephones and improves the wiring work.例文帳に追加

ＩＳＤＮのＳ／Ｔ点に対する配線及びアナログ電話に対する配線をスター配線で行え、配線の施工性を向上させたマルチメディアポート用中継モジュラジャック端子台を提供することにある。 - 特許庁

A Schottky barrier formed by the source-drain junction of the nMOSFET10 is modulated by an ultrathin segregation layer 16 in which atoms such as As, Sb, and S are segregated when forming the NiGe layer 15.例文帳に追加

ｎＭＯＳＦＥＴ１０のソース・ドレイン接合が形成するショットキー障壁は、Ａｓ，Ｓｂ，Ｓ等の原子をＮｉＧｅ層１５の形成時に偏析させた高濃度で極薄の偏析層１６によって変調する。 - 特許庁

To provide a terahertz-wave device capable of improving the generation efficiency of a terahertz wave or improving S/N ratio of detecting the terahertz wave by increasing a region of the interaction between exciting light and a Schottky junction portion.例文帳に追加

励起光とショットキー接合部との相互作用の領域を拡大して、テラヘルツ波の発生効率またはテラヘルツ波の検出のＳＮを向上することができるテラヘルツ波素子を提供する。 - 特許庁

A junction face S is formed along a perpendicular to an electrode axis X, i.e. an anode cross-section radial direction, by joining the truncated cone shaped metal member 40 to the columnar metal member 50.例文帳に追加

円錐台形状の金属部材４０と円柱形状の金属部材５０とを接合することにより、接合面Ｓを、電極軸Ｘに対して垂直な方向、すなわち陽極断面径方向に沿って形成する。 - 特許庁

A method comprises a step for performing an ion implantation S/D IMP for forming a source/drain junction of a transistor into predetermined regions of semiconductor substrates 11, 21; and a step for performing an additional compensation ion implantation CO IMP into a part of the source/drain junction to compensate the deviation of transistor characteristics depending on locations on the semiconductor substrates 11, 21.例文帳に追加

半導体基板１１，２１の所定領域に、トランジスタのソース／ドレイン接合を形成するためのイオン注入Ｓ／Ｄ ＩＭＰを行うステップと、半導体基板１１，２１上の位置に依存するトランジスタ特性の偏差を補償するように、ソース／ドレイン接合の一部に追加の補償イオン注入ＣＯ ＩＭＰを行うステップとを含む。 - 特許庁

This element has a structure, where a stacked matter S which contains a p-n junction structure and is constituted of a GaN crystal layer is formed on a crystal substrate 1 and a p-type side electrode Q1 and an n-type side electrode Q2 are formed on the stacked matter.例文帳に追加

結晶基板１上に、ｐｎ接合構造を含みＧａＮ系結晶層からなる積層体Ｓを形成し、これにｐ型側電極Ｑ１、ｎ型側電極Ｑ２を形成した構造を有する受光素子。 - 特許庁

A chip 120 has a plurality of bumps 121, and by flip-chip junction onto the substrate 110, a bump group 121 is joined to a pad group 113, and a mold flow gap S is formed between the chip 120 and the substrate 110.例文帳に追加

チップ１２０は複数個のバンプ１２１を有し、かつ基板１１０上にフリップチップ接合されることで、バンプ群１２１をパッド群１１３に接合させ、チップ１２０と基板１１０との間にモールド流れ間隙Ｓを形成する。 - 特許庁

As the junction metal fitting 4 has a smooth surface and no vertical gap and is retained with a through-hole of the grommet 1 by tight fit, penetration of water is blocked by this part S and high water-tightness can be realized at a lead wire introducing part.例文帳に追加

中継金具４は表面が平滑であって縦走する隙間がなく、グロメット１の貫通孔にしまり嵌めで保持されているので、この部分Ｓで水の浸入はくい止められ、リード線１０の導入部で高い水密性が発揮される。 - 特許庁

An interposing portion 10 penetrating through the semiconductor substrate 2 and the insulating layer 6 from the second surface 2b and reaching inside the support substrate 8 is provided between the outer peripheral surface S of a junction 9 of the semiconductor substrate 2 and the support substrate 8 and the active layer 3.例文帳に追加

半導体基板２と支持基板８との接合体９の外周面Ｓと活性層３との間には、第２の面２ｂから半導体基板２と絶縁層６を貫通し、支持基板８内に達する介在部１０が設けられている。 - 特許庁

Then, by the structure, the upper end face α of a depletion layer including a pn junction interface does not reach the interface of the first non p-type layer 104 and a second non p-type layer 105 near respective electrodes S and D for conduction.例文帳に追加

そして、これらの構造によって、ｐｎ接合界面を内包する空乏層の上端面αは、各導通用電極Ｓ，Ｄの近傍においては第１非ｐ型層１０４と第２非ｐ型層１０５との界面に到達していない。 - 特許庁

The hinge 4 fitted on the Mohican groove portion 2c, a junction between a roof panel R and a side panel S, has a hinge base portion 41 mounted on the Mohican groove portion 2c and a door hinge portion 42 which is rotatably supported by the hinge base portion 41 and installed on the rear door 3.例文帳に追加

ヒンジ４は、ルーフパネルＲとサイドパネルＳとの接合部となるモヒカン溝部２ｃに設けられると共に、モヒカン溝部２ｃに設けられるヒンジ基部４１と、ヒンジ基部４１に回動自在に支持され後部ドア３に取り付けられるドアヒンジ部４２と、を有している。 - 特許庁

In the block fitting type electrical junction box 1, 31 for inserting blocks 3, 33 into frames 2, 32 and locking the blocks by locking parts 8, 9, respectively, locking members 21, 34 are provided on the frames and locked members 7, 36 to engage with the locking members without space in a gap S direction of the locking parts are provided on the blocks.例文帳に追加

