C-41 processとは 意味・読み方・使い方

After that, the process 41 is cleared and the effect processing data is output by only the process 42 (Fig.2 (c)).例文帳に追加

その後、プロセス４１は解放され、プロセス４２のみによって効果処理データが出力される（図２(c)）。 - 特許庁

Then the diaphragm 40 having the piezoelectric layer 41 formed is heated at predetermined temperature (for example, 900°C) (heating process).例文帳に追加

そして、圧電層４１が形成された振動板４０を所定の温度（例えば、９００℃）で加熱する（加熱工程）。 - 特許庁

The common driving motor 201 is provided separately from Y, M, C, and K process motors 170Y, M, C, K for rotationally driving photoreceptors (2Y, M, C, and K) and a belt driving motor 171 for endlessly moving an intermediate transfer belt (41).例文帳に追加

また、この共用駆動モータ２０１を、感光体（２Ｙ，Ｍ，Ｃ，Ｋ）を回転駆動させるＹ，Ｍ，Ｃ，Ｋプロセスモータ１７０Ｙ，Ｍ，Ｃ，Ｋ、及び、中間転写ベルト（４１）を無端移動させるベルト駆動モータ１７１とは別にした。 - 特許庁

In a third process, the lateral slide cores 31 and 41 are held between the lower mold 1 and the upper mold 2 to be fixed so as to be made impossible to slide and a cavity C is formed by the laminated core 50, the lower mold 1, the upper mold 2 and the lateral slide cores 31 and 41.例文帳に追加

第３工程において、横スライドコア３１、４１を下型１と上型２とで挟んでスライド不能に固定するとともに、積層コア５０と下型１と上型２と横スライドコア３１、４１とでキャビティＣを形成する。 - 特許庁

A compressed data amount specification information extraction means 41-22 of a data development means 41-2 extracts the compressed data amount specification information C from the tables of the number of sliding pieces, and a development method selection means 41-22 selects either of the development methods of 6 bytes or 3 bytes based on the data amount indicated by the extracted compressed data amount specification information C and executes the development process.例文帳に追加

そして、データ展開手段４１−２の圧縮データ量指定情報抽出手段４１−２１は、スベリコマ数テーブルから圧縮データ量指定情報Ｃを抽出し、展開方法選択手段４１−２２は、その抽出された圧縮データ量指定情報Ｃの示すデータ量にもとづいて６バイト又は３バイトのいずれかの展開方法を選択し、展開処理が実行される。 - 特許庁

In a projection plane 88 in the opposite directions (widthwise direction) of a pair of process sidewalls 42, the rotation centers A and B of auger shafts 41 coincide with each other and are located away from the gravity center C of the auger main body 39.例文帳に追加

１対のプロセス側壁４２の対向方向（幅方向）における投影面８８において、各オーガ軸４１の回転中心ＡおよびＢは、互いに一致し、かつ、オーガ本体３９の重心Ｃから外れた位置にある。 - 特許庁

An annealing apparatus 10 comprises a silicon carbide-made process tube 31 which forms a treatment chamber 33 for treating a wafer 1, a heater unit 30 for heating the wafer 1 in the treatment chamber 33 to 1,200°C or above, a manifold 40 arranged below the process tube 31, and a metallic seal cap 51 for blocking a furnace port 41 of the manifold 40.例文帳に追加

アニール装置１０は、ウエハ１を処理する処理室３３を形成する炭化シリコン製のプロセスチューブ３１と、処理室３３のウエハ１を１２００℃以上に加熱するヒータユニット３０と、プロセスチューブ３１の下に配置されたマニホールド４０と、マニホールド４０の炉口４１を閉塞する金属製のシールキャップ５１とを備えている。 - 特許庁