| 意味 | 例文 (101件) |
PN-3とは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 PN-3は、アーウィオテハスの製作による1938年のエストニアの試作戦闘機である。
遺伝子名称シソーラスでの「PN-3」の意味 |
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PN3
| human | 遺伝子名 | PN3 |
| 同義語（エイリアス） | sodium channel, voltage-gated, type X, alpha; Peripheral nerve sodium channel 3; Voltage-gated sodium channel subunit alpha Nav1.8; Sodium channel protein type X subunit alpha; type X; hPN3; Sodium channel protein type 10 subunit alpha; SCN10A | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:Q9Y5Y9 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:6336 | |
| その他のDBのID | HGNC:10582 |
| mouse | 遺伝子名 | PN3 |
| 同義語（エイリアス） | Sensory neuron sodium channel; Nav1.8; SNS; Scn10a; Sodium channel protein type 10 subunit alpha; sodium channel, voltage-gated, type X, alpha; Pn3; Peripheral nerve sodium channel 3; Sodium channel protein type X subunit alpha; Voltage-gated sodium channel subunit alpha Nav1.8; Sns | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:Q6QIY3 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:20264 | |
| その他のDBのID | MGI:108029 |
| rat | 遺伝子名 | PN3 |
| 同義語（エイリアス） | Na(V)1.8; Sensory neuron sodium channel; Scn10a; Sodium channel protein type 10 subunit alpha; sodium channel type X alpha polypeptide; Pn3; Peripheral nerve sodium channel 3; Sodium channel protein type X subunit alpha; Voltage-gated sodium channel subunit alpha Nav1.8; Sns | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:Q62968 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:29571 | |
| その他のDBのID | RGD:3629 |
本文中に表示されているデータベースの説明
「PN-3」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 101件
Similarly, an ocean current speed vector <VTn-1> at a position <Pn-1> is read out of the data base part 3, and a position <Pn> at an optional elapsed time tn is found one by one by a general formula <Pn>=<Pn-1>+<VTn-1>×(tn-tn-1).例文帳に追加
以下同様に、位置＜Ｐn-1＞における海流速度ベクトル＜ＶＴn-1＞をデータベース部３から読み出し、一般式＜Ｐn＞＝＜Ｐn-1＞＋＜ＶＴn-1＞×（ｔn−ｔn-1）により任意の経過時刻ｔnにおける位置＜Ｐn＞を順次求める。 - 特許庁
The pressure regions for learning an infinitesimal injection amount of a fuel injection valve is constituted of a plurality of pressure regions (Pn, Pn+1, Pn+2, Pn+3, etc.,) from the high-pressure side, and the fuel injection valve performs multi-stage injection before main injection.例文帳に追加
メイン噴射の前に多段噴射を行う燃料噴射弁の微少噴射量を学習可能な圧力範囲は、高圧側から複数の圧力領域（Ｐｎ、Ｐｎ＋１、Ｐｎ＋２、Ｐｎ＋３・・・）により構成されている。 - 特許庁
The power semiconductor device is provided with a pn junction between two sets of power electrodes (2, 3).例文帳に追加
パワー半導体デバイスは、２つのパワー電極（２、３）間にｐｎ接合を有している。 - 特許庁
An annular gate electrode 6 is provided above pn-junction portions 22 between the side surfaces of the p-type body region 4 and the n-type drift region 3 along the pn-junction portions 22.例文帳に追加
ｐ型ボディ領域４の側面とｎ型ドリフト領域３とのｐｎ接合部２２の上方に、そのｐｎ接合部２２に沿って、環状のゲート電極６が設けられる。 - 特許庁
If the PN code becomes out of tracking, a demodulation part 6 reads phase control information before the PN code gets out of tracking out of the phase control information storage part 5 and uses the information to control the PN code generator 3.例文帳に追加
