「laser separation」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A scribing line is formed by directing the pulses of laser energy having a wavelength below 560 nanometers and having the energy density, spot size, repetition ratio and pulse duration sufficient for inducing ablation of sapphire at a surface of the sapphire substrate 14 by using a solid laser 10, and separation is performed thereafter.例文帳に追加

固体レーザ１０を使用してサファイア基板１４の表面にレーザエネルギのパルスであって、５６０ナノメートル未満の波長、サファイアのアブレーションを誘発するのに充分なエネルギ密度、スポットサイズ、繰返し率、およびパルス持続時間を有するパルスを指し向けて、スクライブ線を形成し、その後、分離する。 - 特許庁

A laser beams is emitted from a laser beams source 21, reflected by a polygon mirror 26 and transmitted through fθ lenses 27a and 27b is reflected by a separation polygon mirror 28 having reflection surface 28a and 28b, reflected by first to fourth guiding mirrors 31 to 34, reflected by first to fourth cylindrical mirrors 36 to 39 and made incident on the image forming position 20 of an image carrier.例文帳に追加

レーザー光源21から発せられ、ポリゴンミラー26で反射されて、ｆθレンズ27a、27bを透過したレーザービームは反射面28a、28bを有する分離多面鏡28で反射して、第１〜第４案内鏡31〜34で反射し、第１〜第４シリンドリカルミラー36〜39で反射して像担持体の像形成位置20に入射する。 - 特許庁

To provide a groove formation method for forming a groove by applying laser beams to a wafer, where the wafer can be broken along a separation line fully reliably by applying outer force to the wafer.例文帳に追加

ウエーハに外力を加えることによってウエーハを充分確実に分離ラインに沿って破断することを可能にする溝を、ウエーハにレーザ光線を照射して形成する溝形成方法を提供する。 - 特許庁

A laser beam from a light source 20 is separated by a separation optical system 21 into a reference beam and a measuring beam, which are cast on a reference mirror 40 and a moving mirror 22 on a moving body 4, respectively.例文帳に追加

光源部２０からのレーザビームが分離光学系２１によって参照ビームと測定ビームとに分離され、参照鏡４０，移動体４上の移動鏡２２にそれぞれ照射される。 - 特許庁

In the laser printer, the separation claws 12 made of a resin are integrally formed with an ejection guide 11 made of a resin and disposed with a predetermined amount of gap left between the fixing roller 4 and them.例文帳に追加

このレーザプリンタでは、複数の樹脂製の分離爪１２は、樹脂製の排出ガイド１１と一体的に形成されるとともに、定着ローラ４と所定の間隔を隔てて配置されている。 - 特許庁

To obtain a battery pack with high reliability surely preventing unprepared separation and coming-off of an outer package cover, in one fixing a resin outer package cover by laser welding to a metal unit cell.例文帳に追加

樹脂製の外装カバーを金属製の素電池に対してレーザ溶接により固定する電池パックにおいて、外装カバーの不用意な分離・脱落を確実に防止した信頼性の高い電池パックを得る。 - 特許庁

The method for manufacturing a flexible display device, by using a resin substrate comprises the steps of forming the resin substrate on a fixed substrate, having a separation layer; forming at least a TFT element on the resin substrate; and peeling the resin substrate from the fixed substrate within the separation layer at an interface thereof, by irradiating the separation layer with a laser beam.例文帳に追加

分離層を有する固定基板上に樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に少なくともＴＦＴ素子を形成する工程と、前記分離層にレーザー光を照射することにより、前記分離層の層内または界面において前記固定基板から前記樹脂基板を剥離する工程とを行い、前記樹脂基板を用いた柔軟性を有する表示装置を作製する。 - 特許庁

Even when the substrate body is formed of a material having a high thermal conductivity, e.g. aluminum nitride, the lines 52 for separation can be formed in a short time and the working time by laser scribing can be shortened.例文帳に追加

したがって、基板本体を熱伝導率が高い材料、例えば、窒化アルミニウム等で形成したとしても、分離用ライン５２を短時間で形成することができ、レーザスクライビング法による加工時間を短縮することができる。 - 特許庁

