例文 (172件) |
magnetization stateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 172件
A rotor 1b, where a plurality of N and S poles are magnetized, rotates following the change of the magnetization state of excitation coils 1a1 and 1a2.例文帳に追加
NS極が複数着磁された回転子1bが、励磁コイル1a1、1a2の励磁状態の変化に追従して回転する。 - 特許庁
A thin-film magnetic material where volume changes depending on a magnetization direction is used as a recording layer, and a multiple-value magnetic recording medium for taking a four-value state due to a magnetization arrangement where magnetization is in up/down directions vertical to a film surface or left/right directions horizontal to the direction of the film surface is manufactured.例文帳に追加
磁化方向に依存して体積が変化する薄膜磁性材料を記録層とし、磁化が膜面垂直な上下方向あるいは膜面方向に水平な左右方向の磁化配列による4値の状態をとりうる多値磁気記録媒体を作製する。 - 特許庁
The adjustment means is configured to be able to increase the magnetization of the permanent magnet 9 so that the permanent magnet 9 in an irreversible demagnetization state may be restored to a reversible demagnetization state.例文帳に追加
調整手段は、不可逆減磁状態となった永久磁石9が可逆減磁状態に復帰するように当該永久磁石9を増磁可能に構成されている。 - 特許庁
The optimal write currents are easily set so as not to adversely affect the magnetization state of other magnetic memory cells.例文帳に追加
これにより、他の磁気メモリセルの磁化状態に対して悪影響を与えることのない最適な書込電流の設定が容易になされる。 - 特許庁
The magnetic field can be applied continuously to the magnetostrictive actuator from the core by the residual magnetization, and a flexible state is maintained in the magnetostrictive element piece.例文帳に追加
この残留磁化により、コアから磁歪アクチュエータに磁界を印加し続けることができ、磁歪素片は撓んだ状態が維持される。 - 特許庁
The magnetization state of the magnetic material is controlled by applying a pulse current applying a weak magnetic field for a ferromagnetic body from the outside.例文帳に追加
強磁性体に対して、外部から弱磁場を印加しつつ、パルス電流を印加することで、強磁性体の磁化状態を制御する。 - 特許庁
To provide a magnetic field applying device which is suitable for setting efficiently a perpendicular magnetic recording layer such as a magnetic disk to be in a random magnetization state.例文帳に追加
磁気ディスクなどの垂直磁気記録層を効率よくランダム磁化状態とするのに適した磁界印加装置を提供すること。 - 特許庁
The device is equipped with a detection part for detecting an alignment state of magnetization in each part of the storage medium, and an alignment state recording part for recording the alignment state detected by the above detection part on the storage medium.例文帳に追加
記憶媒体上の各部分における磁化の整列状態を検知する検知部と、 上記検知部によって検知された整列状態を上記記憶媒体に記録する整列状態記録部とを備えた。 - 特許庁
In a temperature range less than 40K, light irradiation generates magnetization at a light irradiation portion 4 of a recording layer 3, and the light irradiation portion 4 (ferromagnetic state portion), having different magnetization from the portions therearound (paramagnetic state), is set as a recording mark, which allows information to be recorded on the recording layer 3.例文帳に追加
40K未満の温度領域において、光照射によって記録層3の光照射箇所4に磁化が発生し、その周囲(常磁性状態)との磁化が異なる光照射箇所4(強磁性状態部分)を記録マークとすることで、記録層3に情報を記録できる。 - 特許庁
Also, since both the ends of an axial direction of the cylinder 32 are in open state in the single-body state, a magnetization coil is disposed over the entire length of the axial direction of the driving magnet 34, and a sinusoidal magnetization waveform can be applied over the entire length of the axial direction of the driving magnet 34.例文帳に追加
又、円筒部32単体では、その軸方向両端部が開放されていることから、着磁コイルを駆動用マグネット34の軸方向全長にわたって配置し、駆動用マグネット34の軸方向全長にわたり、正弦波形状の着磁波形を施すことが可能となる。 - 特許庁
