「magnetization state」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A magnetization state is detected, by scanning the beam with a polarizer 23 on the surface of the magnetic transfer element 12, a deviation angle of a scanning direction and track direction is detected by a track direction detecting system 40, and the scanning direction is made to coincide with the tracking direction by a scan control section 26.例文帳に追加

磁気転写素子１２の表面に偏光器２３によりビームを走査して磁化状態を検出し、トラック方向検出系４０により走査方向とトラック方向との偏差角を検出し、走査制御部２６により走査方向をトラック方向に一致させる。 - 特許庁

The magnetic RAM comprises: a MOS transistor; a memory layer, to which the source of the MOS transistor is connected and in which data are recorded; a heating means, which heats the memory layer; and a recording line, to which a magnetic field is applied in order to change a magnetization state of the heated area of the memory layer when data recording.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタと、このソースと連結され、データの記録されるメモリ層と、メモリ層を加熱するための加熱手段と、データ記録時に前記メモリ層の加熱された領域の磁化状態を変えるため磁気場を印加するように備えられた記録ラインを備える。 - 特許庁

To solve such a problem that, in a magnetic head for performing microwave assisted recording, since a difference in a demagnetization field between the end and the center of a field generation layer (FGL) grows larger as saturation magnetization of the FGL grows larger, the FGL that generates a microwave is not oscillated in a state of a single magnetic domain.例文帳に追加

マイクロ波アシスト記録を行う磁気ヘッドでは、磁化高速回転体（Field Generation Layer：ＦＧＬ）の飽和磁化の大きさが大きくなるに従って、端部と中央部の反磁界の大きさの違いが大きくなるため、マイクロ波を発生させるＦＧＬは、単磁区状態で発振しない。 - 特許庁

The step of forming the free layer 24 is conducted in the state that the temperature of the substrate 1 is 0°C or lower, and the substrate 1 is cooled so that it may become the temperature lower than 30°C or higher than the temperature of the substrate 1 in the step of forming the magnetization fixed layer 22.例文帳に追加

自由層２４を形成する工程は、基板１の温度が０℃以下であって、且つ磁化固定層２２を形成する工程における基板１の温度よりも３０℃以上低い温度となるように基板１が冷却された状態で自由層２４を形成する。 - 特許庁

The method includes a step in which cells are identified (501) within a magnetoresistive solid-state storage device (100) having a failure behavior that has a tendency to stay in a particular magnetization orientation, a step in which a mapping (503) is conducted for an identified cell and a step in which failure behavior of the cell located at a place being mapped is compensated for (505).例文帳に追加

本開示の方法は、特定の磁化方向に留まる傾向を有することを特徴とする故障挙動を有する磁気抵抗固体記憶素子内のセルを識別し（５０１）、該識別されたセルの場所をマッピングし（５０３）、該マッピングされた場所におけるセルの故障挙動を補償する（５０５）、という各ステップを含む。 - 特許庁

The sense current 112 is consequently passed in an X-direction to generate the sense current magnetic field clockwise with respect to the plane of Fig., by which the direction of the sense current magnetic field and the direction of the synthetic magnetic moment are aligned and the stability of the magnetization state of the first and second fixed magnetic layer can be improved.例文帳に追加

このためセンス電流１１２を図示Ｘ方向に流し、紙面に対し右回りのセンス電流磁界を発生させることにより、前記センス電流磁界の方向と、合成磁気モーメントの方向とが一致し、前記第１と第２の固定磁性層の磁化状態の安定性を向上できる。 - 特許庁

The device 1 has a constitution wherein a control part 30 drives a rotation driving means 18, while detecting a light receiving quantity on a measuring object point by a light receiving means 16, and thereby a rotation angle of the polarizer 15 at which the light receiving quantity becomes a prescribed value is detected as the magnetization state of the measuring object 100.例文帳に追加

そして、制御部３０が、受光手段１６により測定対象点の受光量を検出しながら回転駆動手段１８を駆動させることで、この受光量が所定値となる検光子１５の回転角度を被測定物１００の磁化状態として検出するように構成する。 - 特許庁

The method for deciding the write current for the magnetic memory cell includes a step for supplying test write current for the test magnetic memory cell, a step for determining the response to the switching for the test magnetic memory cell by detecting a magnetization state for the test magnetic memory cell and a step for generating the write current having the quantity dependent on the switching response.例文帳に追加

磁気メモリセルのための書込み電流を決定するための方法は、テスト磁気メモリセルにテスト書込み電流を供給するステップと、テスト磁気メモリセルの磁気状態を検知してテスト磁気メモリセルの切替え応答を判定するステップと、切替え応答に依存する量を有する書込み電流を生成するステップを含む。 - 特許庁

To examine a possible magnetic structure using primary theoretic electronic state computation using local spin density approximation with good precision in determination of the structure and electronic state of a carbonaceous material, to attain concrete realization of a Klein end, to obtain a nano graphite structure having a magnetically polarized flat band and to perform similar magnetization modification even to finite nanotubes having zigzag ends.例文帳に追加

炭素系物質構造と電子状態決定に十分な精度を持つ局所スピン密度近似を用いた第一原理的電子状態計算を用い、可能性のある磁性構造を検討し、クライン端の具体的実現を図って、磁気偏極した平坦バンドを持つナノグラファイト構造を得ると共に、ジグザグ端を持つ有限ナノチューブにも同様の磁性付与改質を行うことができるようにする。 - 特許庁

