「laser separation」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A 1/4 wave plate for converting light into polarization from a straight line to a circle and from the circle to the straight line is provided, and a sufficient quantity of light and the noise of returning light to a semiconductor laser 101 are reduced by a polarization separation optical system, that is combined with a polarization beam splitter 103 to the blue-based optical record medium.例文帳に追加

光を直線から円、円から直線の偏光に変換する１／４波長板１０５を備え、青色系光記録媒体に対して偏光ビームスプリッタ１０３と組合せた偏光分離光学系により十分な光量と、半導体レーザー１０１への戻り光のノイズを低減する。 - 特許庁

For keeping the pressing force of the probe tip ball 109 to the work W constant, a Z-stage 104 is controlled by a laser ranging system for detecting the separation distance between the second reference mirror 111 on the Z-axis arm 103 for holding the probe shaft 106 and the target mirror 114, and strain of plate springs 107, 108 is adjusted.例文帳に追加

ワークＷに対するプローブ先端球１０９の押圧力を一定に保つために、プローブ軸１０６を保持するＺ軸アーム１０３上の第二の基準ミラー１１１とターゲットミラー１１４の離間距離を検出するレーザ測長系によって、Ｚ軸ステージ１０４を制御し、板バネ１０７、１０８の歪を調整する。 - 特許庁

To provide a meander preventive guide having easy forming, high accuracy, and uneasy peeling, in the snaking preventive guide used to prevent a meander of an endless belt used in an electrophotographic copying machine, a photosensitive supporter such as a laser printer, an intermediate transfer device, a transfer separation device, a carrying device, a static charging device, and a developing device, etc.例文帳に追加

電子写真式複写機、レーザープリンター等の感光支持体、中間転写装置、転写分離装置、搬送装置、帯電装置、現像装置等に使用されるエンドレスベルトの蛇行防止に用いられる蛇行防止ガイドに関し、形成が容易で、かつ精度が高く、剥離しにくい蛇行防止ガイドを提供する。 - 特許庁

The value of an irradiation fluence, which is related to a femto-second laser beam in a low fluence region causing non-thermal ionization discharge on the surface of the solid by being irradiated thereon, is set within a low fluence range according to a required separation depth separated from the surface of the solid and the property of the surface of the solid.例文帳に追加

固体表面から剥離すべき所望の剥離深さ及び固体表面の材質に応じて、固体表面に照射されることで固体表面に非熱的なイオン化放出を引き起こす低フルーエンス領域内のフェムト秒レーザに係る照射フルーエンスの値を、低フルーエンス領域内で設定する。 - 特許庁

In the separation method, with a switch 105 opened, arrays 1 and 2 connected with optical thin films 6a and 6b are placed on an elastic plate 102, with the optical thin film 6a facing upward, so that the length direction of a semiconductor laser bar 1 ia almost perpendicular to the bending operation direction of chuck parts 104a and 104b.例文帳に追加

本発明の分離方法は、スイッチ１０５を開状態にして、光学薄膜６ａ，６ｂで繋がった配列体１，２を光学薄膜６ａを上向けて、半導体レーザバー１の長手方向と、チャック部１０４ａ，１０４ｂの曲げ動作方向とが略垂直になるように弾性平板１０２上に載置する。 - 特許庁

The method of manufacturing a nitride semiconductor element by dividing a semiconductor wafer where a nitride semiconductor is formed on a substrate includes: a step for forming a separation part where the semiconductor wafer is partially thin by removing a part of the nitride semiconductor; a step for forming a break line in the substrate by irradiating the separation part internally with a laser beam; and a step for dividing the semiconductor wafer along the break line.例文帳に追加

本発明は、基板上に窒化物半導体が形成された半導体ウエハーを窒化物半導体素子に分割する窒化物半導体素子の製造方法であって、前記窒化物半導体の一部を除去して、前記半導体ウエハーの厚みが部分的に薄い分離部を形成する工程と、前記分離部内にレーザーを照射して、前記基板の内部にブレイク・ラインを形成する工程と、前記ブレイク・ラインに沿って前記半導体ウエハーを分離する工程と、を有する窒化物半導体素子の製造方法である。 - 特許庁

