FET stateとは 意味・読み方・使い方

Accordingly, the FET 11 can be turned off surely, and the FET 11 can also be brought into a DC turned-on state.例文帳に追加

したがって、ＦＥＴ１１を確実にオフさせることができ、ＦＥＴ１１が直流オン状態になるのを防止できる。 - 特許庁

The MOS-FET Q3 has a trench structure and a low on-state resistance.例文帳に追加

ＭＯＳ−ＦＥＴＱ3は、トレンチ構造を有しており低オン抵抗である。 - 特許庁

The control circuit 4 switches the load FET 3 to an off-state in an uninterruptive state, and to an on-state in an interruptive state, blocks the application of electricity from the load FET 3 in the uninterruptive state, and feeds power to the load 12 from the secondary battery 1 in the interruptive state.例文帳に追加

制御回路４は、非停電状態で負荷ＦＥＴ３をオフ、停電状態でオンに切り換え、非停電状態において負荷ＦＥＴ３の通電を遮断し、停電状態において二次電池１から負荷１２に電力を供給する。 - 特許庁

The MOS FET 3 is brought to a discontinuity state by the transistor 9 in the case of the application of reverse polarity, and the MOS FET 3 is turned off.例文帳に追加

逆極性印可時にはトランジスタ９によりＭＯＳ ＦＥＴ３を非導通にして、ＭＯＳＦＥＴ３をオフとする。 - 特許庁

When the conductive circuit is switched from the non- continuity state to the continuous state, a switching control circuit 313 turns on the FET 311 with a high switching speed first and, when the FET 311 is saturated, turns on the 2nd FET 312.例文帳に追加

スイッチング制御回路313は、非導通状態から導通状態への切り替え時には、最初にスイッチング速度の速いＦＥＴ311をオンさせ、このＦＥＴ311が飽和するタイミングで２つ目のＦＥＴ312をオンさせる。 - 特許庁

A control circuit 13, when switching the nonconduction state to the conduction state causes on the FET 11, which has the fast switching speed first to turn on and then causes the 2nd FET 12 to turn on in the timing to the saturation of the FET 11.例文帳に追加

制御回路１３は、非導通状態から導通状態への切り替え時には、最初にスイッチング速度の速いＦＥＴ１１をオンさせ、このＦＥＴ１１が飽和するタイミングで２つ目のＦＥＴ１２をオンさせる。 - 特許庁

When the battery voltage E1 is not less than the charge inhibiting voltage, the control circuit 8 controls the first FET 6 to off-state, and when the terminal voltage E2 is lower than E1, the control circuit 8 controls the first FET 6 to on-state.例文帳に追加

電池電圧Ｅ１が充電禁止電圧以上であるとき第１のＦＥＴ６をオフに制御し、端子電圧Ｅ２がＥ１＞Ｅ２のときにはオンに制御する。 - 特許庁

The MOS-FET Q3 and Q4 have a trench structure and a low on-state resistance.例文帳に追加

ＭＯＳ−ＦＥＴＱ3，Ｑ4は、トレンチ構造を有しており低オン抵抗である。 - 特許庁