Sin Tiとは 意味・読み方・使い方

METHOD OF ETCHING SiN/Ir/TaN OR SiN/Ir/Ti STACK USING ALUMINUM HARD MASK例文帳に追加

アルミニウムハードマスクを用いてＳｉＮ／Ｉｒ／ＴａＮまたはＳｉＮ／Ｉｒ／Ｔｉスタックをエッチングする方法 - 特許庁

After that, metal 4 of Al, Ti, or the like is formed on the surface side of the SiN film 2 by deposition, sputtering, or the like (e).例文帳に追加

その後、Al、Ti等の金属４を、SiＮ膜２の表面側に蒸着、スパッタ等により成膜する（ｅ）。 - 特許庁

On the SiN film 11, in addition, an Au/Ti layer 13 is formed.例文帳に追加

ＳｉＮ膜の上にはさらに、Ａｕ／Ｔｉ層１３が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor laser element is installed between SiN layers formed on a p-type layer via a heat sink layer and a solder layer (approximately 4 μm in layer thickness), in addition to a Ti layer and Au layer.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、ｐ型層上に形成されたＳｉＮ膜との間に、Ｔｉ層およびＡｕ層に加えてヒートシンク層およびはんだ層（層厚４μｍ程度）を介して載置されている。 - 特許庁

Wiring 11 composed of aluminum (Al) and a passivation film 12 composed of silicon nitride (P-SiN) are formed on the electrode on a semiconductor substrate 10 composed of silicon (Si), and a barrier layer 13 composed of e.g. titanium (Ti) is formed on the surface thereof.例文帳に追加

シリコン（Ｓｉ）からなる半導体基板１０上の電極部に、アルミニウム（Ａｌ）からなる配線１１と窒化シリコン（Ｐ−ＳｉＮ）からなるパッシベーション膜１２とをそれぞれ形成し、その表面には、例えばチタン（Ｔｉ）からなるバリア層１３を形成する。 - 特許庁

The Ti/Au film 36 and the Au layer 38 on an SiN film 32 is etched back over its entirety by means of ion milling process, and a gate electrode 40 is formed as shown in Fig. (f) only on the gateopening 34 except for the metal layers 36, 38.例文帳に追加

続いて、ＳｉＮ膜３２上のＴｉ／Ａｕ積層膜３６及びＡｕ層３８をイオンミリング法で全面エッチバッグし、図２（ｆ）に示すように、ゲート開口３４のみに金属層３６／３８を残してゲート電極４０を形成する。 - 特許庁

A semiconductor laser element 10 is disposed on an SiN film 105, which is formed on a p-type layer 100, via Ti layers 110a and 110b, Au layers 111a and 111b, a heatsink layer 113, and a solder layer 114 (e.g. about 4 μm in thickness).例文帳に追加

半導体レーザ素子１０は、ｐ型層１００上に形成されたＳｉＮ膜１０５との間に、Ｔｉ層１１０ａ、１１０ｂおよびＡｕ層１１１ａ、１１１ｂに加えてヒートシンク層１１３およびはんだ層１１４（例えば、層厚４μｍ程度）を介して載置されている。 - 特許庁