The reference element has such a structure as a tunnel insulation layer is sandwiched by a free magnetization layer and a fixed magnetization layer, has a resistance between the resistance in the low resistance state and the resistance in the high resistance state of the magnetoresistive element, and has a planar shape elongated in a second direction perpendicular to the first direction.例文帳に追加
基準素子は、トンネル絶縁層を自由磁化層と固定磁化層とで挟んだ構造を有し、磁気抵抗素子の低抵抗状態の抵抗と高抵抗状態の抵抗との間の抵抗を有し、第1の方向と直交する第2の方向に長い平面形状を有する。 - 特許庁
Sub-lattice magnetization of transition metal of the first to third magnetic layers and sub-lattice magnetization of rare earth metal are oriented to the same direction, the first to third magnetic layers are regarded as one magnetic material from such a magnetization state and activation volume in this case become for three layers of the first to third magnetic layers.例文帳に追加
第1磁性層〜第3磁性層の遷移金属の副格子磁化及び希土類金属の副格子磁化はそれぞれ同方向に配向しており、かかる磁化状態からすると、第1磁性層〜第3磁性層を1つの磁性体とみなすことができ、この場合の活性化体積は第1〜第3磁性層の3層分となる。 - 特許庁
The magnetic material 13a is disposed opposite to an armature 11 within the yoke housing 15, and can be magnetized, in a state where the yoke housing 15 of a motor 1 is disposed between magnetization planes 42, 45 facing a pair of the magnetization iron cores 41, 44.例文帳に追加
一対の着磁鉄心41,44の対向する着磁面42,45間にモータ1のヨークハウジング15を配置した状態で、ヨークハウジング15内にアーマチャ11と対向して配設された磁性材13aを着磁することができる。 - 特許庁
In this state, opposed positions of the end faces of the magnetization heads 16a, 16b against the side face of the magnetization member 18 are intermittently moved by a rotational angle pitch P in the circumferential direction in order of (A)→(B)→(C).例文帳に追加
この状態で、(A)→(B)→(C)の順に示す様に、上記磁性部材18の側面に対する上記両着磁ヘッド16a、16bの先端面の対向位置を、円周方向に関して回転角ピッチPずつ間欠的に移動させる。 - 特許庁
A memory element (19) temporarily sets (110, 210) the magnetization of the reference layer in a known direction, and can be read by deciding (112, 212) a resistance state of the element.例文帳に追加
メモリ素子(10)は、基準層の磁化を既知の向きに一時的に設定し(110,210)、素子の抵抗状態を判定する(112,212)ことにより読み出され得る。 - 特許庁
The state of memory in an individual memory cell corresponds to one of two stable orientations of magnetization within a plane of the switching layer of the ferromagnetic film.例文帳に追加
個々のセル内のメモリー状態は強磁性膜スイッチング層の面内における磁化の2つの安定した配向の1つに対応している。 - 特許庁
When non-writing operation is performed, the free ferromagnetic layer 8 and the ferromagnetic layer 4 are coupled with each other in the state of a static magnetic field, and the direction of magnetization of the layer 8 is stabilized.例文帳に追加
非書き込み動作時において、自由強磁性層8と強磁性層4とは静磁的に結合し、磁化の方向が安定化する。 - 特許庁
This magnetization device 300 is provided with a magnet aggregate 10pair including a plurality of permanent magnets held in a state where the same polarities contact one another.例文帳に追加
着磁装置(300)は、同極同士が互いに接した状態で保持された複数の永久磁石を含む磁石集合体(10pair)を備える。 - 特許庁
To provide a method for inspecting a thin film magnetic head whose characteristic can be inspected in the state in which the magnetization direction of a hard bias layer is stabilized.例文帳に追加
ハードバイアス層の磁化方向を安定にした状態で特性を検査することができる薄膜磁気ヘッドの検査方法を提供すること。 - 特許庁
A record element MRa is located on the first plug, is composed of a plurality of laminated layers, and keeps information correspondent to its state of inside magnetization.例文帳に追加
記録素子MRaは、第1プラグ上に設けられ、積層された複数の層から構成され、内部の磁化の状態に応じて情報を保持する。 - 特許庁
