「FET state」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In the same way, when the conductive circuit is switched from the continuity state to the non-continuity state, the switching control circuit 313 turns off the FET 312 and then turns off the FET 311 at a voltage close to the saturation voltage of the FET 311.例文帳に追加

同様に導通状態から非導通状態への切り替え時には、ＦＥＴ３１２をオフさせた後に、ＦＥＴ３１１の飽和電圧付近でＦＥＴ３１１をオフさせる。 - 特許庁

The drive circuit for driving the FET has a capacitor for holding a voltage to be applied to the FET when the FET is in an on-state, and a transistor which is applied with the voltage held in the capacitor during the off-period of the FET to turn off the FET.例文帳に追加

ＦＥＴを駆動する駆動回路であって、ＦＥＴのオン時にＦＥＴに印加される電圧を保持するコンデンサと、ＦＥＴのオフ期間に、コンデンサに保持された電圧が供給されてＦＥＴをオフさせるトランジスタを有する。 - 特許庁

Accordingly, the FET 11 can be turned off surely, and the FET 11 can also be brought into a DC turned-on state.例文帳に追加

したがって、ＦＥＴ１１を確実にオフさせることができ、ＦＥＴ１１が直流オン状態になるのを防止できる。 - 特許庁

The MOS-FET Q3 has a trench structure and a low on-state resistance.例文帳に追加

ＭＯＳ−ＦＥＴＱ3は、トレンチ構造を有しており低オン抵抗である。 - 特許庁

The control circuit 4 switches the load FET 3 to an off-state in an uninterruptive state, and to an on-state in an interruptive state, blocks the application of electricity from the load FET 3 in the uninterruptive state, and feeds power to the load 12 from the secondary battery 1 in the interruptive state.例文帳に追加

制御回路４は、非停電状態で負荷ＦＥＴ３をオフ、停電状態でオンに切り換え、非停電状態において負荷ＦＥＴ３の通電を遮断し、停電状態において二次電池１から負荷１２に電力を供給する。 - 特許庁

The MOS FET 3 is brought to a discontinuity state by the transistor 9 in the case of the application of reverse polarity, and the MOS FET 3 is turned off.例文帳に追加

逆極性印可時にはトランジスタ９によりＭＯＳ ＦＥＴ３を非導通にして、ＭＯＳＦＥＴ３をオフとする。 - 特許庁

When the conductive circuit is switched from the non- continuity state to the continuous state, a switching control circuit 313 turns on the FET 311 with a high switching speed first and, when the FET 311 is saturated, turns on the 2nd FET 312.例文帳に追加

スイッチング制御回路313は、非導通状態から導通状態への切り替え時には、最初にスイッチング速度の速いＦＥＴ311をオンさせ、このＦＥＴ311が飽和するタイミングで２つ目のＦＥＴ312をオンさせる。 - 特許庁

A control circuit 13, when switching the nonconduction state to the conduction state causes on the FET 11, which has the fast switching speed first to turn on and then causes the 2nd FET 12 to turn on in the timing to the saturation of the FET 11.例文帳に追加

制御回路１３は、非導通状態から導通状態への切り替え時には、最初にスイッチング速度の速いＦＥＴ１１をオンさせ、このＦＥＴ１１が飽和するタイミングで２つ目のＦＥＴ１２をオンさせる。 - 特許庁

When the battery voltage E1 is not less than the charge inhibiting voltage, the control circuit 8 controls the first FET 6 to off-state, and when the terminal voltage E2 is lower than E1, the control circuit 8 controls the first FET 6 to on-state.例文帳に追加

電池電圧Ｅ１が充電禁止電圧以上であるとき第１のＦＥＴ６をオフに制御し、端子電圧Ｅ２がＥ１＞Ｅ２のときにはオンに制御する。 - 特許庁

The MOS-FET Q3 and Q4 have a trench structure and a low on-state resistance.例文帳に追加

ＭＯＳ−ＦＥＴＱ3，Ｑ4は、トレンチ構造を有しており低オン抵抗である。 - 特許庁

When the battery voltage E1 is not more than the discharge inhibiting voltage, the control circuit 8 controls the second FET 7 to off-state, and when the terminal voltage E2 is lower than E1, the control circuit 8 controls the FET 7 to on-state.例文帳に追加

電池電圧Ｅ１が放電禁止電圧以下であるとき第２のＦＥＴ７をオフに制御し、端子電圧Ｅ２がＥ１＞Ｅ２のときにはオンに制御する。 - 特許庁

In a normal state, an N-channel FET 2 turns on, and an anode and a cathode of an LD 1 are substantially shorted through the FET 2.例文帳に追加

