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AsH3の意味・使い方・読み方 | Weblio英和辞書
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AsH3とは 意味・読み方・使い方

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Weblio英和対訳辞書での「AsH3」の意味

AsH3

Weblio英和対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「AsH3」を含む例文一覧

該当件数 : 8



例文

TEGa, AsH3 and Cl2H2 are introduced into a chamber 10 by an H2 carrier gas.例文帳に追加

TEGa、AsH_3およびCI_2H_2が、H_2キャリアガスによりチャンバ10内に導入される。 - 特許庁

TEGa and AsH3 react on a heated GaAs substrate 18, thereby growing thereon a compound semiconductor crystal.例文帳に追加

TEGaおよびAsH_3は、加熱されたGaAs基板18上で反応して、GaAsの化合物半導体結晶をGaAs基板18上に成長させる。 - 特許庁

In the temperature reducing process after growing a contact layer 509 of p-type GaAs, supply of the material gas, which contains AsH3, is stopped, and only the carrier gas is supplied.例文帳に追加

p型GaAsコンタクト層509成膜後の降温過程においては、AsH_3を含む原料ガスの供給を停止し、キャリアガスのみを供給する。 - 特許庁

In the temperature-reducing process after growing a p-type GaAs cap layer 508, the substrate is exposed to AsH3 atmosphere to prevent introduction of group-V defect into the active layer.例文帳に追加

p型GaAsキャップ層508成膜後の降温過程において、基板をAsH_3雰囲気に曝し、活性層にV族欠陥が導入されることを防止する。 - 特許庁

During the course of growing the GaN buffer layer by heating, a GaN film is formed by introducing AsH3 (process C), and thereafter, introducing DMHy and TMG.例文帳に追加

GaNバッファ層を加熱して成長させる過程において、AsH_3を導入し(プロセスC)、その後DMHyとTMGを導入してGaN膜を形成する。 - 特許庁

In a method for forming this GaN film, a GaAs epitaxial layer is formed on a GaAs substrate by introducing AsH3 and TMG (process A), and a GaN buffer layer is formed by introducing DMHy and TMG (process B).例文帳に追加

AsH_3とTMGを導入してGaAs基板上にGaAsエピタキシャル層を形成し(プロセスA)、DMHyとTMGを導入してGaNバッファ層を形成する(プロセスB)。 - 特許庁

例文

The Al-doped GaInAs active layer 4 is made by performing the growth of GaInAs so as to be doped with Al by mixing TMA as a second material including Al into the first material consisting of TMG(trimethyl gallium), TMIn, and AsH3 used for the growth of GaInAs.例文帳に追加

Al添加GaInAs活性層4は、GaInAsの成長に用いられるTMG、TMIn、AsH_3 からなる第1の原料に、Alを含む第2の原料としてのTMAを混入して、Alが添加されるようにGaInAsの成長を行うことにより形成する。 - 特許庁

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「AsH3」を含む例文一覧

該当件数 : 8



例文

For a semiconductor 1, a GaAs substrate 2 is set at a susceptor of MOCVD method, while the GaAs substrate 2 is heated under control, TMA, etc., as III group material, AsH3 as As material, DMHy(dimethyl hydrazine) of an organic nitride compound, etc., as nitrogen material, are supplied into a reaction chamber at the same time for growing with hydrogen as carrier gas.例文帳に追加

半導体1は、MOCVD法のサセプターにGaAs基板2をセットし、GaAs基板2を加熱制御しつつ、III 族原料としてTMA等を、As原料としてAsH_3 を、窒素原料として有機系窒素化合物であるDMHy等を、キャリアガスとして水素を使用して、これらの原料ガスとキャリアガスを同時に反応室内に供給して成長させる。 - 特許庁

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