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P-3Pとは 意味・読み方・使い方
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「P-3P」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 14件
Further, the p^+-type diffusion layer 3p is in contact with the n^+-type diffusion layer 4n.例文帳に追加
また、p^+型拡散層3pがn^+型拡散層4nと接触している。 - 特許庁
In the separation part 30, an N^+ layer 3N, silicon 11, and a P^+ layer 3P are arranged alongside in this order in the X-direction.例文帳に追加
分離部30には、N+層3N、シリコン11およびP+層3Pが、この順で、X方向に並んで配置される。 - 特許庁
The bipolar structure consisting of P+ source drain regions 19, 19 and an N well 9 is the same at PMOS transistors 3p, 5p.例文帳に追加
P+ソースドレイン領域19,19及びNウェル9からなるバイポーラ構造はPMOSトランジスタ3p,5pで同じである。 - 特許庁
The p^+-type diffusion layer 3p forms the source/drain of an MIS transistor, and the n^+-type diffusion layer 4n forms a tap TP1.例文帳に追加
p^+型拡散層3pはMISトランジスタのソース/ドレインを構成し、n^+型拡散層4nはタップTP1を構成する。 - 特許庁
The sacrifice insulating film 5 is removed thereafter, and a silicon layer 7 is selectively epitaxially grown on the p^- well 3p and the strain SiGe layer 6.例文帳に追加
その後、犠牲絶縁膜5を除去し、P^−ウェル3p上及び歪SiGe層6上にシリコン層7を選択エピタキシャル成長させる。 - 特許庁
A standard cell CL is provided in an n-type well 2n, and has a p^+-type diffusion layer 3p and an n^+-type diffusion layer 4n covered with a metal silicide film.例文帳に追加
スタンダードセルCLは、n型ウエル2nに設けられ、金属シリサイド膜で覆われたp^+型拡散層3pおよびn^+型拡散層4nを有している。 - 特許庁
The thin optoelectronic transducer unit 3 includes a p-type silicon layer 3p formed on the transparent conductive oxide layer 2, an i-type thin optoelectronic transducer layer 3i consisting substantially of the p-type silicon layer 3p, and an n-type silicon layer 3n made of the thin optoelectronic transducer layer 3i.例文帳に追加
光電変換ユニット(3)は、透明導電性酸化物層(2)の上に形成されたp型シリコン層(3p)と、p型シリコン層(3p)の上に形成された実質的に多結晶シリコンからなるi型光電変換層(3i)と、光電変換層(3i)の上に形成されたn型シリコン層(3n)とを含む。 - 特許庁
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マイクロソフト用語集での「P-3P」の意味 |
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P3P
対訳 P3P
解説
An open privacy specification developed and administered by the World Wide Web Consortium (W3C) that, when implemented, enables people to make informed decisions about how they want to share personal information with websites.
コンピューター用語辞典での「P-3P」の意味 |
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「P-3P」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 14件
A sacrifice insulating film 5 is formed on the surface of an n^- well 3n and p^- well 3p, and then the sacrifice insulating film 5 is made to remain only in an n-type region 2n by wet etching.例文帳に追加
N^−ウェル3n及びP^−ウェル3pの表面に犠牲絶縁膜5を形成した後、ウェットエッチングにより、犠牲絶縁膜5をN型領域2n内にのみ残存させる。 - 特許庁
The p^+-type diffusion layer 3p is electrically connected with a wiring layer 6a via a contact 7p, and the n^+-type diffusion layer 4n is electrically connected with a wiring layer 6 via a contact 7.例文帳に追加
p^+型拡散層3pは、コンタクト7pを介して配線層6aと電気的に接続されており、n^+型拡散層4nは、コンタクト7を介して配線層6と電気的に接続されている。 - 特許庁
In the semiconductor device having a high performance field-effect transistor in which a channel region is formed of a carbon nanotube 1, chirality (n, m) of the carbon nanotube 1 is represented by n-m=3p+1, or n-m=3p-1 where p is an integer, and tensile or compression distortion occurs in the direction parallel with the carbon nanotube.例文帳に追加
チャネル領域がカーボンナノチューブ1で形成された電界効果トランジスタを有する半導体装置であって、カーボンナノチューブ1のカイラリティ(n,m)がpを整数としてn−m=3p+1で、あるいは、n−m=3p−1で表され、カーボンナノチューブの軸と平行方向に引張り、あるいは、圧縮ひずみが加わっていることを特徴とする半導体装置。 - 特許庁
The class D amplifier 1 includes: a differential signal output section 2 for outputting a differential signal from an audio signal received from a Sin; and charge balancing class D amplifiers 3N, 3P of P and N sides for outputting differential signals.例文帳に追加
D級アンプ1は、Sinより入力される音声信号から差動信号を出力する差動信号出力部2と、差動信号が出力されるP側、N側の各電荷平衡型D級アンプ3N、3Pとを有する。 - 特許庁
A p-pad electrode 12a of a red semiconductor laser element 1 and a first terminal 1P are connected by a wire 1Wa, a p-pad electrode 22a of an infrared semiconductor laser element 2 and a second terminal 2P are connected by a wire 2Wa, and a p-type electrode 32 of a blue-violet semiconductor laser element 3 and a third terminal 3P are connected by a wire 3W.例文帳に追加
赤色半導体レーザ素子1のp型パッド電極12aと第1の端子1Pとがワイヤ1Waにより接続され、赤外半導体レーザ素子2のp型パッド電極22aと第2の端子2Pとがワイヤ2Waにより接続され、青紫色半導体レーザ素子3のp電極32と第3の端子3Pとがワイヤ3Wにより接続される。 - 特許庁
In the data inversion circuit, each P pieces of data comparison means 21, 22-(2P), majority decision means 31, 32-(3P), inverted flag generating means 41, 42-(4P) and data inversion means 51, 52-(5P) are in existence, respectively, and each of them is operated in parallel in a single cycle.例文帳に追加
データ比較手段21、22、…2P、多数判定手段31、32、…3P、反転フラグ生成手段41、42、…4P、データ反転手段51、52、…5PをそれぞれP個づつ存在させ、それぞれを一つのサイクル内で並列的に動作させる。 - 特許庁
To provide a printer for shelf tags which eliminates the need of holding a plurality of kinds of papers for shelf tags by forming shelf tags 16, 17 and 18 of different pitch lengths P, 2P and 3P to a continuous body for shelf tags 2 of one kind and can limit costs, and to provide a printing using the same.例文帳に追加
ピッチ長P、2P、3Pが長短異なる棚札16、17、18を、一種類の棚札用連続体2により作成し、棚札用の用紙を複数種保有する必要がなく、コストの抑制を図ることができる棚札用プリンターおよびその印字方法を提供すること。 - 特許庁
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