復調部６は、ＰＮ符号のトラッキングが外れた場合には、トラッキングが外れる前の位相制御情報を位相制御情報記憶部５から読み出し、その情報を用いてＰＮ符号発生器３の制御を行う。 - 特許庁
A plurality of bus masters P0 to PN-1, a bus controller 15 and an access target 3 are connected to a shared bus 1.例文帳に追加
共有バス１には、複数のバスマスタＰ０〜ＰＮ−１、バスコントローラ１５およびアクセスターゲット３を接続する。 - 特許庁
A plurality of photodiodes 3 are formed on a p-type semiconductor substrate 1 by using pn junction, and a microlens 7 is arranged on each photodiode 3 for condensing incident light to a depletion layer region 4 formed at the pn junction of the photodiode 3.例文帳に追加
ＰＮ接合を用いてＰ型半導体基板１上に複数のフォトダイオード３を形成し、入射光をフォトダイオード３のＰＮ接合部に形成されている空乏層領域４に集光するマイクロレンズ７をフォトダイオード３の上にそれぞれ配置する。 - 特許庁
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「PN-3」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 101件
A varistor consisting of pn junctions 3 and 5 is fabricated and a GaN based III-V nitride semiconductor is employed as the semiconductor material of p-type semiconductor layers 2 and 6 and an n-type semiconductor layer 4 constituting the pn junctions 3 and 5.例文帳に追加
ｐｎ接合３、５からなるバリスタを作製し、ｐｎ接合３、５を構成するｐ型半導体層２、６及びｎ型半導体層４を構成する半導体材料にＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を用いる。 - 特許庁
A part of the cathode layer 1 located at the pn-junction between the cathode layer 1 and the anode layer 2 serves as a light receiving region 3.例文帳に追加
カソード層１とアノード層２とのｐｎ接合間に位置するカソード層１の部分が受光領域３である。 - 特許庁
The carrier concentration near the pn junction of the low carrier concentration p type InP layer 26 is equal to or less than 5×10^17 cm^-3.例文帳に追加
低キャリア濃度ｐ型ＩｎＰ層２６のｐｎ接合近辺のキャリア濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁
(3) There is provided an (n) stopper region which reaches a low resistance layer outside the active region in a vertical direction of the parallel pn layer.例文帳に追加
（３）活性領域の外側に並列ｐｎ層に垂直方向に、低抵抗層まで達するｎストッパ領域 を設ける。 - 特許庁
A selection circuit 12 of its own station side outputs data from its own station terminal 3, when a control signal is set and outputs a PN pattern generated by a PN pattern generating circuit 11, when the control signal is reset.例文帳に追加
自局側の選択回路１２は制御信号がオンの時に自局端末装置３からのデータを出力し、制御信号がオフの時にＰＮパターン生成回路１１が生成するＰＮパターンを出力する。 - 特許庁
NMR measurement is carried out on the mixture of polypeptide Pn composited in (2) and the mixture of polypeptide Pn' synthesized in (3), and the signal intensity ratio among corresponding signals is calculated, and the assignment of each signal is decided.例文帳に追加
２）で合成したポリペプチドＰｎの混合物と３）で合成したポリペプチドＰｎ’の混合物についてそれぞれＮＭＲ測定を行い、対応するシグナル間のシグナル強度比を計算して各シグナルの帰属を決定する。 - 特許庁
The organic thin-film solar cell comprises a pn junction between acene system or acene system substituent compound 3 and C60 fullerene 4, and a pn junction between rubrene and C60 fullerene.例文帳に追加
本発明では、アセン系又はアセン系置換化合物３とＣ６０フラーレン４とのＰＮ接合を備えた有機薄膜太陽電池とすることにより、高開放電圧を有する有機薄膜太陽電池が可能となった。 - 特許庁
Next, during a code period (period 4) following the code period (period 3), a phase of the reference PN code series is shifted by only the number of chips detected at the code period (period 3).例文帳に追加
次いで、その次の符号周期（周期４）において、前符号周期（周期３）において検出されたチップ数だけ、基準ＰＮ符号系列の位相がシフトされる。 - 特許庁
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