Q1bとは 意味・読み方・使い方

Adjusting the threshold voltages Vtn, Vtn' of the N channel MOS transistors Q1a, Q1b can adjust the rising speed of the output signal of the output circuit 3.例文帳に追加

ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ１ａ，Ｑ１ｂのしきい値電圧Ｖｔｎ，Ｖｔｎ′を調整することにより、出力回路３の出力信号の立上がり速度を調整することができる。 - 特許庁

First and second NMOS transistors (Q1a, Q1b) are connected in series between input/output terminals using a common source, and a selection signal (SEL1) is applied to both gates.例文帳に追加

入力／出力端子間に第１、第２のＮＭＯＳトランジスタ（Ｑ１ａ、Ｑ１ｂ）をソースを共通にして直列接続してゲートには共に選択信号（ＳＥＬ１）を印加する。 - 特許庁

The active filter is provided with a pair of differentially connected transistors like HBT transistors Q1A and Q1B constituted so as to have an attenuator resistor 2R and a shunt capacitor CD/2.例文帳に追加

能動フィルタは、縮退抵抗２Ｒ及び分路キャパシタＣ_D／２を有するよう構成された、ＨＢＴトランジスタＱ１Ａ、Ｑ１Ｂのような、１対の差動接続されたトランジスタを含む。 - 特許庁

An inverter part 3 has transistor pairs SW1-SW3 comprising upper transistors Q1a-Q3a and lower transistors Q1b-Q3b for each phase of a motor 51.例文帳に追加

インバータ部３は、上側トランジスタＱ１ａ〜Ｑ３ａ及び下側トランジスタＱ１ｂ〜Ｑ３ｂからなるトランジスタ対ＳＷ１〜ＳＷ３をモータ５１の各相に対応して複数有する。 - 特許庁

When switches S2A, S2B and S1 are turned on at the time of data writing mode and a driving current I_EL flows from a data line DL to the TFT devices Q1B and Q1A, a gate voltage of each TFT device is held in capacitors CHB and CHA respectively.例文帳に追加

データ書込モード時にスイッチＳ２Ａ，Ｓ２Ｂ，Ｓ１がオンし、データ線ＤＬからＴＦＴ素子Ｑ１Ｂ，Ｑ１Ａに駆動電流Ｉ_ＥＬが流れると、各ＴＦＴ素子のゲート電圧がキャパシタＣＨＢ，ＣＨＡにそれぞれ保持される。 - 特許庁

Furthermore, the 2nd switching element Q1b is conductive with a 2nd input signal with a signal level higher than the ground level, and then the 3rd switching element Q1c is conductive to short-circuit the output terminal T01 and the 2nd power supply terminal.例文帳に追加

また、グランド電位よりも高い信号レベルを有する第２の入力信号により第２スイッチング素子Ｑ１ｂが導通し、これにより更に第３スイッチング素子Ｑ１ｃが導通し、出力端子Ｔ０１と第２電源端子間を短絡する。 - 特許庁

A pixel driving circuit 12A includes; a TFT device Q1B arranged between a drain of a TFT device Q1A which is a current source and a node N1B; and a drain voltage rising limiter circuit 14A composed of a capacitance CHB and a switch S2B.例文帳に追加

画素駆動回路１２Ａは、電流源となるＴＦＴ素子Ｑ１ＡのドレインとノードＮ１Ｂとの間に配されるＴＦＴ素子Ｑ１Ｂ、キャパシタＣＨＢおよびスイッチＳ２Ｂからなるドレイン電圧上昇制限回路１４Ａを備える。 - 特許庁

A controller 30 controls the switching operation of the IGBT elements Q1B, Q2B and the step-up converter 12A and controls a selection unit (connecting portions 40A, 40B, system main relays SMRG, SR1G) to charge a battery selected from batteries BA, BB.例文帳に追加

制御装置３０は、ＩＧＢＴ素子Ｑ１Ｂ，Ｑ２Ｂのスイッチング動作と昇圧コンバータ１２Ａとを制御し、かつ選択部（接続部４０Ａ，４０Ｂ、システムメインリレーＳＭＲＧ，ＳＲ１Ｇ）を制御して、バッテリＢＡ，ＢＢのうちの選択されたバッテリを充電する。 - 特許庁