通常状態では、ｎチャネルＦＥＴ２がオンであり、ＬＤ１のアノードとカソードがＦＥＴ２を通じて実質的に短絡されている。 - 特許庁

In the case of switching from the non-conductive state to the conductive state, a switching control circuit 313 first turns on the FET 311 of high switching speed and turns on the second FET 312 at a timing when this FET 311 is saturated.例文帳に追加

スイッチング制御回路３１３は、非導通状態から導通状態への切り替え時には、最初にスイッチング速度の速いＦＥＴ３１１をオンさせ、このＦＥＴ３１１が飽和するタイミングで２つ目のＦＥＴ３１２をオンさせる。 - 特許庁

When the conductive circuit is switched from the non- continuity state to the continuity state, a switching control circuit 313 turns on the FET 311 with a high switching speed first and, when the FET 311 is saturated, turns on the 2nd FET 312.例文帳に追加

スイッチング制御回路３１３は、非導通状態から導通状態への切り替え時には、最初にスイッチング速度の速いＦＥＴ３１１をオンさせ、このＦＥＴ３１１が飽和するタイミングで２つ目のＦＥＴ３１２をオンさせる。 - 特許庁

In the DC/DC converter, a drive circuit driving the FET and a gate terminal of the FET are maintained in an on-state of FET by an operation of bypass resistance in switching an input voltage to a low voltage and stopping switching by the FET.例文帳に追加

ＤＣ／ＤＣコンバータにおいて、入力電圧を低い電圧に切り替えてＦＥＴによるスイッチングを停止させた際に、ＦＥＴを駆動する駆動回路とＦＥＴのゲート端子をバイパス抵抗の動作によってＦＥＴのオン状態を維持する。 - 特許庁

To provide a battery pack with safety for eliminating tear-down of FET or blown-out of a current fuse even if on-state resistance of controlling FET falls.例文帳に追加

制御用ＦＥＴのＯＮ抵抗が下がった場合でも、ＦＥＴの破壊や電流ヒューズの溶断がなく、安全なバッテリーパックを実現できる。 - 特許庁

Further, the resistive element is connected between a source terminal and a drain terminal of the FET of an off state.例文帳に追加

さらにオフ状態のＦＥＴのソース端子とドレイン端子との間に抵抗素子を接続する。 - 特許庁

A chopper circuit 10 supplies a power stored in an inductor 11 in the ON state of an FET 13 from the inductor 11 through a diode 12 to the LED in the OFF state of the FET 13.例文帳に追加

チョッパ回路１０は、ＦＥＴ１３のオン状態にてインダクタ１１に蓄積された電力をＦＥＴ１３のオフ状態にてインダクタ１１からダイオード１２を通じてＬＥＤに供給させる。 - 特許庁

While using at least two, an FET 311 of high switching speed and an FET 312 of low ON resistance, the active terminals (drains and sources) of these FET 311 and 312 are parallel connected and while using these FET 311 and 312 together, the conductive or non-conductive state of a conductive path are switched.例文帳に追加

スイッチング速度が速いＦＥＴ３１１とオン抵抗の低いＦＥＴ３１２を２つ以上用いて、これらのＦＥＴ３２１１，３１２の能動端子（ドレイン、ソース）を並列接続し、これらのＦＥＴ３１１，３１２を併用して導電路の導通状態と非導通状態を切り替える。 - 特許庁

A diode D prevents current discharge from the capacitive load C_L while the FET (S) is in a closed state.例文帳に追加

ＦＥＴ（Ｓ）が閉状態の間、ダイオードＤは、容量性負荷Ｃ_Lからの電流の放電を防止する。 - 特許庁

To provide a technology capable of obtaining an FET with small on-state resistance without reducing a breakdown voltage.例文帳に追加

耐圧を小さくすることなく、オン抵抗が小さいＦＥＴを得ることができる技術を提供する。 - 特許庁

Then, the CPU 10 makes the FET Q1 go into an On state or to an Off state, corresponding to a blackout time t by the one-two switching operation.例文帳に追加

そして、ＣＰＵ１０は、ワンツースイッチ操作による停電時間ｔに応じてＦＥＴＱ１をオン状態またはオフ状態にする。 - 特許庁

A second amplifying FET 22 for further amplifying the input signal amplified by an amplifying FET 21 and supplying the amplified signal to a first output terminal 51, and a first switching FET 31 for controlling the amplifying FET 22 in a stop state, are provided between the amplifying FET 21 for amplifying an input signal and the output terminal 51.例文帳に追加