To provide a disk storage which can realize a magnetization test function which automatically performs a test mode to detect the magnetized state of a write head.例文帳に追加
ライトヘッドの帯磁状態を検出するテストモードを自動的に実行する帯磁テスト機能を実現できるディスク記憶装置を提供することにある。 - 特許庁
In the electronic circuit, a voltage applied between the gate and source of the field-effect transistor 20 can be controlled with the magnetization state of the magnetoresistive element 10.例文帳に追加
本発明によれば、磁気抵抗素子10の磁化状態により、電界効果トランジスタ20のゲート−ソース間に印加される電圧を制御できる。 - 特許庁
To provide a fluid magnetization processing tool which can be mounted to a pipe in a proper state corresponding to an outer diameter though the outer diameters of the pipe through which fluid flows is different.例文帳に追加
流体が流れる管の外径が大小異なっても、外径に対応させた適正な状態で装着できる流体磁化処理具を提供する。 - 特許庁
To analyze transitional change of a micro-magnetization state while moving one of a plurality of magnetic substance such as a recording medium and a recording head in an arbitrary direction.例文帳に追加
記録媒体と記録ヘッドのような複数の磁性体の1つを任意方向に移動しながらマイクロ磁化状態の過渡的変化を解析可能とする。 - 特許庁
The magnetic memory element generates a leakage magnetic field in a parallel magnetization state, so the leakage magnetic field is made to operate on a permanent magnet to generate power.例文帳に追加
磁気メモリ素子は磁化状態が平行状態のときに漏洩磁界が生じるため、当該漏洩磁界を永久磁石に作用させて動力を発生する。 - 特許庁
By applying an external magnetic field, occurrence probability of magnetization state inversion for pulse current conduction has hysteresis, and is surely controllable.例文帳に追加
外部磁場をかけることで、パルス電流通電に対する磁化状態反転の発生確率はヒステリシスを有するようになり、確実に制御可能である。 - 特許庁
The flux contents of the permanent magnet 9 is adjusted by demagnetizing or magnetizing the magnetization state of the magnet 9b with a small coercive force by an external magnetic field.例文帳に追加
保磁力が小さい磁石9bの磁化状態を、外部磁界により減磁または増磁することで、永久磁石9の磁束量を調整する。 - 特許庁
To provide a magnetic measuring apparatus for accurately measuring magnetization signals from measurement targets while contact of the measurement targets is in an appropriate state.例文帳に追加
測定対象物への接触が適正な状態で、測定対象物からの磁化信号を正確に測定できる磁気測定装置を提供する。 - 特許庁
The current drive capability of the field-effect transistor 20 can be controlled by the magnetization state, so that the electronic circuit can operate as the spin transistor in a pseudo manner.例文帳に追加
電界効果トランジスタ20の電流駆動能力をの磁化状態で制御できることから擬似的にスピントランジスタとしての動作が可能となる。 - 特許庁
The distance between the center of the portion wherein the magnetization state of the magnetic resistance element is changed and the center of the portion wherein the current of the word line flows mainly is made smaller than the distance between the center of the portion wherein the magnetization state of the magnetic resistance element is changed and the center of the portion wherein the current of the bit line flows mainly.例文帳に追加
そして、磁気抵抗素子の磁化状態が変化する部分の中心とワード線の主に電流が流れる部分の中心との距離は、磁気抵抗素子の磁化状態が変化する部分の中心とビット線の主に電流が流れる部分の中心との距離より短くなっている。 - 特許庁
In this magnetization characteristic measuring device 1, the measuring object 100 is irradiated with light through a polarizer 12, and reflected light from the measuring object 100 is received through a polarizer 15, to thereby measure the magnetization state of the measuring object.例文帳に追加
被測定物100に対して偏光子12を介して光を照射するとともに、前記被測定物100からの反射光を検光子15を介して受光することで、被測定物100の磁化状態を測定する磁化特性測定装置1である。 - 特許庁