A stability in forward voltage drop of a print or laser lithography diode can be established or enhanced by utilizing separation between the V_t(V_tn) of NMOS TFT and the V_t(V_tp) of PMOS TFT.例文帳に追加

ＮＭＯＳ ＴＦＴのＶ_ｔ（Ｖ_ｔｎ）とＰＭＯＳ ＴＦＴのＶ_ｔ（Ｖ_ｔｐ）の間の分離を利用して、印刷又はレーザ描画のダイオードの順方向電圧降下の安定性を確立又は向上する。 - 特許庁

The separation layer 3 is ablated to separate the element 5 from the first substrate 1, by emitting a laser beam Lh from a first substrate 1 side, in the decompressed atmosphere, and is transferred onto the second substrate 7.例文帳に追加

減圧雰囲気内において、第１の基板１側からレーザ光Ｌｈを照射することにより、剥離層３をアブレーションさせて素子５を第１の基板１上から剥離し、第２の基板７上に移載する。 - 特許庁

After a single crystal semiconductor film is formed over an insulating film by a separation step, a natural oxide film existing on a surface of the semiconductor film is removed and the semiconductor film is irradiated with first laser light.例文帳に追加

分離により絶縁膜上に単結晶の半導体膜を形成した後、該半導体膜の表面に存在する自然酸化膜を除去し、半導体膜に対して第１のレーザ光の照射を行う。 - 特許庁

By controlling the number of laser pulses in the sequence, temporal separation between pulses, and relative intensity of the pulses, the lateral growth length characteristics of the crystal grains can be traded against the silicon film planarity.例文帳に追加

シーケンスにあるレーザパルスの数、パルス間の時間的分離およびパルスの相対強度を制御することにより、結晶粒の横方向成長の長さの特徴と、シリコン膜の平坦度とをうまく兼ね備えることができる。 - 特許庁

In regeneration, a part corresponding to the solid-liquid separation region 20 of the membrane sheet 14 is cut off, a new membrane sheet is overlapped to the coating agent 22, the new membrane sheet is welded and fixed with the coating agent 22 by laser beam.例文帳に追加

再生時には、膜シート１４の固液分離域２０に相当する部分を切除した後、新規の膜シートを塗布剤２２に重ね合わせ、新規の膜シートと塗布剤２２とをレーザによって溶着固定する。 - 特許庁

The mirror (62) is adjusted in such a way that the two laser beams (54, 55) are each reflected at one of the surfaces (63, 64) and causes a spatial separation of the two resulting focal points (65) and the two emission beam bundles (59, 60).例文帳に追加

ミラー（６２）は、２つのレーザビーム（５４，５５）が一方の表面（６３，６４）でそれぞれ反射するように調整され、２つの焦光ポイント（６５）および２つの発光ビーム束（５９，６０）の空間分離を生じさせる。 - 特許庁

It is preferable that the photosensitive layer comprises a hydrophilic material having a phase separation structure of a hydrophilic polymer and an oleophilic structure and that the hydrophilic material can be converted into oleophilic by laser irradiation.例文帳に追加

前記感光層が、親水性ポリマーと親油性ポリマーの相分離構造を有する親水性材料で構成され、該親水性材料はレーザー照射により親油性に変化し得るものであるのが好ましい。 - 特許庁

To provide a polarization-selectable semiconductor laser and drive method thereof, which enables separation/extraction of a light output corresponding to a specified signal among input signals, utilizing the switching of the polarization of an output light.例文帳に追加

出力光の偏波がスイッチングするのを利用して、入力信号の中から特定の信号に対応する光出力の分離・抽出を可能にする偏光選択可能な半導体レーザおよびその駆動法である。 - 特許庁

The separation is performed by passing the laser beams through an optical device having a diffraction optical element 20 for forming the first beam and the second beam having the focus formed at an interval.例文帳に追加