入力信号を増幅する第１の増幅用ＦＥＴ２１と第１の出力端子５１との間に、該ＦＥＴ２１により増幅された入力信号を、さらに増幅して第１の出力端子５１に供給する第２の増幅用ＦＥＴ２２、及び第２の増幅用ＦＥＴ２２を停止状態に制御する第１のスイッチ用ＦＥＴ３１を設ける。 - 特許庁

In this state, the capacitor 8 discharges, a voltage between terminals of the capacitor 8 decreases, the ON-state and the OFF-state of a MOS type FET 12 are changed over, and the alarm signal is outputted.例文帳に追加

こうなるとコンデンサ８は放電し、コンデンサ８の端子間電圧が低下して、ＭＯＳ型ＦＥＴ12のオン・オフが切換わってアラーム信号が出力される。 - 特許庁

The FET element Q1 is overheated when this state is continued, and a drain and a source are short-circuited between them.例文帳に追加

この状態が持続することで、スイッチングＦＥＴ素子Ｑ１は過熱し、ドレイン−ソース間がショート（短絡）する。 - 特許庁

To provide a diode which has high withstand voltage characteristics equal to those of a GaN-based FET, and has low on-state resistance.例文帳に追加

ＧａＮ系ＦＥＴと同等の高耐圧特性を有し、かつオン抵抗の低いダイオードを実現すること。 - 特許庁

Thereby, switching can be changed before each FET of the inverter circuit 2 is brought in the advanced-phase switching state.例文帳に追加

これにより、インバータ回路２の各ＦＥＴが進相スイッチング状態になる前にスイッチング切替えができる。 - 特許庁

Moreover, a control means (4) is also provided to detect, when the main switch S1 turns OFF and the MOS-FET for synchronous rectification turns ON, that the MOS-FET is in the ON state and controls the main switch to be maintained in the OFF state.例文帳に追加

そして、主スイッチＳ１がオフし、同期整流用ＭＯＳ−ＦＥＴがオンした時、該ＭＯＳ−ＦＥＴがオンしていることを検出して、主スイッチがオフ状態を維持するように制御を行う制御手段 を備えた。 - 特許庁

This circuit is equipped with a state detecting circuit 6 which is connected to a drain of the FET and outputs a detection signal to the first input terminal I1 of the CPU, and a predrive circuit state detecting circuit 6 which monitors a gate voltage of the FET.例文帳に追加

そのＦＥＴのドレインに接続されかつＣＰＵの第１入力端子Ｉ１に検出信号を出力する状態検出回路６と、ＦＥＴのゲート電圧を監視するプリドライブ回路状態検出回路６を設ける。 - 特許庁

This circuit is provided with the LED which irradiates the FET switch and a driving circuit which makes the LED emit light for a predetermined time as the GaAs-FET switch shift from the off state to the on state.例文帳に追加

本回路は、ＦＥＴスイッチを照射するＬＥＤと、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチがオフ状態からオン状態に遷移するのに伴って、ＬＥＤを所定の時間発光させる駆動回路とを有することを特徴とするものである。 - 特許庁

A power source 118 supplies a current to an FET 110, when a pulse signal output from the PWM 104 is negative and the FET 110 is in on-state; and the power source 118 supplies a current to an FET 114, when a pulse signal output from the PWM 106 is negative and the FET 114 is in on-state.例文帳に追加

一方、電源１１８は、ＰＷＭ１０４によって出力されるパルス信号がマイナスであってＦＥＴ１１０がオン状態の時、当該ＦＥＴ１１０に対して電流を供給するとともに、ＰＷＭ１０６によって出力されるパルス信号がマイナスであってＦＥＴ１１４がオン状態の時、当該ＦＥＴ１１４に対して電流を供給する。 - 特許庁

The FET 11 is switched into an active state wherein amplification is conducted or into an inactive state wherein no amplification is executed depending on the level of the control voltage Vc.例文帳に追加

ＦＥＴ１１は、制御電圧Ｖｃのレベルに応じて、増幅作用を呈する能動状態と、増幅作用を呈さない非能動状態に切り替わる。 - 特許庁

To provide a solid-state image sensing device capable of suppressing the threshold-voltage fluctuation of an FET for a reset, a manufacturing method for the solid-state image sensing device and a charge-storage preventive structure.例文帳に追加