A magnetization direction of fixing layers of four magnetoresistive elements GMR1-GMR4 is intersected with a magnetic pole arrangement direction Mh on a magnetic scale 5, and in the state that the outside magnetic field does not act, a magnetization direction of a free layer is the same direction as that of the fixing layer.例文帳に追加
4個の磁気抵抗効果素子GMR1〜GMR4の固定層の磁化方向は、磁気スケール5上での磁極配列方向Mhと交差し、外部磁界が作用しない状態での自由層の磁化方向は、固定層の磁化方向と同一方向とする。 - 特許庁
When the external magnetic field for reproduction is applied in the state (C) in the direction shown by the arrow FR, all of the magnetic layer 10 for control, free layer 12, and pin layer 16 have the magnetization direction opposite to the external magnetic field FR and the magnetization direction of the free layer 12 having small coercive force is inverted.例文帳に追加
(C)の状態で矢印FRの再生用外部磁界を印加した場合は、制御用磁性層10,フリー層12,ピン層16のいずれも、外部磁界FRと磁化方向が逆となり、保磁力の小さいフリー層12は磁化方向が逆転する。 - 特許庁
Since the LL1 and LL2 are ferromagnetically coupled across a ferromagnetically coupled layer 125, the magnetizations of the LL1 and LL2 remain parallel in each remanent magnetic state, but are antiparallel to magnetization of the UL in each remanent magnetic state.例文帳に追加
LL1とLL2は強磁性結合層125を越えて強磁性結合されているので、LL1及びLL2の磁化はそれぞれの残留磁気状態において平行を保つが、それぞれの残留磁気状態においてULの磁化とは反平行である。 - 特許庁
A flip angle less than 180°C is used for a first inverted pulse, and the apparatus is driven so that the magnetization of the suppressed tissue is immediately a condition for the steady state.例文帳に追加
第1の反転パルスに対しては180°未満のフリップ角を使用し、抑制組織の磁化が直ちに定常状態の条件になるように駆動させている。 - 特許庁
To provide a magnetic sensor of orthogonal fluxgate system capable of successively and stably measuring an external magnetic field regardless of the magnetization direction of a magnetic sensitive body in a multi-domain state.例文帳に追加
感磁体の多磁区状態における磁化の向きによらず、継続的に安定して外部磁界の測定が可能な直交フラックスゲート方式の磁気センサを提供する。 - 特許庁
A state in which the magnetization direction of the pinned layer 34 is tilted by a disturbance can be suppressed by setting the length in terms of the depth for the pinned layer 34 longer.例文帳に追加
このようにピンド層34の奥行き方向の長さを長く設定しておくことで、外乱によってピンド層34の磁化方向が傾く事態を抑制することができる。 - 特許庁
To provide a magnetoresistive element that is used as a magnetic memory element or the like, has a stable magnetization state, and can stably record information with low current consumption.例文帳に追加
磁気メモリ素子などとして使用され、磁化状態が安定であるとともに情報の記録を低消費電流で安定して行うことができる磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁
The device has multi-layer film structure (13, 14) and uses a recording film in which difference is caused in a magnetization state by that multi-structure is destroyed locally by heat sources of a laser beam or the like.例文帳に追加
多層膜構造(13,14)を有し、レーザー光等の熱源により局所的に多層構造が崩れる事で磁化状態に差異を生じる記録膜を用いる。 - 特許庁
To provide a motor control apparatus that prevents the generation of noise when changing a magnetization state of a permanent magnet that is disposed in a rotor and has low coercive force.例文帳に追加
ロータに配置されている低保磁力の永久磁石の着磁状態を変化させる場合に、騒音の発生を防止できるモータ制御装置を提供する。 - 特許庁
The zero signal part is formed by providing the period for turning off a recording current of a head when recording the servo pattern, for the disk initialized to the zero magnetization state in advance.例文帳に追加
ゼロ信号部分は、あらかじめゼロ磁化状態に初期化されたディスクに対して、サーボパターンを記録する際にヘッドの記録電流をオフにするタイミングを設けて形成する。 - 特許庁
After a compression mechanism of a compressor is assembled, the rotor is magnetized by a dedicated magnetization coil in a state that the rotor is fitted to a rotary shaft.例文帳に追加
