FET-Eとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 祝祭、祝日、祭日、休日、(特に戸外で行ない、しばしば募金目的の)祝宴、饗宴(きようえん)
FET-Eの |
FET-Eの学習レベル | レベル：14 |
「FET-E」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 19件
To satisfy the characteristics required for E-FET and D-FET, respectively.例文帳に追加
Ｅ—ＦＥＴおよびＤ−ＦＥＴのそれぞれに求められる特性を両立する。 - 特許庁
An EC 27 controls FET-A to FET-E to select a battery to be charged by the charger or select a battery to be discharged.例文帳に追加
ＥＣ２７はＦＥＴ−Ａ〜ＦＥＴ−Ｅを制御して充電器が充電する電池を選択したり、放電する電池を選択したりする。 - 特許庁
So, applying of a positive voltage E to the drain electrode of the FET of the power amplifier 33 is stopped, thereby protecting the FET and the pMOS47.例文帳に追加
このため、パワーアンプ３３のＦＥＴのドレイン電極に対する正電圧Ｅの印加が停止され、同ＦＥＴ及びｐＭＯＳ４７が保護される。 - 特許庁
In the sensor array 30, the output from the m-th sensor 30-m of the sensor array 30 is inputted through the coupler 2 for the input/output to an O/E converter 40 and the output of the O/E converter 40 is inputted to an FET processor 50.例文帳に追加
センサアレイ３０では、センサアレイ３０の第ｍ番目のセンサ部３０−ｍからの出力は入出力用カプラ２を介してO/E変換器４０に入力し、 O/E変換器４０の出力はＦＦＴ処理器５０に入力する。 - 特許庁
A semiconductor set connected in series like an N-type FET 10a and a P-type FET 10b is connected in parallel with a 42-V high-voltage power source E, and the terminals of motors M1, M2 connected in series are sequentially connected to connecting points of the N-type FET and the P-type FET.例文帳に追加
ｎ型ＦＥＴ１０ａとｐ型ＦＥＴ１０ｂのように直列に接続した半導体素子組を並列に４２Ｖの高電圧電源Ｅに接続し、直列接続した１４Ｖ用のモータＭ１、Ｍ２の各端子を順次にｎ型ＦＥＴとｐ型ＦＥＴの接続点に接続してある。 - 特許庁
To prevent the threshold voltage of an E-FET from becoming substandard while sharing a gate diffusion process determining the threshold voltage in a semiconductor device where a D-FET and an E-FET, each having a channel layer, are provided on one semiconductor substrate and each channel layer is provided with a gate diffusion layer.例文帳に追加
同一の半導体基板上に、それぞれチャネル層を有するＤ−ＦＥＴとＥ−ＦＥＴとが設けられ、前記各チャネル層にゲート拡散層が設けられた半導体装置において、閾値電圧を決定するゲート拡散工程を共有しながら、Ｅ−ＦＥＴの閾値電圧が規格外になってしまうことを防止すること。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device having an easily controlled threshold voltage with a high yield, and to provide the semiconductor device in the method of manufacturing the semiconductor device equipped with a D-FET and an E-FET that have different threshold voltages and gate regions that are formed by doping barrier layers formed on a semiconductor substrate with impurities.例文帳に追加
半導体基板上に設けた障壁層に不純物をそれぞれドーピングしてゲート領域を形成したしきい値電圧の異なるD-FETとE-FETとを具備する半導体装置の製造方法及び半導体装置において、しきい値電圧の調整が容易であって、高歩留まりで製造可能なとした半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁
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Wiktionary英語版での「FET-E」の意味 |
-fete
別の表記
- -fōte
語源
From Proto-West Germanic *-fōtī, from Proto-Germanic *-fōtijaz. Cognate with Old High German -fuozi. Equivalent to fōt + -e.
