RP4とは 意味・読み方・使い方

An allowable maximum relative rotation angle regulated by the lock points RP1, RP2 of link outline parts 31, 32 is set smaller than the allowable maximum relative rotation angle regulated by the lock points RP3, RP4 of the link intermediate column part 33.例文帳に追加

リンク外形部31,32のロックポイントRP1,RP2で規定される許容最大相対回転角がリンク中間柱部33のロックポイントRP3,RP4で規定される許容最大相対回転角よりも小さく設定されている。 - 特許庁

When disturbance NZ such as scratches and depositions is present on an intermediate transfer belt, a registration mark constituting the fourth registration pattern RP4 is partly affected by the disturbance NZ, then, the erroneous detection of the registration pattern RP4 is caused.例文帳に追加

中間転写ベルトに傷や付着物などの外乱ＮＺが存在すると、第４レジストパターンＲＰ4を構成するレジストマークの一部が外乱ＮＺの影響を受けてレジストパターンＲＰ4の誤検出が発生する。 - 特許庁

The lock points regulating the maximum relative rotation angle by abutting on a pin 14 and an interpiece 15 are provided in a total of four points of a front face RP1 of a link front side column part 31, a rear face RP2 of a link rear side column part 32, and a front face RP3 and a rear face RP4 of a link intermediate column part 33.例文帳に追加

ピン14およびインターピース15に当接することで最大相対回転角を規定するロックポイントが、リンク前側柱部31の前面RP1およびリンク後側柱部32の後面RP2と、リンク中間柱部33の前面RP3および後面RP4との計４カ所に設けられている。 - 特許庁

The position of the feature is specified by a representative point Rp4 provided on a link L2 and the offset coordinates Xoff, and Yoff from links.例文帳に追加

地物の位置は、リンクＬ２上に設けられた代表点Ｒｐ４の位置と、リンクからのオフセット座標Ｘｏｆｆ、Ｙｏｆｆによって特定される。 - 特許庁

When RP4 symbols are displayed in a step S370, the game falls into the initial replay state, and when RP6 symbols are displayed in a step S380, a shift into an AT replay state is made.例文帳に追加

ステップＳ３７０でＲＰ４図柄が表示されると初期リプレイ状態に転落し、ステップＳ３８０でＲＰ６図柄が表示されるとＡＴリプレイ状態になる。 - 特許庁

Unless the operation sequence of a stop switch is guided in an RB internal replay state in the step S340, the RP4 symbols are displayed to immediately fall into the initial replay state.例文帳に追加

ステップＳ３４０のＲＢ内部リプレイ状態で停止スイッチの操作順序を案内しなければ、ＲＰ４図柄が表示されて直ぐに初期リプレイ状態に転落する。 - 特許庁

A conductor pattern CP3 including a gate electrode GE2 and an auxiliary pattern AP2 spaced apart by a narrow gap GP1 is formed on a substrate SUB1, an insulating film GIF2 for a gate insulating film is formed so as to cover the same, a resist film RP4 is formed thereon, and the resist film RP4 is exposed from the back surface side of the substrate SUB1.例文帳に追加

基板ＳＵＢ１上に、狭いギャップＧＰ１で離間されたゲート電極ＧＥ２と補助パターンＡＰ２を含む導体パターンＣＰ３を形成してから、それを覆うようにゲート絶縁膜用の絶縁膜ＧＩＦ２を形成し、その上にレジスト膜ＲＰ４を形成し、基板ＳＵＢ１の裏面側からレジスト膜ＲＰ４を露光する。 - 特許庁