意味 | 例文 (81件) |
FET1とは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「FET1」の意味 |
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FET1
human | 遺伝子名 | FET1 |
同義語(エイリアス) | ETM1; DRD3; dopamine receptor D3; D(3) dopamine receptor; D3DR | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P35462 | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:1814 | |
その他のDBのID | HGNC:3024 |
human | 遺伝子名 | FET1 |
同義語(エイリアス) | essential tremor 1; ETM1 | |
SWISS-PROTのID | --- | |
EntrezGeneのID | --- | |
その他のDBのID | HGNC:3486 |
yeast | 遺伝子名 | FET1 |
同義語(エイリアス) | ||
SWISS-PROTのID | --- | |
EntrezGeneのID | --- | |
その他のDBのID | SGD:S000029163 |
本文中に表示されているデータベースの説明
「FET1」を含む例文一覧
該当件数 : 81件
In addition, both terminals of the inductance element 6 are connected to sides, on one side, of two switching elements FET1, FET2, and sides, on the other side, of the switching elements FET1, FET2 are grounded, Then, a logic part alternately changes over the continuity of the two switching elements FET1, FET2.例文帳に追加
さらに、インダクタンス素子6の両端子が、2つのスイッチング素子FET1,FET2の各一方側に接続され、スイッチング素子FET1,FET2の各他方側が接地される。 - 特許庁
Consequently, the transistor FET1 has a reference threshold voltage Vto.例文帳に追加
よってトランジスタFET1は基準しきい値電圧Vtoを有する。 - 特許庁
The gate terminals of the field effect transistors FET1, 2 are grounded through respective resistors.例文帳に追加
FET1,2のゲート端子はそれぞれ抵抗を介して接地される。 - 特許庁
The switch part is conducted before the high side nch transistor FET1 is conducted, and become nonconductive synchronously with conduction of the high side nch transistor FET1.例文帳に追加
スイッチ部は、ハイサイドnchトランジスタFET1の導通に先立ち導通し、ハイサイドnchトランジスタFET1の導通に同期して非導通となる。 - 特許庁
The semiconductor device comprises a first through switch FET1, a first shunt switch FET1, a second through switch FET2, and a second shunt switch FET2.例文帳に追加
半導体素子は、第1のスルースイッチFET1と、第1のシャントスイッチFET1と、第2のスルースイッチFET2と、第2のシャントスイッチFET2と、を有する。 - 特許庁
The first shunt switch FET1 is connected to the first high frequency terminal RF1.例文帳に追加
第1のシャントスイッチFET1は、第1の高周波端子RF1に接続される。 - 特許庁
Therefore, when a control signal fc is at a low level, the FET1 can be set to an OFF state.例文帳に追加
このため、制御信号fcがローレベルの時、FET1をオフ状態に設定できる。 - 特許庁
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「FET1」を含む例文一覧
該当件数 : 81件
A switch circuit 3 is composed of two field effect transistors FET1 and FET2.例文帳に追加
スイッチ回路部3を2つの電界効果トランジスタFET1,FET2によって構成する。 - 特許庁
Diodes D1, D2 are connected in parallel with the MOS TRs FET1, FET2.例文帳に追加
該MOSトランジスタFET1、FET2に並列にダイオードD1、D2が接続される。 - 特許庁
When a negative potential is applied to the drain of the FET1 and the collector of the transistor Q2 and a positive potential is applied to the source of the FET1, the second current path is conducted and the first current path is interrupted to drive the gate of the FET1 which is thereby conducted thus conducting the rectification current path.例文帳に追加
FET1のドレインとトランジスタQ2のコレクタに負電位が印加され、FET1のソースに正電位が印加されるとき、第2の電流路が導通されることにより、第1の電流路は遮断され、FET1のゲートを駆動し、FET1を導通させ整流電流路を導通する。 - 特許庁
When a positive potential is applied to the drain of the FET1 and the collector of the transistor Q2 and a negative potential is applied to the source of the FET1, the second current path is interrupted and the first current path is conducted to drive the gate of the FET1 which is thereby interrupted thus interrupting the rectification current path.例文帳に追加
FET1のドレインとトランジスタQ2のコレクタに正電位が印加され、FET1のソースに負電位が印加されるとき、第2の電流路が遮断されることにより、第1の電流路は導通され、FET1のゲートを駆動し、FET1を遮断させ整流電流路を遮断する。 - 特許庁
The inverse class-F amplifier circuit includes an FET1 and an output load circuit 2.例文帳に追加
本発明の逆F級増幅回路は、FET1と、出力負荷回路2とを備えている。 - 特許庁
The transistor FET1 is turned on in response to input of a high level delay signal FP.例文帳に追加
ハイレベルの遅延信号FPが入力されることに応じてトランジスタFET1はターンオンされる。 - 特許庁
Consequently, the transistor FET1 has a threshold voltage higher than the reference threshold voltage Vto.例文帳に追加
よってトランジスタFET1は、基準しきい値電圧Vtoよりも高いしきい値電圧を有する。 - 特許庁
Drains of a first FET1 and a second FET2 are connected to a first output terminal Out1.例文帳に追加
第1FET1及び第2FET2は、ドレインを第1出力端子Out1に接続される。 - 特許庁
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