語形変化
| Singular | Masculine | Feminine | Neuter |
|---|---|---|---|
| Nominative | -fēte | -fētu, -fēto | -fēte |
| Accusative | -fētne | -fēte | -fēte |
| Genitive | -fētes | -fētre | -fētes |
| Dative | -fētum | -fētre | -fētum |
| Instrumental | -fēte | -fētre | -fēte |
| Plural | Masculine | Feminine | Neuter |
| Nominative | -fēte | -fēta, -fēte | -fētu, -fēto |
| Accusative | -fēte | -fēta, -fēte | -fētu, -fēto |
| Genitive | -fētra | -fētra | -fētra |
| Dative | -fētum | -fētum | -fētum |
| Instrumental | -fētum | -fētum | -fētum |
| Singular | Masculine | Feminine | Neuter |
|---|---|---|---|
| Nominative | -fēta | -fēte | -fēte |
| Accusative | -fētan | -fētan | -fēte |
| Genitive | -fētan | -fētan | -fētan |
| Dative | -fētan | -fētan | -fētan |
| Instrumental | -fētan | -fētan | -fētan |
| Plural | Masculine | Feminine | Neuter |
| Nominative | -fētan | -fētan | -fētan |
| Accusative | -fētan | -fētan | -fētan |
| Genitive | -fētra, -fētena | -fētra, -fētena | -fētra, -fētena |
| Dative | -fētum | -fētum | -fētum |
| Instrumental | -fētum | -fētum | -fētum |
派生語
Weblio例文辞書での「FET-E」に類似した例文 |
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fete
wombats
a trumpet
ふた
あご
a jaw
moas
wrasses
かま
ヤバネツパイ
pentails
magpies
フェーベ
a plaything with which one trifles for pleasure
「FET-E」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 19件
Consequently, an E-FET and capacitances Ci and Cr constituting an inverter element 70 are prevented from breaking down with static electricity from the outside.例文帳に追加
これにより、インバータ素子７０を構成するＥ−ＦＥＴと、容量Ｃｉ、Ｃｒが外部からの静電気で破壊することを防止できる。 - 特許庁
The circuit is constituted, in such a way that the drain terminal D of a second FET 6 is connected to the source terminal S of a first FET 2, and a parallel circuit of a resistor 7 and a capacitor 8 is connected between the terminal D and the ground E.例文帳に追加
第１のＦＥＴ２のソース端子Ｓに、第２のＦＥＴ６のドレイン端子Ｄを接続し、第２のＦＥＴのドレイン端子Ｄと接地Ｅとの間に抵抗７とコンデンサ８の並列回路を接続して構成されている。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device by which defects are not easily generated, increase of manufacturing cost is suppressed, and threshold voltages (Vth) of a D-type FET and an E-type FET can be reproduced with a good repeatability on the same substrate.例文帳に追加
欠陥が生じにくく、かつ、製造コストの増加を抑え、Ｄ型ＦＥＴとＥ型ＦＥＴの閾値電圧（Ｖ_th）を再現性良く同一基板上に作製することの可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
Such an operation can be realized by simply interposing a control element, i. e. the Zener diode 38, in a line leading from the first drive winding 35B to the commutation FET 5.例文帳に追加
しかもこのような動作は、第１の駆動巻線35Ｂから整流ＦＥＴ５に至るラインに制御素子であるツェナーダイオード38を介在させるだけで実現できる。 - 特許庁
The EC 27 and a CPU of a note PC 10 compare the specific capacity of battery indicating the proportion of a fully charged capacity to a rated capacity of each battery, and controls the FET-A to FET-E so that the batteries may be each discharged from an order of batteries having less deterioration in capacity.例文帳に追加
ＥＣ２７およびノートＰＣ１０のＣＰＵは、各電池の定格容量に対する満充電容量の割合を示す比電池容量を計算して比較し容量劣化が少ない電池の順番に各電池から放電するようにＦＥＴ−Ａ〜ＦＥＴ−Ｅを制御する。 - 特許庁
When an FET for charging control is off, negative potential that is proportional to the charging voltage of a charger appears at a -B terminal and is applied to an emitter E of a transistor TR2 to allow a transistor TR2 to conduct electricity.例文帳に追加
充電制御用ＦＥＴがＯＦＦ時、充電器の充電電圧に比例した負の電位が−Ｂ端子に現れ、トランジスタＴＲ２のエミッタＥに印加されトランジスタＴＲ２は導通する。 - 特許庁
By turning on and off an FET transistor Q1 with a control circuit 2, a voltage is increased by energy stored in an inductor L1, and a charging voltage of a capacitor C1 is made higher than a voltage of a DC power source E.例文帳に追加
制御回路２で電界効果トランジスタQ1をオン、オフすることにより、インダクタL1に蓄積されたエネルギなどにより昇圧してコンデンサC1の充電電圧を直流電源Ｅの電圧より高くする。 - 特許庁
By full-wave rectifying the AC voltage of commercial power e by a circuit 12 and by switching a field-effect transistor(FET) Q1, the voltage is raised by a voltage booster chopping circuit 13 and the power factor is improved.例文帳に追加
商用交流電源ｅの交流電圧を全波整流回路12で全波整流し、電界効果トランジスタQ1をスイッチングすることにより、昇圧チョッパ回路13で昇圧するとともに力率を改善する。 - 特許庁
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