フレーム２，３２内にブロック３，３３を挿入して相互のロック部８，９で係止させるブロック嵌合式電気接続箱１，３１で、フレームにロック部材２１，３４を設け、ブロックに、ロック部相互間の隙間Ｓ方向の隙間なくロック部材に係合する被ロック部材７，３６を設けた。 - 特許庁

In the heat treatment roller for yarn, a dented circular groove 38 is formed on the junction 37 between the boss 15 of a roller body 4 and a rotary shaft 3, and this reduces the heat transfer area S between the roller body 4 and the rotary shaft 3 to suppress heat transmission to the inner ring of each of the bearings 11 and 12.例文帳に追加

本発明の糸条加熱処理ローラは、ローラ本体４のボス部１５と回転軸３の連結部３７に、凹状の環状溝３８を設けることで、ローラ本体４と回転軸３との伝熱面積Ｓを減少し、各軸受１１，１２の内輪に伝熱される伝達量を抑制する。 - 特許庁

To obtain a package structure of an electronic component, wherein humidity hardly enters with passage of time under high temperature and high humidity and hardly causes deterioration of electrical characteristics in the package structure of an electronic component, whose inside is sealed by making s plurality of package materials of which at least one is formed of ceramics jointed via a junction material.例文帳に追加

少なくとも一方がセラミックスよりなる複数のパッケージ材が接合材を介して接合されて内部が封止されている電子部品のパッケージ構造において、高温・高湿下における経時による湿分の侵入が生じ難く、電気的特性の劣化が生じ難い電子部品のパッケージ構造を得る。 - 特許庁

In this semiconductor device 1, a semiconductor element 10 is mounted approximately at the center of a base 2, the semiconductor element 10 is surrounded from above by placing a top cover 3 on this base 2, and a junction portion 4 between the base 2 and the top cover 3 is equipped with a moisture absorption region S having a cavity part 5 for moisture absorption.例文帳に追加

基台２の略中央に半導体素子１０を搭載し、この基台２上に上蓋３を載置して半導体素子１０を上方から包囲するもので、基台２と上蓋３との接合部分４に吸湿用の空洞部５を備えた吸湿領域Ｓを設ける半導体装置１である。 - 特許庁

In a photoelectric converter, wherein a photoelectric conversion part, a switching element and by means of a pixel electrode and a wiring, a plurality of pixels are formed on a substrate and arrayed two-dimensionally, the photoelectric conversion part S is composed of a common electrode and a semiconductor layer, and the pixel electrodes 108 and 109 comprise a semiconductor layer and a layer forming a Schottky junction.例文帳に追加

基板上に光電変換部と、スイッチング素子と、画素電極と配線により複数個の画素を形成し、これを２次元に配列した光電変換装置において、前記光電変換部は共通電極と半導体層からなり、前記画素電極が前記半導体層とショットキー接合を形成する層を有することを特徴とする。 - 特許庁

In a reflow soldering course, soldered portions which connect the terminals 4 and electrodes 2 to each other are formed by melting the solder of the solder paste 7 by heating and, at the same time, the junction reliability can be improved, because the thermosetting flux of the solder paste 7 is fluidized and intrudes into the space S, and the component 1 is reinforced with a resin thermoset thereafter.例文帳に追加

リフロー過程においては、加熱により半田ペースト７の半田を溶融させて端子４と電極２とを連結する半田接合部を形成するとともに、半田ペースト７の熱硬化型フラックスが流動化して隙間Ｓに進入し、その後熱硬化した樹脂によって電子部品１を補強して、接合信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

This cell structure of a fuel cell for composing each element cell by respectively sequentially stacking: the catalyst layer 6; the porous layer 5 used as an electrode; and the gas diffusion layer 18 on each of both the surfaces of an electrolyte layer 7, is characterized in that a junction surface between the porous layer 5 and the catalyst layer 5 is formed of an irregular surface S comprising multiple uneven parts.例文帳に追加

電解質層７の両面にそれぞれ触媒層６、電極となる多孔質層５、ガス拡散層１８を順に積層して単位セルを構成する燃料電池のセル構造において、前記多孔質層５と触媒層６との接合面を、多数の凹凸部からなる凹凸面Ｓで形成したことを特徴とする。 - 特許庁

An upper connecting pipe section 11b faced to the drain piping 200 in a cabinet by utilizing the rotary function of the connecting joint A around the junction with the underfloor piping 100 and the mutual rotary function of a trap connecting piping 11 and a trap constituting pipe 21, and both pipings 100 and 200 are connected together regardless of the dislocation S between the underfloor piping 100 and the drain piping 200.例文帳に追加

床下配管１００との接続部を中心にした接続継手Ａの回動機能及びトラップ接続用管１１、トラップ構成用管２１相互の回動機能を利用して、上方の接続管部１１ｂを、キャビネット内の排水配管２００に対応させて、床下配管１００と排水配管２００との位置ズレＳに関らず両配管１００、２００を接続する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a surface-mounted diode 100d which has an n conduction type impurity diffusion region 12 and a p conduction type impurity diffusion region 13 arranged adjacently to each other in the surface layer of a semiconductor substrate 11, and which is structured by forming a pn junction S at the interface between the n conduction type impurity diffusion region 12 and p conduction type impurity diffusion region 13.例文帳に追加

半導体基板１１の表層部において、隣接して配置されるｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３とを有し、ｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３の界面でＰＮ接合部Ｓが形成されてなる表面型ダイオード１００ｄを備える半導体装置１００とする。 - 特許庁