Ga byとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ガービー； ガビ； ガビー； ギャビー； ゲービー； ハビー
「Ga by」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 457件
In the magnetoresistive element 10, a tunnel barrier thin film 13 composed of Ga_2O_3 is arranged between a (Ga, Mn)N thin film 11 where a part of Ga in GaN is replaced by Mn and a (Ga, Mn)_2O_3 thin film 12 where part of Ga in Ga_2O_3 is replaced by Mn.例文帳に追加
磁気抵抗素子１０は、GaNにおいてGaの一部がMnに置換された(Ga, Mn)N薄膜１１と、Ga_2O_3においてGaの一部がMnに置換された(Ga, Mn)_2O_3薄膜１２の間に、Ga_2O_3から成るトンネル障壁薄膜１３を配置したものである。 - 特許庁
Acted by Shozaburo DATE "Ryoma ga Yuku Year 1982 version" by TV Tokyo.発音を聞く 例文帳に追加
伊達正三郎『竜馬がゆく1982年版』テレビ東京 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
Acted by Yoshio KANEUCHI "Ryoma ga Yuku (NHK Taiga Drama)" Year 1968.発音を聞く 例文帳に追加
金内吉男『竜馬がゆく(NHK大河ドラマ)』1968年 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The GA (gibberellin) concentration is increased to a degree of directly or indirectly inducing the internode elongation by the result of signal transduction by the SK1 and SK2 connected to the biosynthetic pathway of the GA.例文帳に追加
また、GAの生合成経路につながるSK1及びSK2によるシグナル伝達の結果、直接的又は間接的に節間伸長を誘導する程度にGA濃度が上昇する。 - 特許庁
His painting style was characterized by its neatness, and he was good at Sansui-ga (Chinese-style landscape painting), Kacho-ga (painting of flowers and birds) and portrait.発音を聞く 例文帳に追加
清楚な画風に特徴が有り、山水画、花鳥画、人物画を得意とした。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
"Konyo ga Tsuji" (Crossroads of a great achievement) (2006, portrayed by Kyoko HASEGAWA)発音を聞く 例文帳に追加
功名が辻(NHK大河ドラマ)（2006年、演：長谷川京子） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
A final air flow meter output GAc is calculated by multiplying the air flow meter output GA by the correction coefficient Kabv (step 106).例文帳に追加
この補正係数Kabvをエアフロメータ出力GAに乗算することで、最終エアフロメータ出力GAcを算出する（ステップ１０６）。 - 特許庁
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「Ga by」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 457件
He also imitated sansui-ga (Chinese-style landscape painting), and published "I Fukyu IKE no Taiga Sansui-ga Fu" in which he reduced the size and imitated the sansui-ga drawn by Fukyu I and IKE no Taiga.発音を聞く 例文帳に追加
山水画の臨模も盛んに行い、伊孚九と池大雅の山水画を縮小して模刻した『伊孚九・池大雅山水画譜』を刊行している。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
Yield of a secondary Ga ion emitted from the sample 4 is measured by pre-radiating the fixed amount of Ga focused ion beam 3 to the sample 4 at every appropriate surface temperature of the sample 4 in advance to obtain a relation of the yield of the secondary Ga ion with the surface temperature of the sample 4.例文帳に追加
予め適当な試料４の表面温度毎にGa集束イオンビーム３を一定量試料４に前照射することにより試料４から放出された２次Gaイオンの収量を測定して、試料４の表面温度に対する２次Gaイオンの収量の関係を得る。 - 特許庁
Ryuma ga yuku of 1982 (TV drama), Hachiro KIYOKAWA was played by Isao HASHIZUME.発音を聞く 例文帳に追加
竜馬がゆく1982年版（テレビドラマ）清河八郎役橋爪功 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The Cu-Ga alloy sputtering target is obtained by molding and sintering the Cu-Ga alloy powder.例文帳に追加
また、このＣｕ−Ｇａ合金粉末を成型し、焼結することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを得る。 - 特許庁
"Tobu ga Gotoku (NHK Taiga Drama)" (1990, NHK Taiga Drama, Yoshinobu performed by Kunihiko MITAMURA)発音を聞く 例文帳に追加
『翔ぶが如く(NHK大河ドラマ)』（1990年、NHK大河ドラマ、演者：三田村邦彦） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
In the minute part analyzer using the focused ion beam, Ga whose ion kind is Ga is poured on a surface of a sample 4 by pre-radiating Ga focused ion beam 3 to make it a reference element for measuring a surface temperature of the sample 4, and the temperature of the minute part on the surface of the sample 4 during analysis is determined.例文帳に追加
集束イオンビームを用いる微細部位解析装置において、イオン種がGaのGa集束イオンビーム３の前照射によって試料４の表面に注入されたGaを、試料４の表面温度の測定のための参照元素とし、分析時の試料４の表面の微細部位の温度を決定する。 - 特許庁
By using a sputtering target composed of an ITO sintered compact composed substantially of indium, tin, gallium and oxygen and contg. gallium of 0.1 to 5.0 atomic % by the ratio of Ga/(In+Sn+Ga), an ITO thin film contg. gallium of 0.1 to 5.0 atomic % by the ratio of Ga/(In+Sn+Ga) is formed.例文帳に追加
実質的にインジウム、スズ、ガリウムおよび酸素からなり、ガリウムをＧａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の比で０．１〜５．０原子％含有するＩＴＯ焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いて、ガリウムをＧａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の比で０．１〜５．０原子％含有するＩＴＯ薄膜を形成する。 - 特許庁
In the method for producing the Ga-doped silicon single crystal by a Czochralski method, the Ga-doped silicon single crystal is produced by growing the single crystal by adding a Ga-compound being solid at the ordinary temperature.例文帳に追加
チョクラルスキー法によりＧａ（ガリウム）がドープされたシリコン単結晶を製造する方法において、常温で固体であるＧａ化合物を添加して単結晶の成長を行うＧａドープシリコン単結晶の製造方法。 - 特許庁
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