In the magnetic recording/reproducing method for printing on a recording medium with magnetic ink, ejected magnetic ink is applied with a magnetic field so tat the magnetic ink is brought into magnetized state at application, magnetization of the magnetic ink at application is controlled in correspondence with information to be printed depending on the ejection amount of magnetic powder, the orientation state in magnetic field and the field strength.例文帳に追加

磁気インクを記録媒体上に印字する磁気記録方法であって、吐出された後の磁気インクに対し磁場をかけることにより、塗布時における磁気インクを着磁状態とし、印字すべき情報に対応させて、塗布時における磁気インクの着磁量を、磁性粉の吐出量及び磁場における配向状態、並びに磁場強度により制御するとともに、該着磁量を漏れ磁場量により検出する。 - 特許庁

The magnetic field applying device X1 for setting the perpendicular magnetic recording layer in a recording medium D having a perpendicular magnetic recording layer to be in a random magnetization state, is provided with a plurality of electromagnets 15 for applying a perpendicular magnetic field to the perpendicular magnetic recording layer, wherein the respective electromagnets 15 are provided so as to be able to perform revolution.例文帳に追加

本発明の磁界印加装置Ｘ１は、垂直磁気記録層を有する記録媒体Ｄにおける当該垂直磁気記録層をランダム磁化状態とするためのものであって、垂直磁気記録層に垂直磁界を印加するための複数の電磁石１５を備え、各電磁石１５は例えば公転動可能に設けられている。 - 特許庁

Also, a magnetization state of these variable resistance elements is decided by a magnetic field applied to each element, the result of arithmetic operation for data by arithmetic processing by magnetic field intensity by corresponding magnetic field intensity to contents of arithmetic operation for arithmatic operation data, arithmetic operation is performed at high speed and the processing result can be stored.例文帳に追加

またこれらの可変磁気抵抗素子の磁化状態は、それぞれに印加される磁界により決定され、磁界強度を演算処理データに対する演算内容に対応させることにより、磁界強度で演算処理によるデータに対する演算結果を表現でき、高速で演算処理を行なって処理結果を格納することができる。 - 特許庁

After a ready-for-win state is formed, tactile stimulation is given to the player with the protrusion member 43 by repeating magnetization and demagnetization to the solenoid 42 when a second pattern 22 temporarily stops synchronized with the varying mode of the pattern of single frame variation displayed and performed by a visible display part H on the basis of the control of a pattern control substrate.例文帳に追加

リーチ状態となった後に、図柄制御基板の制御に基づいて、可視表示部Ｈにて表示演出されるコマ送り変動の図柄の変動態様に同調させて、第２図柄２２が一旦停止した際に刺激付与ソレノイド４２に励磁と消磁を繰り返させ突起部材４３にて遊技者に触覚的な刺激を与える。 - 特許庁

The magnetization of the layer 3 is inverted, by applying a predetermined electric field E1 via the electrode layer, in a state in which a predetermined external magnetic field B is applied to the layer 3 and an electric field E2 so as to reduce the hole concentration in the layer 3, as compared with the case of applying the field E1, and recording operation is performed.例文帳に追加

そして、記録層３に対して、所定の外部磁場Ｂが印加された状態において、金属電極層５を介して所定の電界Ｅ１と、記録層３中の正孔濃度が、前記電界Ｅ１を印加したときよりも減少するような電界Ｅ２とを印加して、記録層３の磁化を反転させ記録動作を実行する。 - 特許庁

In the MR pulse sequence, phases of RF alternate with each other, rewinding of inclined magnetic field is used for the inclined magnetic field for phase encoding, inclined magnetic field for slice selection and for the readout magnetic field, thus the time integral of each inclined magnetic field is zero at the center of each RF pulse, and accordingly the magnetization of the heart and blood maintains a stationary state.例文帳に追加

ＭＲパルスシーケンスではＲＦの位相が交替し、傾斜磁場のリワインディングが位相エンコード用傾斜磁場、スライス選択用傾斜磁場、および読み出し磁場に対して使用され、それにより各傾斜磁場の時間積分は各ＲＦパルスの中心においてゼロであって、従い心臓および血液の磁化は定常状態を維持する。 - 特許庁

An antiferromagnetic layer 24 that can cause a switched connection bias between it and a free magnetic layer 23 of each of the magnetic resistance effect elements to be generated without anneal processing in the magnetic field and the magnetizing directions of the free magnetic layers 23 to be aligned with the sensitivity axis directions in a state permitting variations of magnetization is disposed on the upper faces of the free magnetic layers 23.例文帳に追加

各磁気抵抗効果素子のフリー磁性層２３の上面には、フリー磁性層２３との間で磁場中でのアニール処理を行うことなく交換結合バイアスを生じさせ各フリー磁性層２３の磁化方向を磁化変動可能な状態で感度軸方向に対して直交方向に揃えることができる反強磁性層２４が設けられている。 - 特許庁

In a device and a method for detecting the torque of an elastic shaft 2 generating a magnetostrictive effect under the action of torsional stress by an electromagnetic sensor 1, the torque of the shaft 2 is determined from magnetic anisotropy by at least one magnetization means 3 for magnetizing a shaft material to a complete saturation state, and detection coils 4a and 4b for detecting the magnetic characteristic of the shaft material.例文帳に追加

ねじり応力の作用下で磁歪効果を発現する弾性シャフト２のトルクを電磁センサ１により検出する装置及び方法では，シャフト材料を完全飽和状態まで磁化するための少なくとも１個の磁化手段３と，シャフト材料の磁気特性を検出するための検出コイル４ａ，４ｂとにより，磁気異方性からシャフト２のトルクを決定する。 - 特許庁