前記分離は、前記レーザビームに、間隔をあけられた焦点を有する前記第１のビーム及び前記第２のビームを形成するための回折光学素子２０を有する光学装置を通過させることから成る。 - 特許庁

The correcting lens 10 of an optical pickup device is equipped with a first anisotropically curved surface 11 which removes, from a return laser beam L2, an aberration generated from transmission through a half mirror (optical element for optical separation), and with a second anisotropically curved surface 12 which generates, on the return laser beam L2, astigmatism for forming a focusing error signal.例文帳に追加

光ピックアップ装置の補正レンズ１０は、ハーフミラー（光分離用光学素子）を透過することにより発生する収差を戻りレーザー光Ｌ２から除去する第１の異方性曲面１１とフォーカシングエラー信号生成用の非点収差を戻りレーザー光Ｌ２に発生させる第２の異方性曲面１２を備えている。 - 特許庁

A laser oscillation part 10 of the laser processing device comprises a 1/4 wave plate 16, an active medium 18, a higher harmonic separation output mirror 20, a convergent lens 22, and a nonlinear optical crystal (wavelength converted crystal) 24 arranged in line at a predetermined interval on a linear optical path between a pair of end mirrors 12, 14.例文帳に追加

このレーザ加工装置のレーザ発振部１０は、一対の終端ミラー１２，１４の間の直線的な光路上に、１／４波長板１６、活性媒質１８、高調波分離出力ミラー２０、収束レンズ２２、非線形光学結晶（波長変換結晶）２４が所定の距離間隔を空けて一列に配置している。 - 特許庁

In a separation step, a laser scribe forming procedure for performing proximal scribing to the joining part 13 of the optical element block 11B by irradiation with a laser beam in the plate thickness direction is performed and an impact force imparting procedure for imparting impact force to a part where a scribe 1 of the optical element block 11B is formed is performed.例文帳に追加

分離工程では、光学素子ブロック１１Ｂの接合部１３に近接して板厚方向にレーザー光を照射して罫書きするレーザースクライブ形成手順を実施し、光学素子ブロック１１Ｂのスクライブ１Ｂが形成された箇所に衝撃力を付与する衝撃力付与手順を実施する。 - 特許庁

To provide a III-V compound semiconductor crystal whose hole type defect density is low and which is free from composition separation, and a semiconductor device and a semiconductor laser having good electric conductivity, a light emission property and a rapid modulation property.例文帳に追加

空孔型欠陥密度が小さく、かつ組成分離のないIII−Ｖ族化合物半導体結晶、並びに良好な電気伝導性、発光特性及び高速変調特性を有する半導体デバイス及び半導体レーザの提供。 - 特許庁

To accurately apply a marking which is excellent in visibility without causing problems such as a layer separation, cracks, whitening and bleeding on the laminated interface of a double color molded part including a black color base layer and a transparent coating layer by irradiation of a laser beam.例文帳に追加

レーザー光照射により、黒色系の基層と透明な被覆層とからなる二色成形部の積層界面に、層剥離、クラック、白化、滲み等の問題を引き起こすことなく、視認性に優れたマーキングを精度良く施す。 - 特許庁

Subsequently, the separation layer 2 is eluted and the substrate 1 is separated, a liquid ejection opening 12 is made in the first coating resin layer 3 by laser ablation and the fusible resin layer 4b is eluted thus forming a liquid channel 13.例文帳に追加

その後に分離層２を溶出して基板１を分離し、第１の被覆樹脂層３にレーザーアブレーションによって液吐出口１２を形成し、そして溶解可能な樹脂層４ｂを溶出して液流路１３を形成する。 - 特許庁

To provide an optical disk device having high reliability even during high double speed reproduction, by solving the deterioration of SNR caused by the acceleration of a reproduction speed and the difficult separation of a reproduction speed from a HF signal component, and reducing laser noise.例文帳に追加

再生速度の高倍速化によるＳＮＲ劣化、及び再生信号とＨＦ信号成分の分離困難を克服し、且つ、レーザ雑音を低減し、高倍速再生時にも高い信頼性を有する光ディスク装置を実現すること。 - 特許庁