A contact detecting means such as a laser beam displacement gage 10 which detects the contact of the upper surface of the substrate 7 with the screen 1 and outputs a detection signal is mounted on a stage 8, and an indication part 13 which indicates the completion of the contact of the substrate 7 and the completion of the separation of the plate based on the detection signal from the contact detecting means is installed.例文帳に追加

スクリーン１に対する基板７の上面の接触を検出し検出信号を出力するレーザ変位計１０などの接触検出手段をステージ８上に設置するとともに、前記接触検出手段からの検出信号に基づき基板７の接触完了および版離れ完了を表示する表示部１３を設置する。 - 特許庁

An optical semiconductor element 1 comprising a semiconductor multilayer film L11, a separation layer SP, and a semiconductor multilayer film L12 formed sequentially on a semiconductor substrate SB, further includes an electrostatic breakdown voltage element 10 formed on the semiconductor multilayer film L11, and a surface emission semiconductor laser 20 formed on the semiconductor multilayer film L12 located above the semiconductor multilayer film L11.例文帳に追加

光半導体素子１は、半導体基板ＳＢ上に半導体多層膜Ｌ１１、分離層ＳＰ、及び半導体多層膜Ｌ１２が順に積層されており、半導体多層膜Ｌ１１に形成された静電耐圧素子１０と、半導体多層膜Ｌ１１の上方に位置する半導体多層膜Ｌ１２に形成された面発光型半導体レーザ２０とを含んで構成される。 - 特許庁

In the laser isomer separation device, the product recovery efficiency is improved by providing a groove part 11 on the surface of a product recovery electrode 10, increasing the ion recovering quantity at the side lower end part of the product recovery electrode 10 and re-recovering atoms sputtered from the product recovery electrode 10 with the recovery electrode itself.例文帳に追加

レーザ同位体分離装置において、製品回収電極の表面に溝部を設け、電圧を上げることなく、前記製品回収電極の側面下端部でのイオン回収量を増加させ、且つイオン入射により前記製品回収電極からはじき飛ばされた原子をその回収電極自身で再回収することにより、製品回収効率を向上させる。 - 特許庁

An organic compound such as dimethylzinc and a gas element compound such as oxygen are used for starting materials, which are dissociated and ionized by non-resonant multiple photon absorption not through an intermediate level by emission of an excimer laser 21, and impurities are separated from the ionized elements by the mass separation method using an electromagnetic field 55 to deposit only the prescribed ionized elements onto a target 61.例文帳に追加

ジメチル亜鉛などの有機化合物及び酸素などの気体元素化合物を出発原料として、エキシマレーザー２１照射により中間準位を経ない非共鳴の多光子吸収により解離及びイオン化し、イオン化された元素を電磁場５５による質量分離法により不純物を分離して所定のイオン化元素のみをターゲット６１上に堆積させる。 - 特許庁

This wire coating separation method includes processes of: preparing the wire core 11 covered with the insulating coating 13; forming an incision 40a on the insulating coating 13 of the wire core 11; and forming a wire core part 11a not covered with the insulating coating 13 by irradiating the insulating coating 13 with pulse laser L1 in accordance with the position of the incision 40a.例文帳に追加

絶縁被膜１３で覆われたワイヤ芯線１１を準備する工程と、ワイヤ芯線１１の絶縁被膜１３に切込４０ａを形成する工程と、切込４０ａの位置に合わせてパルスレーザＬ１を絶縁被膜１３に照射し、絶縁被膜１３により覆われていないワイヤ芯線部分１１ａを形成する工程と、を有するワイヤ被膜剥離方法。 - 特許庁

When a metal layer 11 is provided over a substrate, an oxide layer 12 is provided to be in contact with the metal layer 11, a layer to be peeled 13 is formed, and the metal layer 11 is irradiated with a laser beam to perform oxidization to form a metal oxide layer 16, complete separation can be achieved inside the metal oxide layer 12 or at an interface between the metal oxide layer 16 and the oxide layer 12 through a physical means.例文帳に追加

基板上に金属層１１を設け、さらに前記金属層１１に接して酸化物層１２を設け、さらに被剥離層１３を形成し、前記金属層１１をレーザー光で照射することで酸化を行い、金属酸化物層１６を形成させれば、物理的手段で金属酸化物層１２の層内または金属酸化物層１６と酸化物層１２との界面において、きれいに分離することができる。 - 特許庁