POLYCIDEとは 意味・読み方・使い方

Caps 345 and 445 of silicon nitride are formed on the polycide gates.例文帳に追加

前記ポリサイドゲート上に窒化珪素によるキャップ３４５，４４５を形成する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF POLYCIDE GATE WITH CAP LAYER CONSISTING OF AMORPHOUS SILICON例文帳に追加

非晶質シリコンよりなるキャップ層を有したポリサイドゲートの製造方法 - 特許庁

To realize a method of forming a polycide gate electrode of a semiconductor element, which improves interface roughness between silicide and polycide by caused by the diffusion of a high-melting-point.例文帳に追加

高融点金属の拡散によるシリサイド/ポリシリコン界面の粗さを改善できる半導体素子のポリサイドゲート電極形成方法を提供する。 - 特許庁

POLYCIDE WIRING, METHOD OF FORMING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ポリサイド配線およびその形成方法ならびに半導体装置の製造方法 - 特許庁

To provide an etching method which raises the etching selectivity of a metal silicide film to a polycide film in plasma etching of the polycide film.例文帳に追加

ポリサイド膜をプラズマエッチング方法によりエッチングするとき、ポリシリコン膜に対する金属シリサイド膜のエッチング選択比を高めることのできるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE PROVIDED WITH HIGH MELTING POINT METAL POLYCIDE STRUCTURE AND MANUFACTURE THEREFOR例文帳に追加

高融点金属ポリサイド構造を有する半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

Also, a gate electrode 19 has a polycide structure in which a silicide film is formed on a polysilicon film.例文帳に追加

また、ゲート電極１９はポリシリコン膜上にシリサイド膜を形成したポリサイド構造を有する。 - 特許庁

Gate electrodes 6 and 9 of each transistor are formed of a single W polycide wiring 11.例文帳に追加

各トランジスタのゲート電極６，９は１本のＷポリサイド配線１１によって形成されている。 - 特許庁