Diagonal line parts in each region of inter-element separation groove wiring layers 22a, 22b, 22c, 22d are electrically connected to wiring layers 22a, 22b, 22c, 22d and ridge electrodes on ridge parts of each laser light emitting parts LD1 to LD4.例文帳に追加

素子間分離溝配線層２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄの各領域における斜線部が、配線層２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄと各レーザ発光部ＬＤ１〜ＬＤ４のリッジ部上のリッジ電極とが電気的に接続される。 - 特許庁

To provide a group III nitride quaternary and pentad material system used in a semiconductor structure such as a laser diode, a transistor and a photodetector, inhibiting or eliminating phase separation, and improving luminous efficiency, and also to provide a method.例文帳に追加

レーザダイオード、トランジスタ、光検出器などの半導体構造に使用され、相分離を抑制または解消するとともに発光効率を向上させるIII族窒化物４元及び５元材料系並びに方法を提供する。 - 特許庁

The cell separation apparatus 100 includes: a centrifugal separator that separates the cells C and other components contained in a cell suspension; and laser irradiation devices 18 for applying a laser beam having a wavelength band selectively absorbed in a hemoglobin in an erythrocyte E contained in the cell suspension, to the cell suspension before or during the separation of the cells C and other components by the centrifugal separator.例文帳に追加

細胞懸濁液内に含有されている細胞Ｃと他の成分とを分離する遠心分離機と、遠心分離機による細胞Ｃと他の成分との分離前の細胞懸濁液、または、遠心分離機による細胞Ｃと他の成分との分離中の細胞懸濁液に対して、細胞懸濁液に含まれる赤血球Ｅ中のヘモグロビンに選択的に吸収される波長帯域のレーザ光を照射するレーザ照射装置１８とを備える細胞分離装置１００を提供する。 - 特許庁

To provide a state detection device having a simple constitution capable of preventing return light from entering directly a light receiving element without using a special optical element such as an optical separation element or an optical isolator, and detecting surely the intensity of output light from a laser element, concerning a state detection device utilizing a self-coupling effect of a semiconductor laser element.例文帳に追加

半導体レーザ素子の自己結合効果を利用した状態検出装置であって、光分離素子や光アイソレータ等の特殊な光学素子を用いることなしに戻り光が直接受光素子に入射することを防ぎ、レーザ素子の出力光の強度を確実に検出することのできる簡易な構成の状態検出装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a resin film medium with which redeposition of combustibles to a resin film is suppressed compared with a case cutting the whole medium with laser and with which separation of a functional layer is suppressed compared with a case of cutting the whole medium with a cutting blade.例文帳に追加

媒体全てレーザで切断する場合に比べ、樹脂フィルムへの燃焼物の再付着が抑制され、媒体全て切断刃で切断する場合に比べ、機能層の剥れが抑制された樹脂フィルム媒体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nitride semiconductor light-emitting element capable of forming a high-luminance nitride semiconductor light-emitting element without any deterioration without damaging a light emitting region, when forming a separation groove for separating chips and that for laser lift-off.例文帳に追加

チップ分離用やレーザーリフトオフ用の分離溝を形成する場合に、発光領域に損傷が加わらず、劣化のない高輝度な窒化物半導体発光素子を形成することができる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

As MOPA separation constitution in which a mode-locked laser unit (an MLLD unit) and an optical modulation unit in an MOPA are separated, the MLLD unit is provided to the outside of optical pickups, and at least constitution after the optical modulation unit is mounted on the optical pickups.例文帳に追加

ＭＯＰＡにおけるモードロックレーザ部分（ＭＬＬＤ部分）と光変調部とを分離したＭＯＰＡ分離構成として、光学ピックアップ外部にＭＬＬＤ部分を配し、各光学ピックアップには少なくとも光変調部以降の構成を搭載する。 - 特許庁

By making four laser beams (LY, LM, LC and LK) incident on the same deflection and reflection surface (1S) of the deflector (1) at different angles in a subscanning direction, the separation of their optical paths in the subscanning direction is performed with their deflection for scanning in a main scanning direction.例文帳に追加

