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F2 layerとは 意味・読み方・使い方
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「F2 layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 46件
The peel force of the heavy peel silicone release layer and the light peel silicone release layer satisfies the formula: 1.2<F1/F2≤10.0 (wherein F1 is the peel force of the surface of the heavy peel silicone release layer and F2 is the peel force of the surface of the light peel silicone release layer).例文帳に追加
１．２ ＜ Ｆ１／Ｆ２ ≦ １０．０（ただし、Ｆ１は重剥離シリコーン離型層表面の剥離力、Ｆ２は軽剥離シリコーン離型層表面の剥離力である。） - 特許庁
The free layer 25 has first and second magnetic layers F1 and F2 and a coupling layer 40 arranged between the magnetic layers F1 and F2.例文帳に追加
フリー層２５は、第１の磁性層Ｆ１および第２の磁性層Ｆ２と、これら２つの磁性層Ｆ１，Ｆ２の間に配置された結合層４０とを有している。 - 特許庁
The second magnetic layer F2 is arranged nearer to the pinned layer 23 than the first magnetic layer F1, and the magnetic layers F1 and F2 are coupled with each other in an antiferromagnetic state through the coupling layer 40.例文帳に追加
第２の磁性層Ｆ２は、第１の磁性層Ｆ１よりもピンド層２３に近い位置に配置され、２つの磁性層Ｆ１，Ｆ２は、結合層４０を介して反強磁性的に結合している。 - 特許庁
After forming the film of the barrier metal layer F2, the barrier metal layer F2 on the second bank B2 is removed together with the second bank B2 by lift off method to form the conductive film pattern F.例文帳に追加
バリアメタル層Ｆ２の成膜後、リフトオフ法により、第２のバンクＢ２とともに第２のバンクＢ２上のバリアメタル層Ｆ２を除去し、導電膜パターンＦを形成する。 - 特許庁
A control device 13 controls drive of respective chambers F1, F2, F3 and F4 and conveys a substrate 14 into the magnetic layer forming chamber F2 to form a magnetic layer 15 on the substrate 14.例文帳に追加
制御装置１３が、各チャンバＦ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４を駆動制御し、基板１４を磁性層形成チャンバＦ２に搬入して基板１４に磁性層１５を形成する。 - 特許庁
The bulk scattering coefficient β of the first magnetic layer F1 has a negative value and that β of the second magnetic layer F2 has a positive value.例文帳に追加
第１の磁性層Ｆ１のバルク散乱係数βは負の値であり、第２の磁性層Ｆ２のバルク散乱係数βは正の値である。 - 特許庁
Thereafter, a barrier metal layer F2 is deposited on the whole surfaces of the substrate P comprising the upper surfaces of the pattern F1 and the bank B.例文帳に追加
その後、膜パターンＦ１、及びバンクＢの上面を含む基板Ｐの全面に、バリアメタル層Ｆ２を成膜する。 - 特許庁
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「F2 layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 46件
The surface 41 of the translucent layer 4 and the optical reflection face 31 of the sheet 3 have a focus F1, F2 at the identical position.例文帳に追加
透光層４の表面４１及びシート３の光反射面３１が同一位置に焦点Ｆ１，Ｆ２を有する。 - 特許庁
The plastic film laminate includes an outer polyethylene terephthalate film layer (F1), a dry coating layer of coating resin (C), a solventless adhesive layer (A), the metal vapor deposition layer or metal foil (M), and an inner plastic film layer (F2) in this order.例文帳に追加
外装のポリエチレンテレフタレートフィルム層（Ｆ１）、コート樹脂の乾燥皮膜層（Ｃ）、無溶剤型接着剤層（Ａ）、金属蒸着層又は金属箔（Ｍ）、内装プラスチックフィルム層（Ｆ２）をこの順に有することを特徴とするプラスチックフィルム積層体。 - 特許庁
The dielectric layer is patterned, the first electric conductive layer of the region is exposed where a third fuse element (F3) is arranged, while leaving a dielectric layer (4i) in the region where a second fuse element (F2) is arranged.例文帳に追加
誘電体層をパターニングし、第２ヒューズ素子（Ｆ２）が配置される領域に誘電体層（４ｉ）を残すと共に、第３ヒューズ素子（Ｆ３）が配置される領域の第１導電層を露出させる。 - 特許庁
Optical cavity structure is constituted with a semitransparent reflecting layer 22 and a reflecting layer 12 interposing an organic EL layer 20, and thereby, light causes multiple interference as shown in arrows F1, F2.例文帳に追加
有機ＥＬ層２０を挟む半透明反射層２２と反射層１２によって光共振器構造が構成されており、これによって矢印Ｆ１，Ｆ２のように光が多重干渉を起こす。 - 特許庁
Another long and flexible film F2 formed with a protrusion 41 higher than a thickness of the printed layer 4 is overlaid on the film F1 having the layer 4.例文帳に追加
印刷層４の厚さよりも背の高い凸部４１が形成された別の長尺状かつ可撓性のフィルムＦ２を、印刷層４を有するフィルムＦ１に重ね合わせる。 - 特許庁
A process for forming a base layer F1 on the substrate P, and another process for discharging liquid drips on the base layer F1 to form a wiring main body F2, are prepared.例文帳に追加
基板Ｐ上に下地層Ｆ１を形成する工程と、下地層Ｆ１の上に液状体の液滴を吐出して配線本体Ｆ２を形成する工程とを有する。 - 特許庁
In the area Y, a portion of a second planarizing layer F2 covering the side surface S1 of the first planarizing layer F1 overlaps with a part of the high potential side potential supply line VHa.例文帳に追加
領域Ｙにおいては、第２の平坦化層Ｆ２のうち第１の平坦化層Ｆ１の側面Ｓ１を覆う部分が高位側電位供給線ＶＨａの一部と重なる。 - 特許庁
To provide a plasma processing method which keeps high etching resistance of a photoresist layer comprising an ArF photoresist or an F2 photoresist when etching an antireflection layer or etching the antireflection layer and an etching objective layer.例文帳に追加
反射防止層をエッチングする際、または反射防止層およびエッチング対象層をエッチングする際に、ＡｒＦフォトレジストまたはＦ２フォトレジストからなるフォトレジスト層の耐プラズマ性を高く維持することができるプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁
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F2層
日英・英日専門用語
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