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Quantum concentrationとは 意味・読み方・使い方

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ウィキペディア英語版での「Quantum concentration」の意味

Quantum concentration

出典:『Wikipedia』 (2010/09/21 15:42 UTC 版)

英語による解説
ウィキペディア英語版からの引用

「Quantum concentration」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 21



例文

METHOD FOR MANUFACTURING INFRARED SENSOR, INFRARED SENSOR AND QUANTUM-TYPE INFRARED GAS CONCENTRATION METER例文帳に追加

赤外線センサの製造方法及び赤外線センサ並びに量子型赤外線ガス濃度計 - 特許庁

ALLOYED SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT AND CONCENTRATION-GRADIENT ALLOYED QUANTUM DOT, SERIES INCLUDING THE SAME, AND METHODS RELATED THERETO例文帳に追加

合金化された半導体量子ドットおよび合金化された濃度勾配量子ドット、これらの量子ドットを含むシリーズ、ならびにこれらに関する方法 - 特許庁

The quantum well light emitting layer 13 is lower in oxygen concentration than the InAlGaN layer 19.例文帳に追加

量子井戸発光層13の酸素濃度はInAlGaN層19の酸素濃度より低い。 - 特許庁

The silicon quantum dots are characterized in that the concentration of fluoride ions liberated by a hydrothermal treatment of the silicon quantum dots is100 ppm as measured by a lanthanum-alizarin complexon absorptiometric method.例文帳に追加

シリコン量子ドットの熱水処理により遊離するフッ化物イオン濃度が、ランタン−アリザリンコンプレキソン吸光光度法により100ppm以下であることを特徴とするシリコン量子ドット。 - 特許庁

As the carrier mobility can be increased while the carrier concentration is increased in the quantum well structure, the surface plasmon waves can be propagated longer.例文帳に追加

量子井戸構造ではキャリア濃度を上げながらキャリア移動度を上げることができるため、表面プラズモン波をより長く伝搬できる。 - 特許庁

The quantum well structure has the well layer consisting of InGaAs or GaInNAs, wherein an oxygen concentration of the well layer is no more than10^16 atoms/cm^3.例文帳に追加

量子井戸構造は、InGaAs又はGaInNAsからなる井戸層を有し、井戸層の酸素濃度が5×10^16atoms/cm^3以下である。 - 特許庁

例文

The light emitting device package according to an embodiment of the present invention uses the quantum dot as a wavelength conversion member to thereby achieve superior color reproducibility and light emission efficiency, and facilitates the control of color coordinates by adjusting the particle size and concentration of the quantum dot.例文帳に追加

本発明の一実施例による発光素子パッケージは、波長変換部材として量子点を利用することで色再現性及び発光効率が向上し、量子点の粒度と濃度を調節することで色座標を容易に調節することができる。 - 特許庁

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「Quantum concentration」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 21



例文

If the concentration of the impurity diffusion layer 8 is high, the life time of optical carriers is lowered and it is recombined, before they reach the depletion layer, and disappear, thus lowering the quantum efficiency of the light-receiving element.例文帳に追加

不純物拡散層8が高濃度の場合、光キャリアのライフタイムが低下し、空乏層に到達するまでに再結合して消滅し、受光素子の量子効率が低下する。 - 特許庁

There is provided a fluorescent coloring matter exhibiting high stability (against oxidation reaction, radical reaction, photoreaction or the like) and highly efficient light emission (high absorbance and high quantum efficiency), and capable of being dispersed in a polymer or a liquid crystal solvent in high concentration.例文帳に追加

高安定性(対・酸化反応、ラジカル反応、光反応等)、高効率発光(高吸光度、高量子効率)でポリマーや液晶溶媒に高濃度で分散させることのできる蛍光色素。 - 特許庁

To provide a photo diode which has a shallow pinning layer of high integration and a high concentration, reduces a defect on a surface, and is superior in a quantum efficiency effect per unit area, and a method for manufacturing it.例文帳に追加

高集積、高濃度で浅いピン止め層を有し、表面における欠陥を低減し、単位面積当りの量子効率効果にも優れたフォトダイオード及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A p-AlGaAs first upper cladding layer 108 having a doping concentration of10^18 cm^-3 is formed between the p-AlGaAs second upper cladding layer 109 and a multiple strained quantum well active layer 106.例文帳に追加

p-AlGaAs第2上クラッド層109と多重歪量子井戸活性層106との間に、ドーピング濃度が1×10^18cm^-3のp-AlGaAs第1上クラッド層108を形成する。 - 特許庁

The active region 19 has a region of carrier concentration not higher than10^16 cm^-3 in the light confinement layers 43a, 47a and the quantum well structure section 45a with the total thickness of ≥270 nm.例文帳に追加

活性領域19が、光閉じ込め層43a、47a並びに量子井戸構造部45aに総厚270nm以上の1×10^16cm^−3以下のキャリア濃度の領域を有する。 - 特許庁

To substantially control a dark current, blooming and color mixture when a PWL (p-type well region) structure is employed that deepens the PWL concentration profile, to improve the quantum efficiency of photoelectric conversion in a photo diode.例文帳に追加

PWL(P型のウエル領域)の濃度プロファイルを深くしフォトダイオードでの光電変換の量子効率を向上させるPWL構造を有した場合、暗電流、ブルーミング及び混色などを大幅に抑制する。 - 特許庁

To provide satisfactory matching with a measured result, and to easily adopt this method to a simulator with a fluid model as a base, and to obtain consideration of a quantum phenomenon in which a physically correct result can be obtained for carrier concentration distribution.例文帳に追加

実測結果との整合性が良く、流体モデルを基本としたシミュレータに容易に採用することができ、かつキャリア濃度分布についても物理的に正しい結果を得ることができる量子的現象の考慮を提供する。 - 特許庁

例文

Furthermore, a p-type impurity concentration (cm^-3) is regulated in a range of 1.4×10^17-1.4×10^18, and a distance (nm) from the quantum well layer 6 to a p-type impurity doping layer is adjusted in a range of 100-350.例文帳に追加

また、p型不純物濃度(cm^−3)を1.4×10^17以上1.4×10^18以下の範囲、量子井戸層6からp型不純物ドーピング層までの距離(nm)を100以上350以下の範囲で適宜調整する。 - 特許庁

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「Quantum concentration」の意味に関連した用語

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