本発明によれば、圧縮機の圧縮機構部を組み立て後、回転軸に回転子を嵌合した状態において着磁専用コイルにて回転子の着磁を行なう。 - 特許庁
The magnet element 20 changes in the magnetized state in the circumferential direction, and the intensity of magnetization is detected by a magnetism detector 15 to detect rocking displacement of the actuator 14.例文帳に追加
磁石素子20は、周方向に磁化状態が変化し、磁気検出器15による磁化の強さの検出で、アクチュエータ14の揺動変位を検知することができる。 - 特許庁
A plane of the substrate 1 is provided with a tunnel-type magnetoresistive element (TMR element) 3 that has a free layer and a pin layer and generates detection output, according to the magnetization state.例文帳に追加
基板1の平面には、フリー層とピン層を持ち、その磁化状態に応じた検知出力を発生させるトンネル型磁気抵抗素子(TMR素子)3を設ける。 - 特許庁
To make antiparallel the direction of magnetization of a pair of ferromagnetic layers, in a state with an external magnetic field not being applied, and to suppress the occurrence of sudden output changes.例文帳に追加
外部からの磁界が印加されない状態で一対の強磁性層の磁化の方向を互いに反平行にし、且つ突発的な出力の変化の発生を抑制する。 - 特許庁
The ferromagnetic body can be switched to a single magnetization state and multi-magnetic-section structure by controlling direction/intensity of applied magnetic field and current-intensity/pulse width of the pulse current.例文帳に追加
印加磁場の向き・強さとパルス電流の電流強度・パルス幅を制御することで、強磁性体を単一磁化状態と多磁区構造の切り替えが可能である。 - 特許庁
To achieve high quality magnetic transfer by suppressing an inversion phenomenon to a direction reverse to an initial magnetization direction of a magnetic recording medium corresponding to an uneven area of a master carrier accompanying a deviation when adhering to the master carrier in a residual magnetization state of a multi-domain structure, and by improving a degree of separation of a transfer pattern.例文帳に追加
マルチドメイン構造の残留磁化状態のマスター担体との密着時のズレに伴うマスター担体の凹領域に対応する磁気記録媒体の初期磁化方向と逆方向への反転現象を抑制し、転写パターンの分離度を向上し、高品質な磁気転写を可能とする。 - 特許庁
When an external magnetic field for reproduction is applied in the state (A) in the direction shown by an arrow FR, all of a magnetic layer 10 for control, a free layer 12, and a pin layer 16 have the same magnetization direction with the external magnetic field FR and information is read out without inverting the magnetization of the free layer 12.例文帳に追加
(A)の状態で矢印FR方向の再生用外部磁界を印加した場合は、制御用磁性層10,フリー層12,ピン層16のいずれも、外部磁界FRと磁化方向が同一であり、フリー層12が磁化反転することなく情報が読み出される。 - 特許庁
The arc-shaped rear-earth magnets formed by compression molding, containing more rare-earth-iron quenching-solidified thin pieces, have such a property where remnant magnetic flux density Br and coercive force HC further increase simultaneously as a function of magnetization fields, and obtains balanced demagnetizing curves, even in an saturated magnetization state.例文帳に追加
より多くの希土類−鉄系急冷凝固薄片を含む圧縮成形による円弧状希土類磁石は、着磁界の関数として残留磁束密度Brと保磁力Hcとが同時にさらに大きくなる性質をもち、仮に未飽和着磁状態でもバランスのよい減磁曲線が得られる。 - 特許庁
In order to control the voltage of the magnetization state of a certain magnetic element, the magnetic property of a transfer layer is controlled by applying an electric field to the transfer layer by using the transfer layer having a magnetic order at least together with a ferroelectricity, and the magnetization direction of the magnetic element brought into contact with the transfer layer is changed.例文帳に追加
ある磁性体の磁化状態の電圧制御を行うために、少なくとも強誘電性とともに、磁気秩序を有する転移層を用い、転移層への電界印可により、転移層の磁性を制御し、且つ転移層と接する磁性体の磁化方向を変化させる。 - 特許庁
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