偏向器(1)の同一偏向反射面(1S)に対して４本のレーザビーム(LY,LM,LC,LK)を副走査方向に互いに異なる角度で入射させることにより、主走査方向への偏向走査とともに副走査方向への光路分離を行う。 - 特許庁

In the laser welding apparatus, a beam synthesizer 24 is arranged on a prescribed position in addition to constitution in which end mirrors 10, 12, an active medium 14, wavelength converted crystal 16, a polarizing element 18, and a higher harmonic separation output mirror 20 are arranged.例文帳に追加

このレーザ溶接装置は、終端ミラー１０，１２、活性媒質１４、波長変換結晶１６、偏光素子１８および高調波分離出力ミラー２０を配置する構成に加えて、所定位置にビーム合成部２４を配置している。 - 特許庁

The light-emitting device manufacturing method comprises the steps of: irradiating laser beam to a separation region for separating a light-emitting device formed on a substrate (10), physically separating the substrate (10) in the separation region, and removing a surface layer of at least one side of the substrate that is exposed by the step of separating the substrate (10).例文帳に追加

本発明は、基板（１０）上に形成された発光素子を分離するための分離領域にレーザ光を照射する工程と、基板（１０）を分離領域で物理的に分離する工程と、基板（１０）を分離する工程により露出された基板の少なくとも１つの側面の表面層を除去する工程と、を有することを特徴とする発光素子の製造方法である。 - 特許庁

The method for cutting the chip package 100 combined in one group and containing a plastic molded body 104 into the individual pieces by separating them along a target separation area includes: a process of at least partially removing a lead frame 107 extending inside a target separation area by laser engraving; and a process of completely separating the chip package 100 by mechanical sawing along the target separation area subsequently.例文帳に追加

１つの群にまとめられてプラスチック成形体１０４を有するチップパッケージ１００を目標分離領域に沿って分離することによって個別の片に切断するための方法であって、チップパッケージ１００の目標分離領域にレーザ彫刻によって溝を設け、目標分離領域内を延びるリードフレーム１０７をレーザ彫刻によって少なくとも部分的に除去する工程と、引き続き目標分離領域に沿った機械的鋸引きによってチップパッケージ１００を完全に分離する工程とを含む。 - 特許庁

In this hose made out of a synthetic resin and marked at proper intervals in the longitudinal direction of a hose main body made out of a soft synthetic resin, the marking is performed by laser, a surface of the hose is heat-processed by the focused laser beam, and the marking is performed by stripping off or carving the surface of the hose, whereby the separation and removing of the marking can not be found.例文帳に追加

軟質合成樹脂から製せられたホース本体の長手方向に適宜間隔をおいてマーキングされた合成樹脂製ホースであって、前記マーキングがレーザーによるもので、集光されたレーザー光によりホース表面が熱加工され、ホース表面が剥離、彫り込みされることによりマーキングされたものであり、マーキングが剥がれたり、とれたりすることがない。 - 特許庁

In this constitution, a photoabsorption body 24 having a conical inner wall getting thin along with separation from the semiconductor laser 28, and reflection-prevention-worked in the inner wall is provided in an opposed end opposed to an arranging end of the semiconductor laser 28 in a measuring tube 22, and the parallel lights are multiply reflected by the photoabsorption body 24 while advancing toward an emission direction, so as to be absorbed.例文帳に追加

この構成において、測定管２２における半導体レーザ２８の配設端との対向端に、半導体レーザ２８から離れるに従って細くなる円錐形状の内壁を有し、この内壁に反射防止加工が施された光吸収体２４を備え、この光吸収体２４で平行光が出射方向へ向かいながら多重反射されて吸収されるようにする。 - 特許庁

A laser beam of 650 nm in wavelength for DVD irradiates an information recording medium through a going/return path separation film and its reflected light beam is inputted and coupled with a 1st waveguide layer 16 by a 1st grating 31 and reaches a 2nd photodetection part 42.例文帳に追加

