Sn dopedとは 意味・読み方・使い方

A metal film 2 is formed on the upper surface of the conductive SiC substrate 1 doped with impurities by vapor deposition or sputtering by selecting one metal from Ni, Ti, Pd, Fe, Ru, Os, Ge, Sn, V, Ta and Nb.例文帳に追加

不純物がドープされた導電性ＳｉＣ基板１の上面に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂから一つの金属を選んで蒸着、もしくはスパッタで金属膜２を形成する。 - 特許庁

One or both of the first Al_yGa_1-yAs_zSb_1-z layer 2 and the second Al_yGa_1-yAs_zSb_1-z layer 4 are doped with Sn, and act as an electron supplying layer to the In_xGa_1-xAs electron transit layer 3.例文帳に追加

第１のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層２、第２のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層４のいずれか一方、若しくは両方にはＳｎがドープされており、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓ電子走行層３への電子供給層となっている。 - 特許庁

A metal film 1 is formed on the back of the conductive SiC substrate 2 doped with impurities by vapor deposition or sputtering by selecting one metal from Ni, Ti, Pd, Fe, Ru, Os, Ge, Sn, V, Ta, and Nb.例文帳に追加

不純物がドープされた導電性ＳｉＣ基板２の裏面に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂから一つの金属を選んで蒸着、もしくはスパッタで金属膜１を形成する。 - 特許庁

A sulfide-doped fluorescent material produced by attaching a sulfide of at least one kind of element selected from among Ag, Fe, Co, Ni, Cr, Mo, Mn, Al, Ru, V, Nb, Ti, Zr and Sn to the surface of a fluorescent material is used in the front panel of a display tube.例文帳に追加

Ａｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔｉ、ＺｒおよびＳｎから成る群から選択される少なくとも１種類の元素の硫化物が蛍光体の表面に付着していることを特徴とする硫化物付着蛍光体を表示管の前面パネルに使用する。 - 特許庁

This coating liquid for forming the electroconductive film contains electroconductive fine particles, a coloring agent and a polar solvent, wherein the electroconductive fine particles are indium oxide-based fine particles selected from indium oxide or indium oxide doped with Sn or F, and the coloring agent is particles having a positive charge.例文帳に追加

導電性微粒子と着色剤と極性溶媒とを含み、導電性微粒子が酸化インジウム、ＳnまたはＦがドーピングされた酸化インジウムから選ばれる酸化インジウム系微粒子であり、着色剤が正電荷を有する粒子であることを特徴とする透明導電性被膜形成用塗布液。 - 特許庁

The electron transport layer 3 is structured of titanium oxide or zinc oxide, the light absorption layer 5 is structured of either oxide of metal selected from Co and Cu, or fluoride of metal selected from Bi, Sn, Cu and Mo, and the hole transport layer 7 is structured of nickel oxide doped with Li.例文帳に追加

電子輸送層３が、酸化チタン又は酸化亜鉛から構成され、光吸収層５が、Ｃｏ及びＣｕから選ばれる金属の酸化物、又はＢｉ、Ｓｎ、Ｃｕ及びＭｏから選ばれる金属の硫化物から構成され、正孔輸送層７が、Ｌｉによってドープされた酸化ニッケルから構成される。 - 特許庁

To provide an inexpensive bulk type manganese silicide single crystal or polycrystal doped with Ga or Sn that is effectively used as a thermoelectric conversion material, an optical sensor, an optical element, etc., expected to have a high performance index at an intermediate temperature of approximately 300 to 600°C, and to provide a method of manufacturing the same in which the manufacture is easily and safely achieved in a short time.例文帳に追加

約３００〜６００℃の中温で高い性能指数が期待できる熱電変換材料や光センサ、光学素子などとして有効利用できる安価なＧａあるいはＳｎでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体の提供および短時間でしかも安全に容易に製造できる製造方法の提供。 - 特許庁

Electrode structures 305, 306 are an ohmic electrode formed on the surface of an n-type or non-doped nitride semiconductor, which contains at least one or more of metals among Ti, Ta, Nb, Cr, V, Sn, In, Zr, and Si in a first region in contact with the surface of the nitride semiconductor, and further contains Mg in a second region formed on the first region.例文帳に追加

本発明の電極構造３０５、３０６は、ｎ型またはノンドープ窒化物半導体表面に形成されたオーミック電極であって、前記窒化物半導体表面に接する第１の領域にＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｖ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｓｉのうち少なくとも１種以上の金属が含まれ、かつ、その上に形成される第２の領域にＭｇが含まれていることを特徴とする。 - 特許庁