リセット用ＦＥＴの閾値電圧変動を抑制可能な固体撮像装置、その製造方法及び電荷蓄積防止構造を提供する。 - 特許庁

The FET is ON/OFF controlled by a gate voltage supplied to the first gate electrode and the second electrode, and sets the control terminal to a ground potential when the FET is in the ON-state and sets the control terminal to a positive potential or a negative potential when the FET is in the OFF-state.例文帳に追加

前記ＦＥＴは、前記第１のゲート電極および前記第２のゲート電極に供給されるゲート電圧によりＯＮ／ＯＦＦ制御され、前記ＦＥＴがＯＮ状態にある時、前記制御端子をアース電位とし、前記ＦＥＴがＯＦＦ状態にある時、前記制御端子を正電位または負電位とする。 - 特許庁

Then, an nMOS (n channel type MOSFET (metal oxide FET)) 44 comes to be an off state so that a drain electrode is opened.例文帳に追加

すると、ｎＭＯＳ（ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ）４４は、オフ状態となってドレイン電極が開放状態となる。 - 特許庁

To provide a load driving device that reduces current, for maintaining an FET in an on-state, more than before.例文帳に追加

ＦＥＴをオン状態に維持するための電流を従来よりも低減することができる負荷駆動装置を提供する。 - 特許庁

To save the trouble of adjustment by simultaneously performing fine adjustment on the gate bias of the FET of each state to set to an optimum point.例文帳に追加

各段ＦＥＴのゲートバイアスを同時に微調整して最適点に設定できるようにして調整の手間を省く。 - 特許庁

The inductor that forms the LPF, together with the additional line when the FET 5 is in the on-state is arranged in the signal line.例文帳に追加

ＦＥＴ５がオン状態のときに付加線路と共にＬＰＦを形成するインダクタを信号線路に配置する。 - 特許庁

When the memory cell is selected, a selection signal SEL for setting the first additional FET in an ON state is supplied to the gate terminal of the first additional FET/N1 through a selection signal supply line L1.例文帳に追加

メモリセルの選択時に、第１の追加ＦＥＴをオン状態とする選択信号ＳＥＬを、選択信号供給線Ｌ１によって第１の追加ＦＥＴ・Ｎ１のゲート端子に供給する。 - 特許庁

When MOS FET 11 is in the on-state, a current flows through a path passing a primary coil 2 and a MOS FET 11 from the drive power supply, and electromagnetic energy is accumulated in the primary coil 2 of the flyback transformer 1.例文帳に追加

ＭＯＳ ＦＥＴ１１のオン時に駆動電源３から一次コイル２、ＭＯＳ ＦＥＴ１１を通る経路で電流を流し、フライバックトランス１の一次コイル２に電磁エネルギを蓄積する。 - 特許庁

If the voltage between the source and drain of the discharge control FET 7 is not lower than a prescribed value, the transistor 9 is in an on-state and the discharge control FET 7 is turned off to cut off a short circuit current.例文帳に追加

放電制御用ＦＥＴ７のソース−ドレイン間の電圧が所定値以上になると、トランジスタ９はＯＮ状態となり、放電制御用ＦＥＴ７をＯＦＦして短絡電流を遮断する。 - 特許庁

By this setup, without lessening the J-FET part 6 located between the P-type base regions 3 in width, a silicon carbide semiconductor device of this constitution can be prevented from increasing in ON-state resistance due to a resistance increase in the J-FET.例文帳に追加

これにより、ｐ型ベース領域３の間に位置するＪ−ＦＥＴ部６の幅を縮めることがなく、Ｊ−ＦＥＴ抵抗上昇によるオン抵抗の上昇を防止することができる。 - 特許庁

When an off-driving FET 122a is turned on while an on-driving FET 121a fails or malfunctions into an on state, an abnormal state occurs in which a gate voltage of an IGBT 110d does not drop and the IGBT 110d cannot be turned off.例文帳に追加

オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障や誤動作によってオンしたときにオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがオンすると、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧が低下せず、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態が発生する。 - 特許庁

The driver unit 91 is mounted on the yoke 110 under the state in which the FET for the driver unit 91 is brought into contact directly with the sidewall 109.例文帳に追加

ドライバユニット９１は、そのＦＥＴが側壁１０９と直接接触した状態でヨーク１１０に取り付けられる。 - 特許庁

In the state, a current of a predetermined threshold Ith or greater, which will not flow in a normal state, flows through the on-driving FET 121a for a predetermined time Tth or longer.例文帳に追加

このとき、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａには、正常時には流れることがない、所定閾値Ｉｔｈ以上の電流が所定時間Ｔｔｈ以上流れる。 - 特許庁