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Si oxideとは 意味・読み方・使い方
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「Si oxide」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 617件
To solve the problem of occurrence of stress when an Si oxide film and Si on an Si substrate are bonded to each other, due to a difference in thermal expansion coefficient between Si and the Si oxide film.例文帳に追加
Si基板上のSi酸化膜とSiとの接合においては、SiとSi酸化膜との熱膨張係数の差による応力が発生する。 - 特許庁
The surface of iron powder is covered with an oxide film composed of Si-based oxide in which the atomic number ratio between Si and Fe satisfies the following relation: Si/Fe≥0.8.例文帳に追加
鉄粉の表面に、SiとFiの割合が原子数比でSi/Fe≧0.8を満足するSi系酸化物からなる酸化膜を被覆する。 - 特許庁
An anti-reflection film F of two-layered structure of Si nitride film 9/Si oxide film 8 is formed on the surface of the poly-Si transfer electrode 7.例文帳に追加
ポリSi転送電極7表面に、Si窒化膜9/Si酸化膜8の二層構造の反射防止膜Fが形成されている。 - 特許庁
SOFT MAGNETIC POWDER COATED WITH Si OXIDE FILM例文帳に追加
Si酸化膜被覆軟磁性粉末 - 特許庁
The Si oxide film 6/Si nitride film 5 inside the ONO gate insulating film G and the anti-reflection film F are separated by a gap between the poly-Si transfer electrode 7 and the other poly-Si transfer electrode 7.例文帳に追加
ONOゲート絶縁膜G内のSi酸化膜6/Si窒化膜5及び反射防止膜Fは、ポリSi転送電極7と他のポリSi転送電極7との間のギャップ部分で切り離している。 - 特許庁
An ONO gate insulating film G of three-layered structure composed of Si oxide film 6/Si nitride film 5/Si oxide film 4 is formed on the surface of an N-type CCD channel region 3, and a poly-Si transfer electrode 7 is provided on the ONO gate insulating film G.例文帳に追加
n型CCDチャネル領域3表面に、Si酸化膜6/Si窒化膜5/Si酸化膜4の3層構造のONOゲート絶縁膜Gが形成され、ONOゲート絶縁膜G上に、ポリSi転送電極7を設けている。 - 特許庁
An Si oxide film 2 and an Si nitride film 3 are successively formed on an Si substrate 1.例文帳に追加
Si基板1の上に、Si酸化膜2及びSi窒化膜3を順次形成する。 - 特許庁
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「Si oxide」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 617件
Then, the Si nitride film 3 and the Si oxide film 2 are subjected to an etching process.例文帳に追加
次いで、Si窒化膜3及びSi酸化膜2をエッチングする。 - 特許庁
The upper Si oxide film and the Si nitride film 5 inside the ONO gate insulating film G are separated from the Si nitride film 9 inside the anti-reflection film F in a region over the P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加
ONOゲート絶縁膜G内の上のSi酸化膜6及びSi窒化膜5と、反射防止膜Fの内のSi窒化膜9とをp^+型チャネル阻止領域12上の領域で切り離している。 - 特許庁
The Ti-containing oxide is exemplified by a double oxide of Ti and Si.例文帳に追加
Tiを含む酸化物は、例えばTiとSiとの複合酸化物である。 - 特許庁
The thin Si layer is consumed by oxidation of an interface of the thin Si with the embedded oxide.例文帳に追加
薄いSi層は埋込み酸化物/薄いSiの界面の酸化によって消費される。 - 特許庁
A film containing Ar in a Si oxide amorphous insulator film wherein a quantity of Ar in the film is 3% or more in an atomicity ratio for Si (Ar/Si≥3 at.%) is prepared.例文帳に追加
Si酸化物アモルファス絶縁体膜中にArを含有し、その膜中のAr量がSiに対して原子数比で3%以上(Ar/Si ≧ 3 at.%)である膜を作製する。 - 特許庁
The iron oxide is coated with a layer of Si and Fe compound oxide and further coated with a Si component.例文帳に追加
SiとFeの複合酸化鉄層にて被覆した後、Si成分にて被覆したことを特徴とする酸化鉄粒子。 - 特許庁
A first Si oxide film 102, a diamond-like film (DLC film) 103, an ashing protective film (a-Si film) 104 and a second Si oxide film 105 are formed in order on the surface of an Si substrate 101.例文帳に追加
Si基板101表面に第1のSi酸化膜102、ダイヤモンドライク膜(DLC膜)103、アッシング保護膜(aSi膜)104、第2のSi酸化膜105を順次形成する。 - 特許庁
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