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SI isとは 意味・読み方・使い方
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「SI is」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 5081件
Addition conditions: The mol ratio of Mg to Si in the material to be treated is adjusted to Mg/Si≤0.5, and the mole ratio of Ca to Si is adjusted to 0.5≤Ca/Si≤2.0.例文帳に追加
添加条件：前記被処理物質におけるMgとSiのモル比をMg／Si≦0.5に、かつCaとSiのモル比を0.5≦Ca／Si≦2.0に調整する。 - 特許庁
(A); wherein [TS objective value] is the set value of the strength of the steel sheet with Mpa as a unit, and [Si] is the mass% of Si.例文帳に追加
(0.0012×[TS狙い値]-0.29-[Si])/1.45＜Al＜1.5-3*[Si] ・・・(Ａ) ここに、[TS狙い値]は鋼板の強度設計値で単位はMpa、[Si]はSiの質量％ - 特許庁
The Si substrate is constituted in a two layer structure in which a p type high resistance Si layer is laminated on a p type low resistance Si layer.例文帳に追加
Si基板は、p型低抵抗Si層の上にp型高抵抗Si層を積層した２層構造になっている。 - 特許庁
The inequality (1) is denoted by 1.5 (%Mn)-2≤(%Si)≤2(%Mn).例文帳に追加
記 1.5 (％Mn）−２ ≦（％Si) ≦ ２（％Mn） ----（１） - 特許庁
Si(at.%)≤0.5, etc. (1) (wherein *at.% is element %).例文帳に追加
０≦Ｆ(at ％)/Si(at ％) ≦0.5 ・・・・・(1) *at ％：元素％ - 特許庁
An anti-reflection film F of two-layered structure of Si nitride film 9/Si oxide film 8 is formed on the surface of the poly-Si transfer electrode 7.例文帳に追加
ポリSi転送電極7表面に、Si窒化膜9/Si酸化膜8の二層構造の反射防止膜Fが形成されている。 - 特許庁
The surface of iron powder is covered with an oxide film composed of Si-based oxide in which the atomic number ratio between Si and Fe satisfies the following relation: Si/Fe≥0.8.例文帳に追加
鉄粉の表面に、SiとFiの割合が原子数比でSi／Fe≧0.8を満足するSi系酸化物からなる酸化膜を被覆する。 - 特許庁
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「SI is」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 5081件
The phosphate-based zeolite catalyst meets conditions of: a particle size<1 μm; and the particle size (μm)×[Si/(Si+Al+P)]×1,000≤80, wherein [Si/(Si+Al+P)] is a molar ratio.例文帳に追加
粒径＜1μm；及び 粒径(μm)×[Si/(Si＋Al＋P)]×1000≦80；（式中、[Si/(Si＋Al＋P)]はモル比である）の条件を満たすリン酸塩系ゼオライト触媒により上記課題を解決することができる。 - 特許庁
A Si film 20 is vapor-deposited on the entire surface, sand a SiN film 21 is formed, and Si is diffused by heat treatment to constrict a current.例文帳に追加
Si膜20を全面に蒸着し、SiN膜21を形成し、熱処理でSiを拡散させ電流を狭窄する。 - 特許庁
Incident luminous energy of the a-Si TFT 1 is reduced by a filter 3 to delay the progress of light deterioration in the a-Si TFT 1.例文帳に追加
a-Si TFT１の入射光量をフィルタ３で減らし、a-Si TFT１の光劣化の進行を遅らせる。 - 特許庁
An ONO gate insulating film G of three-layered structure composed of Si oxide film 6/Si nitride film 5/Si oxide film 4 is formed on the surface of an N-type CCD channel region 3, and a poly-Si transfer electrode 7 is provided on the ONO gate insulating film G.例文帳に追加
n型CCDチャネル領域3表面に、Si酸化膜6/Si窒化膜5/Si酸化膜4の3層構造のONOゲート絶縁膜Gが形成され、ONOゲート絶縁膜G上に、ポリSi転送電極7を設けている。 - 特許庁
The value of γp(%) satisfies 20 to 65%, which is calculated by formula (1): γp=420X[C]+470X[N]+23X[Ni]+12X[Cu]+7X[Mn]-11.5X([Cr]+[Si])-52X[Al]-49X[Ti]+189, wherein [ ] denotes mass%.例文帳に追加
γp ＝420X[C]+470X[N]+23X[Ni]+12X[Cu]+7X[Mn]-11.5X([Cr]+[Si])-52X[Al]-49X[Ti] +189 ……(1) 。 - 特許庁
The program information is generated by an SI/EPG data generator 17.例文帳に追加
SI/EPGデータジェネレータ１７は、番組情報を生成する。 - 特許庁
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