SIC-1とは 意味・読み方・使い方

After an SiC substrate 10 is set up in a reaction furnace 1, a hydrogen gas is introduced to the furnace 1.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１０を反応炉１に配置し、水素ガスを導入する。 - 特許庁

(1) The dislocation controlling seed crystal 10 comprises α-type SiC.例文帳に追加

（１）転位制御種結晶１０は、α型のＳｉＣからなる。 - 特許庁

The nitride semiconductor element is composed of the SiC substrate 1, and the nitride semiconductor crystal 2 epitaxially grown on the SiC substrate 1.例文帳に追加

窒化物半導体素子は、ＳｉＣ基板１上に窒化物半導体結晶２をエピタキシャル成長させた構造となっている。 - 特許庁

Here, the heat conduction members are; (1) GGG, (2) TiO_2, (3) Al_2O_3, (4) 3C-SiC, (5) 4H-SiC, (6) 6H-SiC, (7) hex.AIN, (8) hex.GaN, and (9) C.例文帳に追加

（１）ＧＧＧ、（２）ＴｉＯ_２、（３）Ａｌ_２Ｏ_３、（４）３Ｃ−ＳｉＣ、（５）４Ｈ−ＳｉＣ、（６）６Ｈ−ＳｉＣ、（７）ｈｅｘ．ＡＩＮ、（８）ｈｅｘ．ＧａＮ、（９）Ｃ - 特許庁

According to a diode element 1 presented here, a p-type SiC anode layer 12, a p-type SiC drift layer 13 and an n+ type SiC cathode layer 14 are formed on an n-type SiC substrate 21 by epitaxial growth and then the n-type SiC substrate 21 is removed.例文帳に追加

このダイオード素子１によれば、ｐ型のＳｉＣアノード層１２,ｐ型のＳｉＣドリフト層１３とｎ＋型ＳｉＣカソード層１４をｎ型ＳｉＣ基板２１上にエピタキシャル成長により形成してから、ｎ型ＳｉＣ基板２１を除去した。 - 特許庁

After a 4H-SiC seed substrate 1 having {03-38} plane exposed is disposed opposite to a SiC raw material 32, a SiC single crystal is grown on the seed substrate 1 by heating and sublimating the SiC raw material 32 to generate a raw material gas while controlling the temperature of the seed substrate 1 to be lower than that of the SiC raw material 32.例文帳に追加

｛０３−３８｝面が露出した４Ｈ−ＳｉＣの種基板１とＳｉＣ原料３２とを対向配置した後、ＳｉＣ原料３２を加熱して昇華させて原料ガスを発生させると共に、種基板１をＳｉＣ原料３２より低い温度にして、種基板１上にＳｉＣ単結晶を成長させる。 - 特許庁

The method for manufacturing the SiC single crystal 10 comprises growing a bulk SiC single crystal on the growth surface of an SiC seed crystal 1 in a growing vessel 5.例文帳に追加

成長容器５内でＳｉＣ種結晶１の成長面上にバルク状のＳｉＣ単結晶を成長させて，ＳｉＣ単結晶１０を製造する方法である。 - 特許庁

The heating element can be obtained, after the obtainment of an SiC sintered compact 1 having prescribed shape and electric specific resistance, by coating the surface of the SiC sintered compact 1 with a plurality layers of SiC thin films 2 to 5.例文帳に追加

発熱体は、所定の形状と電気比抵抗を有するＳｉＣ焼結体１を得た後、ＳｉＣ焼結体１の表面を複数層のＳｉＣ薄膜２〜５で被覆することにより得られる。 - 特許庁