ＤＶＤ用の波長６５０ｎｍの光ビームは往路復路分離膜２４により情報記録媒体に照射され、反射された光ビームが第１グレーティング３１により第１導波層１６に入力結合されて第２受光部４２に達する。 - 特許庁

Further, the polarization separation light varied-angle element 11 vibrates about a rotation shaft 23 provided on the substrate 21, allows a TM component out of the laser beams radiated from the light source 2 to be transmitted, and scans the TE component in a predetermined scanning angle range.例文帳に追加

そして偏光分離光変角素子１１は、基板２１に設けられた回転軸２３を中心にして振動し、光源２から照射されたレーザ光のうちＴＭ成分を透過させるとともにＴＥ成分を所定走査角度範囲で走査する。 - 特許庁

To provide a surface-emitting semiconductor laser which can reduce an increase in a threshold current affected by the separation of In, and is provided with at least one semiconductor layer containing Al, In, and P as main components on a GaAs substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上にＡｌ、Ｉｎ、Ｐを主成分として含む半導体層が少なくとも１層設けられている面発光型半導体レーザにおいて、Ｉｎの分離の影響による閾値電流増加を抑制できる面発光型半導体レーザを提供する。 - 特許庁

A high resistance region 111 where a valid conduction rate of an upper clad layer 106 is partially dropped (valid resistance rate is improved) by using ion implantation technology is arranged in the upper clad layer 106 in a side of a laser region (light emitting region) 107 of the separation region 110.例文帳に追加

分離領域１１０のレーザ領域（発光領域）１０７の側における上部クラッド層１０６には、例えばイオン注入技術を用いて部分的に上部クラッド層１０６の実効的な導電率を下げた（実効的な抵抗率を上げた）高抵抗領域１１１を備える。 - 特許庁

As a divided embodiment of the plurality of ion generating elements, grooving for cutting is performed before baking, or grooving in a perforation shape for cutting is performed by using a laser ceramic finishing machine, or the like after baking before separation along the groove, when forming flatly using ceramic as the dielectric.例文帳に追加

複数のイオン発生素子の分割態様としては、誘電体としてセラミックを用いて平板状に成形する場合、焼成前に割断用の溝入れ加工を施す、あるいは焼成後にレーザセラミック加工機などを用いて割断用のミシン目状溝入れ加工を施し、この溝に沿って分離する。 - 特許庁

To enhance the concentration ratio of an isotope by suppressing an inverse reaction or side reaction in a laser isotope separation method and to more easily separate the isotope in a high concentration ratio by utilizing a material large in isotope shift than before especially with respect to silicon.例文帳に追加

レーザ同位体分離法において逆反応や副反応を抑制して同位体濃縮率を向上させることであり、特にケイ素について従来より同位体シフトが大きい材料を利用してより容易に濃縮率の高い同位体分離を行えるようにする。 - 特許庁

When the semiconductor chip 22c is adsorbed by the adsorbing member 43 and ascended by the transferring mechanism 44, a shearing stress is generated intensively on a modifying region introduced by irradiation of a laser beam in response to a separation schedule line DL of the semiconductor chip 22c.例文帳に追加

半導体チップ２２ｃを吸着部材４３により吸着し、移動機構４４により上昇させると、半導体チップ２２ｃの分割予定ラインＤＬに対応してレーザ光の照射により導入されている改質領域に集中的に剪断応力が発生する。 - 特許庁

The image forming device includes an image carrying member 1 using an organic photoreceptor of a function separation type, a primary electrostatic charger 2 for uniformly electrostatically charging the member 1 by exposing the member 1, a laser exposure device 3 for forming an electrostatic latent image by exposing the member 1, and a two-component contact developing device 4 which develops the electrostatic latent image to a sensible image.例文帳に追加

機能分離型の有機感光体を用いた像担持体１と、像担持体１を均一に帯電する一次帯電器２と、像担持体１を露光して静電潜像を形成するレーザ露光装置３と、静電潜像を顕画化する２成分接触現像装置４とを有する。 - 特許庁