FS laser pulseとは 意味・読み方・使い方

A light source 10 emits a Fs pulse laser of approximately 0.78 μm pulse light, namely near-infrared pulse light.例文帳に追加

光源１０はＦｓパルスレーザであり、約０．７８μｍのパルス光、すなわち近赤外線のパルス光を射出する。 - 特許庁

A short pulse output from an fs fiber laser 1 is incident on an optical fiber 3, and a wavelength shifted fs soliton pulse S is generated by means of a nonlinear effect of the fiber 3.例文帳に追加

ｆｓファイバーレーザー１から出力される短パルスを光ファイバー３に入射し、光ファイバー３中の非線形効果によって、波長のシフトしたｆｓソリトンパルスＳを生成する。 - 特許庁

The irradiation energy of the femtosecond laser is 133-533 GW/cm^2, the pulse width is 50-1,000 fs, and the wavelength is 250-1,600 nm.例文帳に追加

ここで、フェムト秒レーザの照射エネルギーは１３３〜５３３ＧＷ／ｃｍ^２であり、パルス幅は５０〜１０００ｆｓであり、波長は２５０〜１６００ｎｍである。 - 特許庁

To provide a method and device for reducing material vapor which is formed above the operating place of a laser beam, for the purpose of drilling and removing by using laser having a particularly short pulse width (fs/ps/ns).例文帳に追加

特に短いパルス幅（ｆｓ／ｐｓ／ｎｓ）を有したレーザを用いて穴あけおよび除去を行うために、レーザビームの作用箇所の上方に形成される材料蒸気を減じる方法および装置を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR PREVENTING STRESS CORROSION CRACKING CAUSED BY COLD WORKING IN ALLOY STEEL IRON INCLUDING STEEL IRON AND STAINLESS STEEL USING fs (FEMTOSECOND) REGION EXTRASHORT PULSE kW CLASS HIGH AVERAGE OUTPUT LASER例文帳に追加

ｆｓ（フェムト秒）域極短パルスｋＷ級高平均出力レーザーを用いて鋼鉄及びステンレス鋼を含む合金鋼鉄の冷間加工に伴う応力腐食割れを防止する方法 - 特許庁

The interior of the polycarbonate 1 is exposed to the ultra-short pulse laser beam 2 with a wavelength of 0.38 to 2.5 μm and a pulse width of 1 fs to 1,000 ps, thus modifying only the irradiated part into a conductive material.例文帳に追加

ポリカーボネート１の内部に、波長０．３８μｍ以上２．５μｍ以下、パルス幅１ｆｓ以上１０００ｐｓ以下の超短パルスレーザー光２を照射することにより、照射部のみを導電性を有する材料に改質する。 - 特許庁

When an impurity layer of a region shallow from the front surface of a wafer 1, for example a p^+ collector layer 8 in an FS type IGBT and an NPT type IGBT is activated by laser annealing, a particle 20 on the front surface of the wafer 1 is blown away by irradiating a first laser with pulse laser having irradiation energy density of 1.0 J/cm^2 or greater.例文帳に追加

ウエハー１の表面から浅い領域の不純物層、例えばＦＳ型ＩＧＢＴやＮＰＴ型ＩＧＢＴにおけるｐ^+コレクタ層８をレーザーアニールによって活性化する際に、１台目に照射エネルギー密度が１．０Ｊ／ｃｍ^2以上のパルス状のレーザーを照射することで、ウエハー１の表面のパーティクル２０を吹き飛ばす。 - 特許庁